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[发明专利]闪存的可靠性测试方法及计算机可读存储介质-CN202111150386.0在审
发明人：陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存的可靠性测试方法及计算机可读存储介质，所述闪存的可靠性测试方法包括：对闪存单元执行第一擦除测试，第一擦除测试合格的闪存单元为第一闪存单元；对第一闪存单元执行写入测试，写入测试合格的第一闪存单元为第二闪存单元，写入测试不良的第一闪存单元为第三闪存单元；对第二闪存单元及第三闪存单元执行第二擦除测试，第二擦除测试不良的第三闪存单元为可靠性不良单元。通过将第三闪存单元继续后续的测试，并利用后续的第二擦除测试从第三闪存单元中筛选出其中的第二擦除测试不良，并将其判定为可靠性不良单元，由此将可靠性不良单元有效区分于普通不良单元，从而达到从可靠性测试中有效筛出可靠性不良单元的目的
闪存可靠性测试方法计算机可读存储介质

[发明专利]测试闪存单元电流分布的系统及方法-CN201410005717.5有效
发明人：索鑫 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：一种测试闪存单元电流分布的系统及方法。所述测试闪存单元电流分布的系统包括电流电压转换单元，适于将所述闪存单元的读出电流转换为测试电压；比较统计单元，适于根据所述测试电压与参考电压的比较结果获得闪存单元电流分布。所述测试闪存单元电流分布的方法包括将所述闪存单元的读出电流转换为测试电压；根据所述测试电压与参考电压的比较结果获得闪存单元电流分布。本发明提供的测试闪存单元电流分布的系统及方法，提高了测试闪存单元电流分布的速度，降低了测试闪存单元电流分布的成本。
测试闪存单元电流分布系统方法

[发明专利]一种闪存芯片及其校准方法和装置-CN201811438979.5在审
发明人：王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G11C29/26 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存芯片及其校准方法和装置，可利用闪存单元的可调权重等级对该闪存芯片中的工作阵列进行校准，具体可通过设置用于校准工作阵列的至少一个参考阵列，并且参考阵列中的闪存单元的数量大于或等于该闪存单元的可调权重等级N；参考阵列的N个闪存单元的初始权重值与闪存单元的N级可调权重一一对应，多余的闪存单元作为冗余单元备用；校准时，根据参考阵列中闪存单元的实时权重值、初始权重值校准工作阵列中闪存单元的实时权重值，以此实现工作阵列中闪存单元权重的离线更新校准，补偿了漏电现象对闪存单元权重的影响，能够提高存储数据的精度。
一种闪存芯片及其校准方法装置

[发明专利]闪存控制方法及装置-CN202210189605.4在审
发明人：廖火生 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种闪存控制方法及装置，该方法包括：在电子设备满足休眠条件的情况下，获得闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息，数据缓存信息表征第一闪存单元中缓存数据的情况，闪存模块包括第一闪存单元和第二闪存单元，第一闪存单元的数据写入速度比第二闪存单元的数据写入速度快；如果数据缓存信息满足第一条件，维持闪存模块处于非休眠状态，以使得闪存模块能够向第二闪存单元转移第一闪存单元内缓存的数据。本申请的方案可以在电子设备由休眠到唤醒后，减少由于第一闪存单元的可用空间较少而影响到向第一闪存单元中写入数据的写入性能的情况。
闪存控制方法装置

[发明专利]一种闪存及其制造方法-CN201911393976.9在审
发明人：胡洪;冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种闪存及其制造方法，闪存包括：多个闪存单元、多个位线单元和多条字线，闪存单元具有第一源漏区、第二源漏区和控制栅；一条字线与一行闪存单元中每个闪存单元的控制栅分别电连接，一列闪存单元与一个位线单元电连接，一个位线单元包括一条第一位线和一条第二位线；一列闪存单元，奇数位闪存单元的第一源漏区和偶数位闪存单元的第一源漏区均共同连接至对应位线单元的第一位线，奇数位闪存单元的第二源漏区和偶数位闪存单元的第二源漏区均共同连接至对应位线单元的第二位线，其中，一列闪存单元的第一源漏区注入形成第一位线，一列闪存单元的第二源漏区注入形成第二位线。本发明实施例中，缩小了闪存的面积。
一种闪存及其制造方法

[发明专利]平稳闪存写速度的方法、装置、存储介质和计算机设备-CN202110027038.8有效
发明人：李国强 -专利权人：深圳市德明利技术股份有限公司
申请日： 2021-01-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明揭示了一种平稳闪存写速度的方法、装置、存储介质和计算机设备，其中，所述方法包括：将第一闪存中的指定数据块设置为SLC模式，作为SLC缓冲块；获取单次写入第一闪存所需的数据传输时间和编程时间；根据数据传输时间和编程时间，计算闪存写数据所需的闪存单元的数量；将数量的闪存单元依次排序，从第一闪存单元起，按照预设顺序将数据写入各闪存单元，使得后一闪存单元的数据传输时间与前一存储单元的编程时间并行，监测到前面闪存单元有空闲时间后，及时切换到前面闪存单元开始后台数据整理操作，这样可以及时的释放前面闪存单元的SLC缓存块，就可以避免SLC缓冲块用完时，闪存单元无法写数据，导致闪存写速度突然掉速。
平稳闪存速度方法装置存储介质计算机设备

[实用新型]一种具有写保护功能的双系统平板电脑-CN201621432098.9有效
发明人：陈东辉;张正天 -专利权人：丹东瑞银科技有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有写保护功能的双系统平板电脑，包括动态随机内存存储单元、第一闪存单元、第二闪存单元、第三闪存单元、双系统切换系统、中央处理器和写保护开关，其中，动态随机内存存储单元、第一闪存单元、第二闪存单元和第三闪存单元均与中央处理器连接，双系统切换系统包括切换开关和与切换开关连接的上升沿D触发器，所述D触发器的Q端和Q非端分别与第一闪存单元和第二闪存单元连接，写保护开关与第二闪存单元连接，第一闪存单元内装载普通安卓系统，第二闪存单元内装载安保系统，第三闪存单元中存储安保系统的用户数据。
一种具有写保护功能双系统平板电脑

[发明专利]存储器系统、存储器阵列及其读和编程操作方法-CN201710340957.4有效
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种存储器系统、存储器阵列及其读和编程操作方法，存储器阵列包括呈阵列排布的闪存单元；每一闪存单元包括N个分栅闪存单元，每一分栅闪存单元具有源极、漏极、字线栅、第一和第二控制栅；N个分栅闪存单元的第一控制栅均连接第一控制栅线，N个分栅闪存单元的第二控制栅均连接第二控制栅线，N个分栅闪存单元的字线栅均连接字线；N个分栅闪存单元中的第i个分栅闪存单元的漏极经由接触孔连接第i位线，第i个分栅闪存单元的源极经由接触孔连接第i+1位线，第j个分栅闪存单元的源极经由接触孔连接第j位线，第j个分栅闪存单元的漏极经由接触孔连接第j+1位线；N≥3且为正整数，i为奇数，j为偶数。
存储器系统阵列及其编程操作方法

[发明专利]闪存芯片及其编程方法和测试方法-CN202211017547.3在审
发明人：王春明;伍峰;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存芯片及其编程方法和测试方法。闪存芯片包括控制器和与控制器电连接的闪存阵列，闪存阵列中多个闪存单元阵列排布；闪存芯片还包括：多条控制栅线，每条控制栅线连接一行闪存单元的第一端；多条擦除栅线，每条擦除栅线连接一列闪存单元的第二端；多条选择栅线，每条选择栅线连接一行闪存单元的第三端；控制器用于通过选择栅线向第i行闪存单元提供选择电压，以及通过擦除栅线向第j列闪存单元提供选中电压选中位于第i行第j列的待编程闪存单元时，通过控制栅线向第p行闪存单元提供预设电压本发明实施例的技术方案可以减小对已编程的闪存单元产生干扰，提高了编程数据精度。
闪存芯片及其编程方法测试

[实用新型]一种双系统平板电脑-CN201621423845.2有效
发明人：张正天;陈东辉 -专利权人：丹东瑞银科技有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双系统平板电脑，包括动态随机内存存储单元、第一闪存单元、第二闪存单元、第三闪存单元、双系统切换系统、中央处理器、分控单元和电源管理系统，其中，第一闪存单元内装载普通安卓系统，第二闪存单元内装载安保系统，第一闪存单元和第二闪存单元通过多路复用器与中央处理器连接，第三闪存单元通过分控单元和集线器与中央处理器连接，动态随机内存存储单元和电源管理系统分别与中央处理器连接，双系统切换系统包括切换开关和与切换开关连接的上升沿D触发器，所述D触发器的Q端和Q非端分别与第一闪存单元和第二闪存单元连接。
一种双系统平板电脑

[发明专利]固态存储设备的垃圾回收方法及装置-CN201610761417.9在审
发明人：席爱民 -专利权人：深圳市先天海量信息技术有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种固态存储设备的垃圾回收方法及装置，该方法包括将固态存储设备的各闪存通道所对应的闪存单元划分为第一闪存单元簇和第二闪存单元簇，其中第一闪存单元簇被优先选用进行读写操作；当第一触发条件满足时，对第一闪存单元簇进行垃圾回收操作，同时选用第二闪存单元簇进行新数据的写操作；当第一闪存单元簇完成垃圾回收操作时，选用第一闪存单元簇进行新数据的写操作；当第二触发条件满足时，对第二闪存单元簇进行垃圾回收操作采用本发明方案，可使垃圾回收操作和新数据的写操作分别在不同的闪存单元簇上进行，并可提前垃圾回收，减少垃圾回收的开销，有效降低垃圾回收带来的读写性能损失。
固态存储设备垃圾回收方法装置

[发明专利]一种存储器阵列及其读、编程和擦除操作方法-CN201710306183.3有效
发明人：胡剑 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种存储器阵列及其读、编程和擦除操作方法，存储器阵列包括多个呈阵列排布的闪存单元，每一闪存单元包括第一和第二分栅闪存单元；第一分栅闪存单元的第一控制栅连接第二分栅闪存单元的第一控制栅并连接第一控制栅线，第一分栅闪存单元的第二控制栅连接第二分栅闪存单元的第二控制栅并连接第二控制栅线；第一分栅闪存单元的字线栅连接第二分栅闪存单元的字线栅并连接字线；第一分栅闪存单元的源极和漏极分别经由接触孔连接第一和第二位线，第二分栅闪存单元的漏极和源极分别经由接触孔连接第二和第三位线。
一种存储器阵列及其编程擦除操作方法

[发明专利]存储器阵列及其读、编程、擦除操作方法-CN201610788897.8有效
发明人：彭家旭;倪昊;汤天申;周耀 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储器阵列及其读、编程、擦除操作方法，存储器阵列包括多个存储列，每一存储列包括多个闪存单元；多个存储列划分成至少两个块，相邻块之间至少设置一源下拉列；源下拉列包括多个闪存单元；源下拉列中每一闪存单元的选择栅和多个存储列中与其处于同一行的闪存单元耦接至同一字线；源下拉列中每一闪存单元的控制栅和多个存储列中与其处于同一行的闪存单元耦接至同一控制栅线；源下拉列中每一闪存单元的擦除栅和多个存储列中与其处于同一行的闪存单元耦接至同一擦除栅线；源下拉列中每一闪存单元的源极耦接至多个存储列中与其处于同一行的闪存单元的源极；源下拉列中的每一闪存单元的漏极接收下拉控制信号。
存储器阵列及其编程擦除操作方法

[发明专利]具有3D NAND的矢量矩阵乘法-CN202010205634.6在审
发明人： F·纳迪;G·J·海明克;W·H·崔 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：该装置包括串联的NAND闪存单元列，其中每个NAND闪存单元包括控制栅极；位线，该位线连接到NAND闪存单元列，其中从NAND闪存单元汲取的电流流向位线；积分器，该积分器连接到位线；以及控制器，控制器具有编程指令以通过设置每个NAND闪存单元的控制栅极的电压来控制NAND闪存单元列。
具有 nand 矢量矩阵乘法

[实用新型]一种具有声音提示功能的双系统平板电脑-CN201621423841.4有效
发明人：张正天;陈东辉 -专利权人：丹东瑞银科技有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有声音提示功能的双系统平板电脑，包括动态随机内存存储单元、第一闪存单元、第二闪存单元、第三闪存单元、双系统切换系统、中央处理器、分控单元、电源管理系统和蜂鸣器，其中，第一闪存单元和第二闪存单元、第三闪存单元、动态随机内存存储单元和电源管理系统分别与中央处理器连接，蜂鸣器连接于双系统切换系统和第二闪存单元之间，双系统切换系统包括切换开关和上升沿D触发器，所述D触发器的Q端和Q非端分别与第一闪存单元和第二闪存单元连接
一种具有声音提示功能双系统平板电脑

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