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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

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E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种磁电复合薄膜及其制备方法-CN201510654518.1有效
发明人：董显林;肖玲;陈莹;王根水;刘振 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁电复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜为层状结构，包括锆钛锡酸铅反铁电陶瓷衬底以及沉积在所述衬底上的镧锶锰氧薄膜；所述锆钛锡酸铅的化学结构式为：Pb_0.97La_0.02(Zr_0.58Sn_xTi_0.42‑x)O₃，其中0.3镧锶锰氧的化学结构式为
一种磁电复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种氧化钛纳米线阵列/锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料及其制备方法-CN201910945865.8有效
发明人：王根水;蔡恒辉;闫世光;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化钛纳米线阵列/锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料及其制备方法，所述氧化钛纳米线阵列/锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料包括：形成在基底表面的氧化钛纳米线阵列和用于覆盖和填充所述氧化钛纳米线阵列的锆酸镧铅薄膜；所述锆酸镧铅薄膜的化学组成为Pb1‑3x/2La
一种氧化纳米阵列锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料及其制备方法

[发明专利]透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法-CN200610096236.5无效
发明人：陈峰;吴文彬 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法，特征是利用脉冲激光沉积镀膜方法在透明导电薄膜镧锶锡氧薄膜上外延生长四方相锆钛酸铅铁电薄膜，然后在锆钛酸铅铁电薄膜上沉积镧锶锡氧薄膜；得到基底为透明单晶钛酸锶STO(SrTiO₃ (001))、铁电电介质层为四方相锆钛酸铅PZT(PbZr_xTi_1－xO₃)薄膜，其上电极和下电极为具有类钙钛矿结构的透明导电薄膜镧锶锡氧LSSO(La_xSr_1－xSnO₃，0.05≤x≤0.10)薄膜；生长的PZT铁电薄膜具有很好的外延单晶性；所得LSSO/PZT/LSSO/STO结构的外延铁电薄膜电容器，不仅具有很好的铁电回线，而且在400nm－2500nm范围内具有高透过率。
透明外延薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种高储能效率镧掺杂锆钛锡酸铅反铁电陶瓷及其制备方法-CN201510109369.0在审
发明人：王根水;刘振;陈学锋;董显林;曹菲 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能效率镧掺杂锆钛锡酸铅反铁电陶瓷及其制备方法，所述反铁电陶瓷的组成化学式为(Pb1-1.5xLax)(ZrySn0.9-yTi0.1)O3，其中，0.02≤x≤0.04，0.1≤y≤0.5本发明通过传统的电子陶瓷的制备工艺制备反铁电陶瓷材料，其具有电滞小，储能效率高的储能特性，对于开发循环充放电寿命长的高储能密度、高储能效率的高压脉冲功率电容器具有非常重要的意义。
一种高储能效率掺杂锆钛锡酸铅反铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铁酸钴与锆钛酸铅镧0-3复合多铁陶瓷的制备方法-CN201110437625.0有效
发明人：李坤;施东良;李政;朱尹;李金华;王雨;陈王丽华 -专利权人：常州大学
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明涉及铁电/铁磁复合材料，具体涉及一种铁酸钴与锆钛酸铅镧0-3复合多铁陶瓷的制备方法。其特征在于：用锆钛酸铅镧作为多铁陶瓷中的铁电相，用铁酸钴作为多铁陶瓷中的铁磁相，通过溶胶－凝胶工艺将氧化锆溶胶包覆于铁磁相铁酸钴表面，经热解形成二氧化锆包覆层，在锆钛酸铅镧中加入3-8%的LiBiO3作为低温烧结助剂进行低温烧结，然后将表面包覆有二氧化锆的铁酸钴与低温烧结后的锆钛酸铅镧按0.1-0.5：1的质量比进行混合，经造粒、压片、烧结制备成复合陶瓷。
一种铁酸钴锆钛酸铅镧复合陶瓷制备方法

[发明专利]锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法-CN201710229647.5有效
发明人：郝喜红;陈立明;李雍;孙宁宁;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法，用于制备锆酸铅基反铁电多层电容器的锆酸铅基反铁电材料的化学通式为(Pb_0.92‑xBa_0.05La锆酸铅基反铁电多层电容器，用掺杂了Dy的锆酸铅基反铁电材料制备的电容器，在外加电场的作用下，会随Dy含量的增加反铁电相越稳定，能够获得较大的反铁电到铁电转变电场(E_AFE‑FE)，E_AFE‑FE与铁电到反铁电转变电场的差值ΔE逐渐降低，提高了多层电容器的储能密度和储能效率。
锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法

[发明专利]一种提高反铁电膜材料负电卡制冷方法-CN201610535039.2在审
发明人：郝喜红;高洪成;李雍;孙宁宁;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明提出一种锆酸铅基反铁电材料和锆酸铅基反铁电薄膜的制备方法，所述锆酸铅基反铁电材料，其化学通式为Pb1‑xSrxZrO3，其中，x的取值范围：0＜x≤0.05。根据本发明实施例的锆酸铅基反铁电材料，包括化学通式为Pb1‑xSrxZrO3的材料，其中0＜x≤0.05，通过Sr的掺杂，能够提高负制冷值，提高制冷强度。在外加电场的作用下，Pb1‑xSrxZrO3反铁电薄膜随Sr含量的增加反铁电相越稳定，能够获得较大的反铁电到铁电转变电场(EAFE‑FE)，从而有利于负制冷的增加和制冷强度的提高。
一种提高反铁电膜材料负电制冷方法

[发明专利]一种掺锶锆钛锡酸镧铅弛豫性反铁电厚膜陶瓷及其制备方法和应用-CN202010250574.X在审
发明人：鲁圣国;赵鹏飞;王世斌;姚丽丽 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明属于电介质材料技术领域，公开一种掺锶锆钛锡酸镧铅弛豫性反铁电厚膜陶瓷及其应用。本发明通过流延成型的工艺制备的掺锶锆钛锡酸镧铅弛豫性反铁电体陶瓷厚膜的厚度可控，其单层的厚度为40～50微米，多层的厚度可叠为500～1000层。该厚膜陶瓷其致密性好且均匀，并具有良好的储能性能和储能效率，其储能密度能达到3.7～3.9J/cm3，其储能效率高于89.5％，其在锆储能密度的电容器中有良好的应用前景
一种掺锶锆钛锡酸镧铅弛豫性反铁电厚膜陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法-CN200910051917.3无效
发明人：翟继卫;郝喜红 -专利权人：同济大学
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法。本发明的锆酸铅基反铁电薄膜以LaNiO₃薄膜材料作为底电极材料，使制得的锆酸铅基反铁电薄膜既具有较高的电致应变量又具有较小的相变电场，能够在电可调微电子器件中应用。
一种具有高电致应变特性锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种反铁电材料及其制备方法和含有其的电容器-CN202010627433.5在审
发明人：郝喜红;孟祥俊;赵烨;孙宁宁;李雍 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁电材料及其制备方法和含有其的电容器，该反铁电材料包括用通式(Pb0.94La0.04)(Zr1‑x‑ySnxTiy)O3表示的反铁电体，其中，x的范围为0.3≤x≤0.5，y的范围为0≤y≤0.1，该反铁电材料可以用于制作储能电容器。本发明通过流延法所制备得到的锆钛锡酸铅镧反铁电厚膜电容器不仅能够达到90％～95％的超高储能效率，还具有较强的耐击穿性能，储能密度高，这为研发具有优异储能性能的介质储能电容器奠定了坚实的基础，具有很好的应用价值
一种反铁电材料及其制备方法含有电容器

[发明专利]一种氧化镍-锆酸铅反铁电复合薄膜及其制备方法-CN201811432139.8有效
发明人：宁兴坤;陈明敬;孟庆刚;王淑芳;李晓苇;杨昆;傅广生 -专利权人：河北大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜及其制备方法，所述氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜材料包括锆酸铅薄膜和氧化镍，所述氧化镍呈纳米柱结构且分布在所述锆酸铅中，所述氧化镍的体积为所述复合薄膜材料的1~20%；所述氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜材料是采用脉冲激光沉积法制得的。本发明复合薄膜材料的制备工艺简单，氧化镍纳米柱的直径、分布、厚度精确可控，所得氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜兼具良好的储能密度、铁电性能和介电性能，有效提高了复合薄膜材料的综合性能，且生产成本低，应用前景广阔
一种氧化锆酸铅反铁电复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种锆锡铪酸镧铅陶瓷及其制备方法和储能应用-CN202211450598.5在审
发明人：鲁圣国;李伟湫;王世斌;余宇梁;林昌立 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明属于电介质陶瓷材料技术领域，公开了一种锆锡铪酸镧铅陶瓷及其制备方法和储能应用。所述锆锡铪酸镧铅块体陶瓷的化学式为Pb0.98La0.02(Zr0.45‑x该锆锡铪酸镧铅块体陶瓷具有细长型双电滞回线的反铁电体的高储能密度和高效率特性，储能密度是不含Hf4+时候的1.58倍，储能效率由81.3％增加到89.8％，储能效率提高了8.5％，该锆锡铪酸镧铅块体陶瓷应用在储能领域中。
一种锆锡铪酸镧铅陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法-CN202010407991.0在审
发明人：郝喜红;孟祥俊;李雍;赵烨 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法，该低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料的化学组成通式为：(Pb0.94La0.04锆酸铅基反铁电陶瓷材料可以在1100‑1300℃温度范围内烧结，且本发明制备得到的低钛锆酸铅基反铁电陶瓷材料在室温条件下兼备高相变电场、高击穿电场、高极化强度的特点，并能够具有非常高的储能密度和储能效率，弥补了传统法制备锆酸铅基反铁电陶瓷材料相变电场低、击穿电场低、储能密度低的技术缺陷，拓宽了其在高功率储能材料领域的研发和应用。
高储能密度低钛锆酸铅基反铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料及其制备方法-CN201811510902.4有效
发明人：毛朝梁;马江雷;王根水;闫世光;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料及其制备方法，所述掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料为单一钙钛矿结构，其组成通式为Ag1‑3xLa
一种掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]铁电光伏器件及其制备方法-CN201210329966.0有效
发明人：苏晓东;代智华 -专利权人：苏州大学
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电光伏器件，包括上电极、金属下电极以及位于该两电极之间的铁电材料。所述的铁电材料如锆钛酸铅镧(PLZT)、锆钛酸铅（PZT）、钛酸钡(BTO)或铋铁氧（BFO）等，所述上电极为氧化铟锡（ITO）或铝掺杂氧化锌（AZO）等透明电极材料，所述金属下电极为如Ag、Al或Mg本发明还公开了一种铁电光伏器件的制备方法。本发明基于低功函数金属的光电效应和铁电材料的光伏效应，通过材料设计和能带工程，提高这类铁电光伏器件的光伏特性；将传统宽带隙铁电光伏器件光响应波长从紫外光扩展到可见光范围；拓宽了铁电光伏器件的应用领域。
电光器件及其制备方法

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