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[发明专利]一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法-CN201610571895.3有效
发明人：俞金玲;郑重明;程树英;赖云锋;郑巧;周海芳;董丽美 -专利权人：福州大学
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。
一种调控铜锌锡硫硫化铟异质结带阶方法

[发明专利]磷化铟双异质结双极型晶体管-CN202210387714.7在审
发明人：王悦 -专利权人：虎翅凌云集成电路制造有限责任公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷化铟双异质结双极型晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明公开的磷化铟双异质结双极型晶体管结构，在磷化铟衬底上采用应变铟砷磷过渡区消除了铟镓砷基区与磷化铟集电区之间的导带势垒，构建出无电子阻挡效应的双异质结双极型晶体管，提升了所述晶体管在频率、增益与击穿电压方面的电学性能
磷化铟双异质结双极型晶体管

[发明专利]一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法-CN202011493926.0在审
发明人：吴立枢;戴家赟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂一层BCB固化同时刻蚀掉集电极金属表面BCB再沉积键合金属；利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底键合；最后将临时载片去除。本发明利用金属键合工艺将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。
一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热制备方法

[发明专利]一种形成石墨烯纳米带异质结的方法-CN201910329452.7有效
发明人：牛晓滨;李志强;王建伟;陈海元;汪博筠;郭恒;军凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种形成石墨烯纳米带异质结的方法，属于碳纳米材料技术领域。本发明采用一维纳米孔对石墨烯纳米带进行调谐，基于第一性原理计算方法，对具有不同形状纳米孔调谐后石墨烯纳米带单元的电子特性和带阶匹配进行仿真，通过仿真得到形成第I类带阶匹配或第II类带阶匹配异质结的纳米孔指导实际石墨烯纳米带上纳米孔设计本发明能够形成I型和II型的带阶匹配，并且操作简单可控。基于I型带阶匹配构造的石墨烯异质结，可用于制造分子整流器和分子转换器等电子器件；基于II型带阶匹配构造的石墨烯异质结是潜在的光电器件的构成元件。
一种形成石墨纳米带异质结方法

[发明专利]钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂的制备方法和应用-CN202210486986.2在审
发明人：王楷;王湖坤;邵秀丽;李可;陈郭强 -专利权人：湖北师范大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂，钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结由硫铟锌的(200)衍射晶面、钽酸铋量子点的(102)衍射晶面构成。制备方法：在硫铟锌微球的溶剂热生长过程中投加钽酸铋量子点，经过二次溶剂热，得到钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂。钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂在光催化处理含铬废水中的应用。钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂在光催化处理含铬废水中制氢的应用。有益效果为：钽酸铋/硫铟锌S型异质结光催化剂光催化性能优越，由于S型异质结的形成，使其具有更强的光吸收能力和更高的载流子分离效率。
钽酸铋量子修饰硫铟锌微球型异质结光催化剂制备方法应用

[发明专利]磷化铟异质结双极晶体管及其制作方法-CN202211028037.6在审
发明人：黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟异质结双极晶体管，所述磷化铟异质结双极晶体管的基区采用P型的InGaAs/GaAsSb超晶格结构。本发明还公开了一种磷化铟异质结双极晶体管的制作方法。本发明采用InGaAs/GaAsSb超晶格结构制作基区，其导带高度可以通过超晶格材料的厚度调节，从而实现理想的电子输运，同时避免了传统InGaAsSb四元合金基区所面临的相分离、组分不均匀和重复性差等问题
磷化铟异质结双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法-CN201510394761.4在审
发明人：吴立枢;赵岩;程伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7优点：可将磷化铟异质结双极型晶体管完整剥离转移到硅衬底上，工艺简单，转移中不会对磷化铟异质结双极型晶体管造成破坏。
一种基于衬底磷化铟异质结双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用-CN202210863080.8在审
发明人：韩理想;张之洋;高伟;霍能杰;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于红外‑可见光探测技术领域，公开了一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用。所述光电探测器包括硒氧化铋/硒化铟异质结和金属电极，该硒氧化铋/硒化铟异质结位于两侧金属电极之间；所述光电探测器是将二维硒化铟纳米片转移至二维硒氧化铋纳米片上，形成二维硒氧化铋/硒化铟异质结，在不重合的二维硒化铟纳米片和二维硒氧化铋纳米片上制作金属电极得到本发明的基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器具有高开关比、宽光谱探测、自驱动等特点，在高性能自驱动光电探测器应用中显示出良好的潜力。
一种基于氧化硒化铟异质结光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法-CN201610253781.4有效
发明人：汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。
一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]硫化铟锌纳米片/管状氧化锡异质结及其制备方法与在降解去除水体污染物中的应用-CN201911032719.2有效
发明人：路建美;陈冬赟 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了硫化铟锌纳米片/管状氧化锡异质结及其制备方法与在降解去除水体污染物中的应用；通过静电纺丝技术和高温煅烧技术，制备得到氧化锡纳米管，以氧化锡为基底，通过油浴在其表面均匀生长硫化铟锌纳米片，从而构建硫化铟锌纳米片/管状氧化锡异质结。硫化铟锌是一种重要的金属硫化物，其带隙宽度为2.6‑2.7eV，是一种良好的半导体材料，制备得到的硫化铟锌纳米片/管状氧化锡异质结具有较大的比表面积，可以提供更多的吸附位点和催化活性位点，有效地提高光生电子
硫化纳米管状氧化锡异质结及其制备方法降解去除水体污染物中的应用

[发明专利]一种硫铟锌/石墨相氮化碳分级中空异质结的制备方法及应用-CN202011279916.7在审
发明人：于岩;王炫威;李秋芸;陈飞飞 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料的制备技术领域，公开了一种硫铟锌/石墨相氮化碳分级中空异质结的制备方法，利用水解‑水热‑煅烧‑低温水热四步法构筑的分级中空异质结；以三聚氰胺为氮料，氯化锌、氯化铟、硫代乙酰胺分别为锌源、铟源、硫源，制得硫铟锌/石墨相氮化碳分级中空异质结。本发明制得的硫铟锌/石墨相氮化碳分级中空异质结能有效促进光生电子‑空穴对的分离，在光催化CO2还原上表现出优异的性能，具有良好环境效益。
一种硫铟锌石墨氮化分级中空异质结制备方法应用

[发明专利]一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法-CN202010709445.2在审
发明人：李煜;晏雨发;张晗;李峰 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法，其中，所述基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器包括设置在衬底上的p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜之间设置有部分重叠区域，所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜不重叠的两端分别固定有一金属电极。本发明通过构建pn异质结，使p型硒化亚锡薄膜与n型硒化铟薄膜在光照条件下产生的电子与空穴在异质结处迅速分离，能够有效降低暗电流，明显提高所制备的光电探测器的光增益、光响应速度及光响应度。
一种基于硒化亚锡硒化铟异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种金属离子掺杂提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法-CN202310029982.6在审
发明人：冯苗;张士林 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属离子掺杂提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法。该方法首先在预处理后的FTO导电玻璃上通过水热法生长氧化钛纳米棒阵列，然后通过溶剂热法在氧化钛表面外延生长金属离子掺杂的硫铟铜纳米颗粒，形成金属离子掺杂硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料。通过调控掺杂金属离子的种类与浓度，提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能。本发明方法简单易行，环境友好，金属离子的掺杂进一步增强了硫铟铜/氧化钛异质结复合材料的光吸收效率，增加活性位点，结合异质结构促进电荷分离的协同效应，进而在硫铟铜/氧化钛异质结的基础上，进一步提升了复合材料的光电化学性能
一种金属离子掺杂提升硫铟铜氧化钛异质结纳米阵列复合材料光电化学性能方法

[发明专利]一种碳纳米管/硫化铟异质结纳米线及其制备方法-CN201610649894.6有效
发明人：苏言杰;赵人杰;李明;张亚非;杨志 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管/硫化铟异质结纳米线及其制备方法，所述的碳纳米管/硫化铟异质结纳米线通过以下方法制成：(1)往乙二醇中依次加入三氯化铟和硫代乙酰胺，分散均匀，制得三氯化铟/硫代乙酰胺混合溶液；(2)再往步骤(1)制得的三氯化铟/硫代乙酰胺混合溶液中加入羧基化碳纳米管的乙二醇溶液，得到反应前驱液；(3)将步骤(2)制得的反应前驱液置于超声槽中，超声反应，所得产物离心、洗涤、干燥，即得到碳纳米管/硫化铟异质结纳米线与现有技术相比，本发明的异质结纳米线具有优良的均一性，制备方法简单，安全可靠，成本低等。
异质结纳米线碳纳米管硫化铟硫代乙酰胺三氯化铟制备反应前驱液羧基化碳纳米管混合溶液中乙二醇溶液超声反应分散均匀混合溶液超声槽均一性乙二醇洗涤

[发明专利]一种二维黑磷/硒化铟异质结的制备方法-CN202210063878.4在审
发明人：肖全兰;钟子钧 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C01B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维黑磷/硒化铟异质结的制备方法，包括：a、取黑磷晶体和硒化铟晶体分别研磨，且在研磨过程中分别加入异丙醇，以获得黑磷溶液和硒化铟溶液；b、将获得的硒化铟溶液与黑磷溶液混合，以获得黑磷/硒化铟混合液；c、将获得的黑磷/硒化铟混合液进行离心和干燥，得到二维黑磷/硒化铟异质结。与现有技术相比，本发明采用液相剥离法成功将黑磷和硒化铟两种材料结合，形成二维材料异质结，两种材料结合以规避单个材料的缺陷，不仅规避了黑磷饱和吸收光强偏大的缺陷，也规避了硒化铟调制深度相对较低的缺陷，从而使得结合获得的二维黑磷/硒化铟异质结调制深度大且饱和吸收光强低，适用于锁模光纤激光器中。
一种二维黑磷硒化铟异质结制备方法

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