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[发明专利]一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备方法-CN202210484996.2在审
发明人：陶立;赵晗柳;朱蓓蓓;赵成栋;刘安晗;朱正瑞;常博 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备方法，所述制备方法为：对密闭管式炉抽真空后，以惰性气体作为载气，在所需压强下将二维锑化铋在低于其熔点的温度下进行退火处理。本发明制备方法能够制得厚度在20nm以下仍具有大温差电动势(塞贝克系数绝对值大于25μV/K)的二维锑化铋，从而实现20nm以下二维锑化铋在便携场景中的应用；本发明通过退火诱导二维锑化铋升华并留下微孔，通过微孔降低低能量载流子浓度，减少低能量载流子对塞贝克系数的负面贡献，从而提高二维锑化铋塞贝克系数的绝对值；并且本发明方法能够通过氩气的流量来控制锑化铋薄膜上微孔的尺寸和数量，从而实现对锑化铋薄膜塞贝克系数的调控
一种具有温差电动势二维锑化铋制备方法

[发明专利]以银为基材的硫化铋或硫化锑固体硫离子电极及制备方法-CN201310411433.1有效
发明人：叶瑛;黄元凤;贾健君;殷天雅;秦华伟;张斌;潘依雯;陈雪刚;夏枚生 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G01N27/333 文献下载
摘要：本发明公开了一种以银为基材的硫化铋或硫化锑固体硫离子电极及制备方法。它包括包括银丝、硫化铋或硫化锑、阳离子屏蔽膜、热缩管，银丝下部表面原位电镀一层硫化铋或硫化锑，在硫化铋或硫化锑的外表面又包覆一层阳离子屏蔽膜，银丝的中部和阳离子屏蔽膜的上部包覆有热缩管。
基材硫化硫化锑固体离子电极制备方法

[发明专利]一种脱除粗质氧化铋中微量氧化锑的方法-CN201910962172.X有效
发明人：卢伟红;孙俊彬;陈满生;谢鑫;方中海 -专利权人：衡阳师范学院
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种脱除粗质氧化铋中微量氧化锑的方法，该方法是将粗质氧化铋与水或稀碱溶液反应后，过滤，水洗，即得除杂氧化铋，该方法避免了现有技术中粗质氧化铋需返回铋精炼流程的技术问题，成功实现了氧化铋的提纯
一种脱除氧化微量方法

[发明专利]一种浆料的配方及其制作工艺-CN201610447089.5在审
发明人：钱致宇 -专利权人：江苏曜彰体育用品有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种浆料的配方，其特征在于：包括氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化铬和氧化锑，所述氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化铬和氧化锑的质量百分数分别为：氧化硅15.5%‑18.5%、氧化锌32.5%‑38%、氧化铋20%‑25%、氧化铬8%‑14%、氧化锑14%‑17.5%；本发明的优点在于：本发明通过合理的调配各个配料的百分比含量，制得的浆料具有均匀度高、流动性好并能大大提高电阻片的电流耐受水平的特点。
一种浆料配方及其制作工艺

[发明专利]一种浆料的配方及其制作工艺-CN201510545272.4在审
发明人：卢兵 -专利权人：南通市跃达针织服饰有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种浆料的配方，其特征在于包括氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化铬和氧化锑，所述氧化硅、氧化锌、氧化铋、氧化铬和氧化锑的质量百分数分别为氧化硅15.5%-18.5%、氧化锌32.5%-38%、氧化铋20%-25%、氧化铬8%-14%、氧化锑14%-17.5%；本发明的优点在于本发明通过合理的调配各个配料的百分比含量，制得的浆料具有均匀度高、流动性好并能大大提高电阻片的电流耐受水平的特点。
一种浆料配方及其制作工艺

[发明专利]一种高性能避雷器阀片焙烧用球形垫料及其制备工艺-CN202010576370.5有效
发明人：吕宏;王利民;侯冰;朱永军;刘杰峰;杨玉娟;李晓萌;李冠雄;陈琦;庄鹏飞;李志刚;刘雨萌;颜世亮 -专利权人：抚顺电瓷制造有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能避雷器阀片焙烧用球形垫料及其制备工艺，该垫料包括如下组份及重量百分比：氧化铋5％～10％、氧化锑1％～5％、高性能避雷器阀片造粒微粉85％～94％；该制备工艺包括如下步骤：按配方比例配料该球形垫料以氧化铋、氧化锑、高性能避雷器阀片造粒微粉为配方主体，严格控制氧化铋、氧化锑含量，采用成球盘成球技术成型、焙烧而成，用于高性能避雷器阀片焙烧使用，为高性能避雷器阀片达到优越性能提供了保证。
一种性能避雷器焙烧球形料及制备工艺

[发明专利]一种近黑色调光器件及其制备方法-CN202310646168.9有效
发明人：谷小虎;邱运昌;陆健健 -专利权人：合肥精卓光电有限责任公司;安徽精卓光显技术有限责任公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02F1/137 文献下载
摘要：本发明公开了一种近黑色调光器件及其制备方法，属于调光器件领域，调光器件包括：第一透明基层，以及与所述第一透明基层相对设置的第二透明基层，其中，所述第一透明基层与第二透明基层之间设置有锑基纳米粒子与染色分子，且染色分子包括聚合型大分子染料、蒽醌类染料、偶氮类染料中的一种或多种，所述第一透明基层与第二透明基层以及锑基纳米粒子、染色分子形成PDSC光阀器件，该PDSC光阀器件通电后透过率为20%，所述锑基纳米粒子的材质包括硫化铋锑、硒化铋锑、碲化铋锑中的一种或多种。
一种黑色调光器件及其制备方法

[发明专利]一种近黑色调光器件及其制备方法-CN202310646167.4有效
发明人：谷小虎;邱运昌;陆健健 -专利权人：合肥精卓光电有限责任公司;安徽精卓光显技术有限责任公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02F1/137 文献下载
摘要：本发明公开了一种近黑色调光器件及其制备方法，属于调光器件领域，调光器件包括：第一透明基层，以及与所述第一透明基层相对设置的第二透明基层，其中，所述第一透明基层与第二透明基层之间设有聚合物基质以及分散在聚合物基质中的微液滴，且微液滴中设有锑基纳米粒子，所述聚合物基质中设有染色分子，且染色分子包括聚合型大分子染料、蒽醌类染料、偶氮类染料中的一种或多种，所述锑基纳米粒子的材质包括硫化铋锑、硒化铋锑、碲化铋锑中的一种或多种。
一种黑色调光器件及其制备方法

[发明专利]一种碲化铋基热电元件及其制备方法-CN201110295849.2无效
发明人：陈立东;李菲;黄向阳;柏胜强;吴汀;江莞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化铋基热电元件及其制备方法。所述的碲化铋基热电元件包括电极层、阻挡层和碲化铋基热电层，且阻挡层位于电极层和碲化铋基热电层之间；所述的阻挡层材料为金属锑或金属锑与其它金属的合金。所述的热电元件的制备包括如下步骤：分别称取碲化铋基热电层材料、阻挡层材料及电极层材料；按照碲化铋基热电层材料、阻挡层材料、电极层材料的顺序依次装入石墨模具中；在真空中进行热压烧结。本发明提供的碲化铋基热电元件中各界面间结合良好，界面处未见有裂纹和明显的扩散现象存在，且界面电阻低，能够经受长时间的热疲劳试验。
一种碲化铋基热电元件及其制备方法

[发明专利]基于热电效应的自供电温度传感器及制备方法和应用-CN202111583294.1在审
发明人：王亚玲;谭明;刘小标;张梦娇;王静;贾树恒;李辉;李聪 -专利权人：河南农业大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于热电效应的自供电温度传感器及制备方法和应用，旨在提供一种基于高性能碲化铋基薄膜热电材料的、灵敏度高、灵活性强的温度传感器及制备方法，以及在监测温室大棚土壤温度方面的应用。该温度传感器包括热电模块，所述热电模块包括基底板，基底板上有成散射状分布的N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜，N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜间隔设置，N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜通过薄膜电极串联起来集成多对
基于热电效应供电温度传感器制备方法应用

[发明专利]三维超薄碳负载锑铋纳米材料及其制备方法-CN202310817733.3在审
发明人：秦戬;李喜飞;林庆欣;李晓康;洪妍;金美晨;董锦娟 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了三维超薄碳负载锑铋纳米材料，由氯化钠、醋酸锑、氯化铋和柠檬酸铵组成，氯化钠2000～3000份、醋酸锑95～474份、氯化铋100份和柠檬酸铵100～500份；本发明还公开了上述材料的制备方法：按份数称取各组分；将称好的各组分溶解于去离子水中得到混合溶液，然后干燥得到前驱体粉末，将粉末平铺于瓷舟，至于管式炉中煅烧，将煅烧产物洗涤抽滤后烘干，得到三维超薄碳负载锑铋纳米材料。本发明三维超薄碳负载锑铋纳米材料，结构均一、形貌优良、性能优异，用于钠/钾离子电池负极具有较高的放电比容量与优异的循环性能。
三维超薄负载纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种便携式充电电源系统-CN201810569129.2在审
发明人：马伟;张丽娜;潘红九;白光辉;齐征;张云昊;尘军;周禹;王振峰;曹占伟;吴宗霖;刘波;盛江;石蕊;许大帅 -专利权人：北京临近空间飞行器系统工程研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种便携式充电电源系统，包括杯身和杯盖，杯身和杯盖可拆卸连接，杯盖具有由杯盖外壳体构成的凹腔，锑化铋热电发电模块和稳压模块均由密封垫密封于所述凹腔内，锑化铋热电发电模块与稳压模块通过两根导线相连工作时，打开杯盖，将热流体注入杯身，盖紧杯盖后将其倒置，让热流体接触到杯盖的密封垫，热量从密封垫传递至锑化铋热电发电模块，产生电量，电量经稳压模块稳压后经USB电源输出口向外供电。
杯盖稳压模块便携式充电电源热电发电模块密封垫锑化杯盖外壳两根导线热流体凹腔杯身电量可拆卸连接倒置长寿命输出口注入杯稳压密封充电供电传递安全

[发明专利]一种碲化铋和/或碲化锑基热电薄膜材料及其制备方法-CN201710866625.X在审
发明人：郭志军;黄国伟;涂建军;王雷 -专利权人：苏州鸿凌达电子科技有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提出一种N型碲化铋和/或P型碲化锑基热电薄膜材料及其制备方法。采用本发明的制备方法制备出来的N型碲化铋和/或P型碲化锑基热电薄膜材料，不但可以使得厚度降到1mm以下，同时还能保持很高的折弯次数，便于在便携产品上使用，使得热电薄膜产品在厚度和性能上产生了根本性的改变
一种碲化铋碲化锑基热电薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种采用Se优化高纯碲化铋掺锑热电材料的制备方法-CN202310891426.X在审
发明人：白志玲;籍永华;秦丙克;赵丹;雷以柱 -专利权人：六盘水师范学院
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用Se优化高纯碲化铋掺锑热电材料的制备方法，涉及热电材料领域，包括以下步骤：步骤1：获取4N级的碲粉、锑粉、铋粉和硒粉，按Bi0.5Sb3‑xSex中的质量百分比为x，x的范围为0.01‑0.13％；步骤2：将配比好的碲粉、锑粉、铋粉和硒粉投入真空球磨设备中形成混合物，放置混合物体积600％的磨球，并添加混合物体积80％的无水乙醇，抽真空后进行球磨，制得研磨体系；通过以硒和锑联合掺杂在碲化铋化合物体系中的方式，优化了原有碲化铋体系
一种采用 se 优化高纯碲化铋掺锑热电材料制备方法

[发明专利]氧化锌系压电陶瓷组合物及其制造方法-CN96107345.4无效
发明人：伊贺笃志;沖中秀行;伊藤昌宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-03-06 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：一种氧化锌系压电陶瓷组合物及其制法，该陶瓷组合物包括主要成分氧化锌100重量份、至少由氧化铋、氧化钛和氧化锑的混合粉，经热处理调制的合成粉末0.2～20重量份、以及氧化钴和/或氧化锰的粉末0.1～5.0其制法包括将氧化铋、氧化钛和氧化锑的混合物进行热处理、调制成合成粉末的工序；将此合成粉末添加至含有氧化锌为主成分，以及氧化钴和/或氧化锰的原料粉末的工序；以及煅烧工序。
氧化锌压电陶瓷组合及其制造方法

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