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[发明专利]LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法-CN201310262621.2有效
发明人：张滨 -专利权人：山东沾化宝晶晶体科技有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： C01F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法，包括以下步骤：（1）将高纯硫酸铝铵高温保温煅烧，出炉后在循环水下进行冷却，使烧结后的氧化铝粗粉，其中，α-Al₂O_{3本发明不添加任何粘合剂，直接干压成型，保证了型状氧化铝的纯度不受污染，保证了生产出的LED蓝宝石单晶体的单晶品质，是LED蓝宝石单晶体生长领域替代国外进口高纯氧化铝的理想原材料。}
led 蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型方法

[发明专利]一种单晶硅片制绒用的硫酸软骨素-聚（乙烯基吡咯烷酮-乙烯基吡啶）共聚物的制备方法-CN201810056831.9有效
发明人：蔡国华 -专利权人：温岭汉德高分子科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： C08F251/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅片制备领域，公开了一种单晶硅片制绒用的硫酸软骨素‑聚（乙烯基吡咯烷酮‑乙烯基吡啶）共聚物的制备方法，包括以下步骤：将硫酸软骨素溶解到去离子水中，在惰性气体保护下，依次加入硝酸铈铵、乙烯基吡咯烷酮和乙烯基吡啶本发明的合成工艺简便易行，制得的共聚物用于制绒添加剂中时，既能保持快速脱泡能力，又能逐渐减缓反应的进行，维持单晶硅片理想的绒面金字塔结构，制绒后单晶硅片表面的绒面金字塔的尺寸呈现双峰分布，硅片反射率低。
一种单晶硅片制绒用硫酸软骨素乙烯基吡咯烷酮吡啶共聚物制备方法

[发明专利]一种用于单晶硅制绒的壳聚糖-聚2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠共聚物的制备方法-CN201810158230.9有效
发明人：蔡国华 -专利权人：温岭汉德高分子科技有限公司
申请日： 2018-02-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C08F251/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅片制备领域，公开了一种用于单晶硅制绒的壳聚糖‑聚2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸钠共聚物的制备方法，包括：将壳聚糖溶解到去离子水中，在惰性气体保护下，依次加入硝酸铈铵和2‑丙烯酰胺基‑2‑本发明将上述方法制得的壳聚糖‑聚2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸钠共聚物用于单晶硅制绒，其材料绿色环保，且该共聚物可在不影响其脱泡效果的前提下显著提高其在硅片表面的沉积能力，维持优化绒面金字塔结构，使得制绒后所获得的单晶硅片上四面方锥体均匀
一种用于单晶硅聚糖丙烯酰胺甲基丙磺酸钠共聚物制备方法

[发明专利]一种（001）晶面可控的纳米单晶三氧化钨可见光催化剂的制备方法-CN201210028834.4无效
发明人：朱建;王松玲;曹锋雷;张蝶青;李和兴 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种(001)晶面可控的纳米单晶三氧化钨可见光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)室温下，将钨酸铵加入到氟硼酸的水溶液中，搅拌2-3h，其中钨元素与氟硼酸的摩尔比为1∶6～1∶21；(2)将步骤(1)所得溶液在100～180℃下陈化6～48h，然后冷却至室温，洗涤、干燥，即得(001)晶面可控的纳米单晶三氧化钨可见光催化剂。本发明通过对原料比例、陈化时间和陈化温度的调变，控制WO3的形貌、结构及可见光催化性能，得到了(001)晶面可控的纳米单晶WO3，其呈纳米片状，平均厚度为13nm，长度约为100nm，可通过厚度的变化来调控(001)面的暴露率，克服了传统单晶WO3在可见光催化降解污染物时活性较低的缺陷。
一种 001 可控纳米单晶三氧化钨可见光催化剂制备方法

[发明专利]一种修饰在石墨烯G上的双晶型TiO₂光催化材料的制备方法-CN201510523692.2在审
发明人：谢宇;周盼盼;胡冬生;郭若彬;凌云 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明先以二羟基乳酸络钛酸铵，氧化石墨烯GO和尿素为原料采用水热合成法制备出单晶锐钛矿TiO₂/G,双晶锐钛矿-板钛矿TiO₂/G，单晶板钛矿TiO_{实验过程中，通过调节尿素在二羟基乳酸络钛酸铵TALH溶液中的浓度来控制双晶锐钛矿-板钛矿TiO₂/G的相组成。}
一种修饰石墨双晶 tio sub 光催化材料制备方法

[发明专利]物理气相传输法生长碳化硅晶体用多孔石墨隔板制造方法-CN202310040311.X在审
发明人：张玉桃;张宜国;李新跃;罗敏;罗宏;何宇 -专利权人：四川宇星碳素有限公司;自贡先进碳材料产业技术研究院
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种物理气相传输法生长碳化硅晶体用多孔石墨隔板制造方法，采用氯化铵预浸处理的丝光棉纤维作为模板，与预制半焦粉、人造石墨粉、氯化铵、石油沥青混合，经压制、焙烧、纯化、真空石墨化得到多孔石墨材料，再机械加工成规定尺寸的PVT生长碳化硅单晶用多孔石墨隔板，隔板纯度高挥发份低，力学性能好易于机械加工，孔径分布均匀，开口气孔率高并具有通孔结构，有利于气相物质传输。
物理相传生长碳化硅晶体多孔石墨隔板制造方法

[发明专利]柱状纳米氟化钡晶体制备方法-CN03127678.4无效
发明人：连洪洲;叶泽人;石春山 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2003-08-13 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种立方柱状氟化钡纳米晶体的制备方法，采用反胶束法制备氟化钡纳米晶体，选择十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)—正丁醇—正辛烷—水组成四组分微乳体系。其中，正丁醇∶CTAB=1∶1.25，体系中水含量为14.6％，硝酸钡∶氟化铵=1∶0.35，20℃下反应15－30分钟。本发明所提供的方法制备氟化钡为立方柱状纳米单晶体，立方柱的横截面边长为20－60nm，柱长度为150－200nm。
柱状纳米氟化钡晶体制备方法

[发明专利]一种具有抗菌活性的四氢巴马丁衍生物制备方法和用途-CN201410522536.X无效
发明人：霍丽妮;卢汝梅;陈睿;韦建华;李培源 -专利权人：广西中医药大学
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C07D455/03 文献下载
摘要：其化学名称是N-羟乙基四氢巴马丁溴化铵，结构式:制备方法包括如下步骤:1)以氯化巴马丁为原料，经NaBH₄还原后制备四氢巴马丁(2)；2)将所得的四氢巴马丁与α-溴代乙酸乙酯通过亲核取代反应制得N-乙酸乙酯基取代四氢巴马丁溴化铵(3)；3)由上述产物3经还原后无水乙醇重结晶后析出白色块状晶体，经氢谱和X-单晶衍射鉴定为产物N-羟乙基四氢巴马丁溴化铵(4)。本发明的N-羟乙基四氢巴马丁溴化铵经体外抗菌实验表明，具有较强的抗菌活性。
一种具有抗菌活性巴马衍生物制备方法用途

[发明专利]一种硅单晶研磨剂及其制备方法与应用-CN202111264157.1有效
发明人：胡剑峰;张思行;瞿金清 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及研磨抛光技术领域，提供了一种硅单晶研磨剂的制备方法及应用，所述硅单晶研磨剂按照质量份数含β‑SiC微粉8～12份、CBN微粉1～5份、六方氮化硼微粉1～3份、聚丙烯酰胺3～5份、葡萄糖酸钠4～6份、聚乙二醇4～6份、四甲基氢氧化铵4～6份、水性聚酯润滑剂2～4份、烷基酚聚氧乙烯醚型季铵盐表面活性剂6～10份；pH值调节剂；水35～45份。本申请提供的高效硅单晶研磨剂较之传统金刚石、二氧化硅、碳化硅等抛光剂制备简单，成本相对低廉，具有高稳定性和悬浮性，使抛光后的单晶硅片获得良好的磨抛精度、磨抛效率。
一种硅单晶研磨剂及其制备方法应用

[发明专利]一种高温高压条件下制备钙铝榴石单晶的制备方法-CN202111498507.0有效
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压条件下制备钙铝榴石单晶的制备方法，以固态的四水合硝酸钙粉末、固态的九水合硝酸铝粉末、固态的九水合硝酸铁(III)粉末、固态的九水合硝酸铬(III)粉末、固态的偏钒酸铵粉末、液态的正硅酸乙酯和无水乙醇浓度作为起始原料制备出高温下玻璃态的钙铝榴石样品，将钙铝榴石样品粉末压成圆柱体样品；以天然滑石、熟石灰和α相针铁矿作为水源制备水源片；将水源片放置到圆柱体两端后一起放入金钯合金样品管内；将金钯合金样品管内在高温高压下反应得到钙铝榴石单晶；解决了高含铁、铬、钒和高含水的钙铝榴石单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的高含铁的、高含铬的、高含钒的和高含水的钙铝榴石单晶实验样品。
一种高温高压条件下制备钙铝榴石单晶方法

[发明专利]使用清洁溶液清洁半导体晶片的方法-CN200810108286.X无效
发明人： C·萨皮尔柯;T·布施哈尔特;D·费霍;G·施瓦布 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用包含初始组成的铵碱性组分的清洁溶液清洁半导体晶片的方法，其中使所述半导体晶片以单晶片处理与清洁溶液接触，在清洁的过程中加入了氟化氢，以作为所述清洁溶液的其它组分，并且所述清洁溶液在清洁结束时具有不同于初始组成的组成
使用清洁溶液半导体晶片方法

[发明专利]一种多孔单晶Pt-Ni合金氧还原催化剂、制备方法及其应用-CN201810150538.9在审
发明人：姜海波;李春忠;江浩;宓淑莹;程娜 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01M4/92 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔单晶Pt‑Ni合金氧还原催化剂、制备方法及其应用，主要解决了商业化Pt/C因为颗粒小易团聚以及大颗粒Pt基双金属合金Pt原子利用率低的问题。括以下步骤：(1)将乙酰丙酮铂，乙酰丙酮镍和十二烷基三甲基氯化铵溶于油胺和油酸的混合溶液中，加盖密封，超声混合1小时；(2)在油浴锅中加热一定时间；(3)离心收集所得到的产物，用乙醇和环己烷的混合液清洗三遍，并利用超声分散负载到导电炭黑上；(4)得到多孔单晶Pt‑Ni合金氧还原催化剂。与现有技术相比，本发明所制备的大颗粒多孔Pt‑Ni单晶催化剂具有粒径分布均匀、分散性好，原子利用率高的特点，且实验重复性好。
氧还原催化剂多孔单晶制备原子利用率大颗粒十二烷基三甲基氯化铵油酸混合溶液中实验重复性乙酰丙酮铂乙酰丙酮镍超声分散超声混合导电炭黑分散性好加盖密封金属合金离心收集粒径分布环己烷混合液油浴锅乙醇单晶基双油胺催化剂加热合金应用清洗团聚

[发明专利]一种用于异丁烯和苯液相烷基化的中空单晶Beta分子筛催化剂的制备方法-CN201910144152.1在审
发明人：徐龙伢;赵东璞;刘盛林;冯超;辛文杰;楚卫锋;朱向学;崔倩;王新怡 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： B01J29/70 文献下载
摘要：本发明提供一种用于异丁烯和苯液相烷基化的中空单晶Beta分子筛催化剂的制备方法。该方法由硅源、铝源、无机碱、微孔模板剂(TEA⁺水溶液)、有机添加剂内酰胺(R)充分混合所形成的凝胶经一步水热晶化一定时间直接制得中空单晶Beta分子筛，然后经过常规铵交换和焙烧得到氢型中空单晶
中空吡咯烷酮单晶苯液相烷基化异丁烯制备有机添加剂内酰胺焙烧微孔模板剂充分混合反应性能水热晶化传统的混合物无机碱异丙基铵交换硅源铝源凝胶氢型乙基

[发明专利]一种宽带黄光发射有机无机杂化双钙钛矿单晶/粉末材料及其制备方法和应用-CN202211670935.1在审
发明人：曾若生;王子毅;吴杰 -专利权人：广西大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种宽带黄光发射有机无机杂化双钙钛矿单晶/粉末材料及其制备方法和应用。所述的Sb掺杂有机无机杂化双钙钛矿TMA2NaInCl6单晶/粉末是以四甲基氯化铵(TMA)、含钠化合物、含铟化合物、采用本发明制备的Sb掺杂有机无机杂化双钙钛矿TMA2NaInCl6单晶/粉末材料结晶度好，结构稳定，制备过程简便，可快速大量合成
一种宽带发射有机无机杂化双钙钛矿单晶粉末材料及其制备方法应用

[发明专利]单晶硅基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法-CN200310108926.4无效
发明人：程先华;吴炬;白涛;上官倩芡 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C23C18/02 文献下载
摘要：一种稀土纳米薄膜在单晶硅上的自组装制备方法，属于薄膜制备领域。本发明先将单晶硅片预处理，将处理后的单晶硅片浸入配置好的稀土改性剂中，静置8小时，取出后，用去离子水冲洗后，在室温中晾干后置于烘箱，于120℃保温1个小时，即获得稀土自组装纳米薄膜，其中，稀土改性剂的组分重量百分比为：稀土化合物：3.5％～7％，乙醇含量：65％～85％，乙二胺四乙酸：1％～4％，氯化铵：2％～5％，尿素：10％～25％，浓盐酸：0.5％～1.5％。
单晶硅表面组装稀土纳米制备方法