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- [发明专利]键合技术的键合能测试方法-CN202111314371.3在审
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余汇宇;刘武
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长江存储科技有限责任公司
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2021-11-08
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2022-03-29
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G01N3/08
- 本申请实施例公开了键合技术的键合能测试方法，包括如下步骤：提供键合样品，键合样品包括互相键合的第一键合部以及第二键合部，第一键合部包括相背的第一表面和第二表面，第二键合部位于第二表面的中部；对键合样品施加压力：在第一表面向第一键合部施加第一压力；同时，在第二表面或者在第一键合部的周侧面向第一键合部施加多个第二压力；记录第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时，对应的第一压力与第二压力；根据裂纹的长度、第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时对应的第一压力以及第二压力，计算键合能；通过控制第一压力与第二压力的大小可以降低键合样品破碎的风险，进而为晶圆的质量提供可靠保障。
- 技术键合能测试方法
- [发明专利]键合头、键合设备和键合方法-CN202010130971.3有效
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郭耸;朱鸷
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上海微电子装备(集团)股份有限公司
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2020-02-28
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2023-05-30
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H01L21/67
- 本发明公开了一种键合头、键合设备和键合方法。该键合头包括至少一个键合头组件；键合头组件包括压头、加压电极和压力检测单元，压头包括压电材料，压头用于压合芯片，加压电极与压头连接，加压电极用于为压头提供交流电压，以使压头在压合方向上产生变形，压力检测单元用于在芯片键合时检测压头对芯片的压力通过调节加压电极为压头提供交流电压的大小可以调节压头压合芯片的压力，并通过压力检测单元检测压头对芯片的压力，从而可以降低键合头的成本，减小了键合头的质量和体积，有利于提高键合设备的产率和键合精度。而且，键合头组件的体积减小，可以有利于实现多个芯片的批量键合，提高键合设备的键合效率。
- 键合头设备方法
- [实用新型]一种压阻式压力芯片-CN202321376145.2有效
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宫凯勋;胡宗达;张坤;李宁;张林
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成都凯天电子股份有限公司
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2023-05-31
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2023-09-19
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G01L9/06
- 本实用新型公开了一种压阻式压力芯片，其包括衬底和键合片，衬底上开设有减薄槽，位于减薄槽处的衬底的薄层部分作为压力敏感部，压力敏感部的表面掺杂有若干压敏电阻，键合片与衬底相键合，且键合片的键合面上设置有活动槽，活动槽、衬底和压力敏感部共同构成密封压敏电阻的活动腔室，衬底和键合片之间设置有若干插针，若干插针与若干压敏电阻电连接；本方案通过衬底与键合片的键合形成压力芯片，通过延长压力芯片长度和宽度方向上的尺寸，使插针从压力芯片的侧面方向引出，使得衬底与键合片本身可设置成较薄的厚度，同时还能对压力芯片的上、下表面进行减薄处理，以达到减小压力芯片厚度尺寸的目的。
- 一种压阻式压力芯片
- [发明专利]转移设备-CN201910466564.7在审
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姚志博;夏继业;李之升;曹轩
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云谷（固安）科技有限公司
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2019-05-31
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2020-12-01
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H01L21/67
- 本发明提供一种转移设备，转移设备包括：临时基板，临时基板设置有多个通孔；键合胶层，键合胶层设置在临时基板的表面，且键合胶层覆盖多个通孔，键合胶层用于接收LED芯片，以使LED芯片与通孔一一对应；压力装置，压力装置与多个通孔连接，压力装置用于增大或减小通孔中的流体介质的压力，以使覆盖通孔的部分键合胶层在流体介质的压力的作用下产生形变。本发明的转移设备通过压力装置可以使得覆盖在通孔外的键合胶层在流体介质的压力作用下上下起伏，从而降低LED键合胶层之间粘附能力，方便拾取设备拾取并转移LED。
- 转移设备
- [发明专利]一种低翘曲度键合片的键合方法-CN202211314579.X在审
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郑洪仿;旷明胜;陈慧秋
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佛山市国星半导体技术有限公司
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2022-10-25
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2023-01-17
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H01L33/62
- 本发明公开了一种低翘曲度键合片的键合方法，涉及半导体制造领域，包括以下步骤：在外延层、硅衬底的预键合面形成第一、第二键合材料，对准后置入具有弧面的石墨盘中进行键合；使其升温至第一温度并对其施加第一压力，保持第一时间以使键合材料熔化融合；使温度从第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时将压力从第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间。本发明的方法通过使用具有弧面的石墨盘进行键合，而且控制温度与压力阶段性同时降低且每阶段保持一定时间，能减小键合结构中的应力，降低键合结构的翘曲度，获得具有低翘曲度的键合片。
- 一种曲度键合片方法
- [发明专利]一种超声键合压力的识别方法-CN201410053685.6有效
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冯武卫;李鹏鹏
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浙江海洋学院
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2014-02-17
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2017-05-10
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G01L5/00
- 一种超声键合压力的识别方法，属于超声键合技术领域，键合压力的增加，超声电压包络幅值逐步增大，而电流包络幅值逐步减小，根据其相互变化建立公式评估键合压力；键合压力的变化从0.2N到0.7N依次增加，间隔为一共安排了6组实验，其它3个工艺参数固定为键合时间15ms，超声功率25mW，加载温度200℃。F=λFnΣi=1nxi/yi]]>式中F——键合压力评估值；n——数据长度；xi，yi——超声电压信号和电流信号，i=1,2,…,n；λF——调整系数。实验时每组实验对应一个压力点，每组实验分别测量10个样本，通过多组数据的计算，取其平均值，得到均值λF，最后就可以得到计算超声键合压力的计算公式值了。
- 一种超声键合压力识别方法
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