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[发明专利]一种湿法炼锌无机锗渣制备四氯化锗的方法-CN202211194657.7在审
发明人：邓志敢;魏昶;保雪凡;李兴彬;李旻廷;樊刚 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C01G17/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种湿法炼锌无机锗渣制备四氯化锗的方法，属于湿法冶金技术领域。具体方法为：采用盐酸对湿法炼锌无机锗渣进行浸出，锌进入溶液，铁硅砷进入浸出渣，锗以气态四氯化锗形式与水蒸汽形成混合蒸汽一起挥发；混合蒸汽通过冷凝回流装置，使水蒸汽冷凝回流，获得含少量水份的气态四氯化锗；将含少量水份的气态四氯化锗通过汽水分离器干燥脱水，获得纯净的气态四氯化锗，将纯净的气态四氯化锗冷凝，获得四氯化锗；本发明利用湿法高温压力浸出分离提取湿法炼锌无机锗渣中锗，同步实现锗的挥发、锌的浸出，并将铁硅砷转化形成稳定的无害化渣，挥发的四氯化锗蒸汽直接冷凝为四氯化锗，工艺简单、流程短。
一种湿法无机制备氯化方法

[发明专利]一种从含锗浸出液中制备高品位锗精矿的方法-CN201810417731.4有效
发明人：杨大锦;李衍林;张候文;杨伟;代龙果 -专利权人：云南驰宏锌锗股份有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C22B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种从含锗浸出液中制备高品位锗精矿的方法，属于湿法冶金技术领域，具体步骤为：将含锗浸出液pH值调至2.0~3.5，在50~70℃温度条件下，加入酸度为5.0~10.0g/L的单宁酸溶液，搅拌15~20min，过滤得到1号单宁锗渣；采用硫酸溶液对所述的1号单宁锗渣进行2~4段逆流洗涤，过滤得到2号单宁锗渣；将所述的2号单宁锗渣在80~100℃温度条件下，干燥4~8h，得到3号单宁锗渣；将所述的3号单宁锗渣在450~600℃温度条件下，焙烧3～5h，制得黑色的锗精矿。本发明方法可制得高品位的锗精矿，锗的回收率85.0%以上，锗精矿含锗>35.0%、含砷<1.0%；本发明方法优化了传统的工艺过程，流程简单，锗回收率高，易于操作，便于工业化生产。
单宁锗渣锗精矿温度条件浸出液品位制备回收率过滤焙烧单宁酸溶液工艺过程硫酸溶液逆流洗涤湿法冶金传统的酸度优化

[发明专利]一种高效回收锗的方法-CN201410839448.2在审
发明人：侯建琼;郭远贵;廖谨鹏;李桥;谌新彪 -专利权人：郴州丰越环保科技有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效回收锗的方法，具体是从一种含镓、锗、锌、铜等有价金属的锗渣中高效回收锗，还可以对物料中的镓、铜、锌也能够进行综合回收。本发明是对锗渣首先通过利用锌电解废液两次酸浸，将铜、锌、镓及部分锗浸出，并分别回收其中的铜、镓、锗，溶液返回锌系统；二次酸浸渣再用两次碱浸，将剩余大部分锗浸出，利用硫酸镁将碱浸液中的锗沉淀为锗酸镁，蒸馏生产二氧化锗本发明回收率高，锗的浸出率达到98%以上，综合回收率95%以上；不需使用昂贵的栲胶，降低了锗的生产成本；酸浸渣中的锗用碱浸出，无需烟化回收酸浸渣中的锗，简化了锗的生产工艺；利用锌电解废液浸出，置换渣中的锌直接回锌系统
一种高效回收方法

[发明专利]含锗烟尘中提取锗的方法-CN201510252842.0有效
发明人：孙玉壮;张海岛;林明月;骈炜;金瞰昆;石志祥;孟志强 -专利权人：河北工程大学
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C22B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种含锗烟尘中提取锗的方法，属于化学冶金的技术领域。本发明的方法以褐煤干馏得到的锗含量为8.0~30.0wt%的含锗烟尘为原料进行提取，所述方法包括对含锗烟尘进行浸出蒸馏；对得到的含四氯化锗的气体进行冷却得到粗四氯化锗溶液；对粗四氯化锗液进行第一次萃取；将第一次萃取得到的四氯化锗溶液利用分离柱进行过滤；将得到的四氯化锗溶液进行第二次萃取并得到精制四氯化锗溶液；将得到的精制四氯化锗溶液水解成二氧化锗并还原为锗。本发明的工艺过程易于控制、可操作性强，且锗回收率稳定，而且成本相对于连续蒸馏或连续萃取工艺显著降低，锗的纯度可以达到99.999%以上，电阻率为15Ωcm以上。
烟尘提取方法

[发明专利]张应变锗MSM光电探测器及其制作方法-CN201410217764.6有效
发明人：狄增峰;母志强;郭庆磊;叶林;陈达;张苗;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种张应变锗光电探测器及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上依次形成牺牲层及锗层；S2：在所述锗层上形成一金属层，所述金属层对所述锗层提供应力；S3：将所述金属层图形化，形成一对金属主基座及一对金属次基座；S4：将所述锗层图形化以在所述金属主基座及金属次基座下分别形成锗主基座及锗次基座，并在每一对锗次基座之间形成至少一条锗桥线；S5：腐蚀掉所述锗桥线下方及所述锗次基座下方的牺牲层，以使所述锗桥线及所述锗次基座悬空，该悬空的锗次基座在所述金属层的应力作用下卷曲使所述锗桥线拉伸，得到张应变锗MSM光电探测器。
应变 msm 光电探测器及其制作方法

[发明专利]从含锗含氟腐蚀液中回收锗的工艺方法-CN201710131082.7有效
发明人：普世坤;朱知国;窦辉;李璇;薛丹;吴王昌;李正美;滕文;谢高;杨再磊 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南东昌金属加工有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：从含锗含氟腐蚀液中回收锗的工艺方法，涉及湿法冶金技术领域，具体为一种从含锗含氟腐蚀液中采用硼酸沉锗除氟、二氧化硅除氟的方法来回收锗的工艺方法。本发明的从含锗含氟腐蚀液中回收锗的工艺方法，其特征在于该工艺方法同时采用加入硼酸和二氧化硅，加热挥发，除去氟并沉淀富集锗来回收锗金属。本发明除氟率可达78%以上，最终转入氯化蒸馏步骤中的含锗渣和残液中含氟小于0.05%，沉淀得到锗渣品位可达25%以上，其中转入氯化蒸馏前锗回收率可达到95%以上，而整个除氟过程中锗金属的损失率小于1.2%；其中除氟后的部分上清废液实行循环回收二次沉锗处理。在进行含锗渣和残液的氯化蒸馏中，锗的蒸出率可达到98%以上，能满足生产工艺要求。
含锗含氟腐蚀回收工艺方法

[实用新型]一种制备电子级锗烷联产电子级四氟锗烷的装置-CN202023086030.9有效
发明人：蔡江;曾宪友 -专利权人：天津中科拓新科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C01B6/06 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种制备电子级锗烷联产电子级四氟锗烷的装置；包括锗烷反应器R101、锗烷脱轻塔T101、T101再沸器E101、锗烷精制塔T102、T102冷凝器E102、换热器E103、四氟锗烷反应器R201、四氟锗烷脱轻塔T201、T201冷凝器E201、T201再沸器E202、四氟锗烷精制塔T202、T202冷凝器E203、T202再沸器E204。本实用新型以二氧化锗和硼氢化钠为原料，在酸性环境中反应制备粗锗烷，锗的转化率≥95％；粗锗烷通过低温双效精馏工艺精制得到纯度≥99.999％的锗烷和粗品乙锗烷，粗品乙锗烷进一步与氟气反应制备四氟锗烷，然后精制得到纯度≥99.999％四氟锗烷。
一种制备电子级锗烷联产级四氟锗烷装置

[发明专利]一种二甲基锗烷的制备方法及装置-CN202110490716.4在审
发明人：徐建;朱刘;陈振宇;蔡云雷;李贤奎 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C07F7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二甲基锗烷的制备方法及装置，二甲基锗烷的制备方法，包括：步骤S1：分别向密闭反应釜内注入溶剂、二甲基二氯化锗及还原剂，二甲基二氯化锗与还原剂反应生成二甲基锗烷；步骤S2：冷却气态二甲基锗烷及挥发的部分气态溶剂，将冷凝生成的液态溶剂回流至密闭反应釜内；步骤S3：精馏气态二甲基锗烷；步骤S4：吸附气态二甲基锗烷中的杂质；步骤S5：收集二甲基锗烷。本发明中，二甲基二氯化锗与还原剂在密闭反应釜内反应生成二甲基锗烷，经过精馏去除一部分混在二甲基锗烷中的溶剂，再吸附二甲基锗烷中的杂质，最后收集，作为制造芯片的锗源，二甲基锗烷相比现在使用的锗烷和四氟化锗性质更稳定，提高了锗源制造芯片的安全性。
一种甲基制备方法装置

[发明专利]嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法-CN201410654436.2在审
发明人：谭俊;周海锋;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法，包括在所述锗硅外延的反应过程中，在锗硅薄膜生长的一定厚度范围内，先适当降低锗浓度，再逐步提高所述锗浓度，形成一线性浓度梯度，直至超过平均锗浓度，最后保持所述锗浓度恒定而完成生长与传统技术相比，本发明减少了在嵌入式锗硅外延的生长过程中由于锗浓度的直接变化导致晶格失配而诱发的锗硅薄膜的位错缺陷，提高了锗硅的应力，改善了PMOS晶体管的电性。
嵌入式外延缺陷改善方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201510443534.6有效
发明人：邓浩;肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上交替形成多个硅层和锗层；执行固相外延再生长退火工艺以使所述硅层和锗层转变为硅锗层；形成被隔离结构分隔的多个硅锗鳍片本发明提出的半导体器件的制作方法，硅锗层中的锗浓度可根据需要通过控制硅层和锗层的厚度来实现，即，可以容易获得各种锗浓度的硅锗层，非常好控制硅锗鳍中的锗掺杂浓度。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]一种太阳能电池芯片及其制作方法-CN202011586812.0有效
发明人：杨文奕;张小宾;刘建庆;丁杰;丁亮 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池芯片及其制作方法，包括依次叠放的正面电极层、太阳能功能层、锗衬底以及背面电极层，背面电极层在锗衬底的边缘设置有上沿部，上沿部延伸至锗衬底的侧面并且包覆于锗衬底的侧面，利用上沿部包覆于锗衬底的侧面，从而可以减薄锗衬底的厚度，降低重量，由于背面电极层能够拟补因为减薄锗衬底的厚度而缺失的机械强度，并且能够对锗衬底形成保护，锗衬底不易与外界物品发生直接碰击，锗衬底不易磨损，减低了锗衬底破片率。
一种太阳能电池芯片及其制作方法

[发明专利]一种锗金属废料处理方法-CN201811386947.5在审
发明人：崔丁方;子光平;彭明清;缪彦美;王侃;何兴军;崔海燕;李恒方;陈知江;马正方;张虎;李俊仪;杨万峰 -专利权人：云南驰宏国际锗业有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种锗金属废料处理方法，该处理方法包括：(a)将锗金属废料烘干；(b)对烘干后的锗金属废料进行还原处理；(c)将还原处理的锗金属废料进行熔铸；(d)再将熔铸后的锗金属废料与氯气进行反应、冷凝回收得到四氯化锗。本发明处理方法能够提高锗金属的回收率，不会产生废液和废渣，并且无需对锗金属废料进行磨粉处理，操作简单，同时避免了粉末状锗金属废料会被氯气带出，以及杂质团包裹锗金属的现象。
金属废料氯气还原处理烘干熔铸金属冷凝回收四氯化锗废液磨粉回收率废渣

[发明专利]一种锗金属废料处理方法-CN201910544232.6在审
发明人：崔丁方;彭明清;余江游;符世继;陈知江;匡子登;杨金彩;缪彦美;韩帅民;杨超;张文泽熹;刘婉莉 -专利权人：云南驰宏国际锗业有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种锗金属废料处理方法，该处理方法包括：(a)将锗金属废料烘干；(b)对烘干后的锗金属废料进行还原处理；(c)将还原处理的锗金属废料进行熔铸；(d)再将熔铸后的锗金属废料与氯气进行反应、冷凝回收得到四氯化锗。本发明处理方法能够提高锗金属的回收率，不会产生废液和废渣，并且无需对锗金属废料进行磨粉处理，操作简单，同时避免了粉末状锗金属废料会被氯气带出，以及杂质团包裹锗金属的现象。
金属废料氯气还原处理烘干熔铸金属冷凝回收四氯化锗废液磨粉回收率废渣

[发明专利]一种从低浓度含锗溶液中富集锗的方法-CN201310511310.5有效
发明人：李玉虎;张登凯;徐毅;张伟;胡东风;曾理 -专利权人：深圳市中金岭南有色金属股份有限公司丹霞冶炼厂
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从低浓度含锗溶液中富集锗的方法，特别适用于中性和酸性的复杂多成分的低浓度含锗溶液，通过向Ge含量小于30mg/L的含锗溶液中添加硅试剂，生成硅胶，利用锗具有“亲硅”的性质，使得溶液中的91%以上的锗被硅胶吸附富集，然后通过过滤反应溶液，得到含锗2%以上的锗精矿。本发明工艺过程简单，成本低，且锗与其它金属离子分离效果好，锗富集比高，适用于工业化应用。
一种浓度溶液富集方法

[发明专利]氟化焙烧法提取低品位锗精矿中锗的方法-CN201610388498.2有效
发明人：普世昆;朱知国;杨再磊;谢高;王丽芳;吴王昌;胡茂江;李正美;李璇 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南东昌金属加工有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：氟化焙烧法提取低品位锗精矿中锗的方法，涉及一种将低品位难处理锗精矿经氟化物焙烧预处理后进行氯化蒸馏提取锗的工艺。本发明的方法包括氟化焙烧以及盐酸蒸馏、氢氧化钠提起锗的过程。本发明工艺简单、流程简短、安全环保，对设备无腐蚀，锗提取回收率可达95.6%以上，提锗酸渣采用本工艺进行二次提取锗的回收率达到91.5%以上，二次提锗酸渣中的锗品位降至0.01%以下。 1
低品位锗精矿氟化焙烧法酸渣回收率焙烧焙烧预处理安全环保二次提取氯化蒸馏氢氧化钠蒸馏对设备氟化物无腐蚀锗提取盐酸品位

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