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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用超滤和离子交换处理浆料铜废水-CN202180027092.0在审
发明人：小弗兰克·L·萨萨曼;杰弗里·W·马丁 -专利权人：懿华水处理技术有限责任公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种用于处理来自铜CMP工艺的废物流的方法，所述废物流包括溶解的铜和具有小于0.75μm的数加权平均尺寸的磨料颗粒，所述方法包括将废物流引入到进料罐中；使所述废物流从所述进料罐流入到超滤模块中；使废物流过滤穿过超滤模块的膜以形成贫固体滤液；引导来自超滤模块的贫固体滤液穿过离子交换单元以去除溶解的铜并产生经处理的水溶液，所述经处理的水溶液具有比废物流的铜浓度低的铜浓度；反洗膜超滤模块以从超滤模块的膜上去除浆料固体；以及将去除的浆料固体与经处理的水溶液组合以形成具有适合于排放到环境中的铜浓度的组合的排放流
超滤离子交换处理浆料废水

[发明专利]多层铜互连布线结构的检测方法-CN201610029701.7有效
发明人：林晓玲;章晓文;梁朝辉 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层铜互连布线结构的检测方法，包括如下步骤：采用开封方法获取多层铜互连布线结构的裸芯片；清除所述裸芯片表面的残留物；采用反应离子蚀刻法去除所述裸芯片表面的保护膜；采用热熔蜡将去除保护膜后的芯片固定于研磨抛光夹具本发明的多层铜互连布线结构的检测方法，可实现芯片中多层铜互连布线结构的逐层去除，实现密集多层铜互连布线结构中各层次形貌的平面观察，对多层铜互连布线结构芯片的失效机理确认、提高集成电路的使用可靠性有重要的意义
多层互连布线结构检测方法

[发明专利]铜与低K介质材料的整合工艺-CN201410366361.8在审
发明人：金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示了一种铜与低K介质材料的整合工艺，包括如下步骤：在基底上沉积低K或超低K介质层；对沉积的低K或超低K介质层进行等离子退火处理；在低K或超低K介质层上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铜种子层；在铜种子层上沉积铜层，铜层填满基底上的图形结构并覆盖在基底的整个表层上；采用化学机械平坦化工艺将基底表层上的铜层部分去除；采用无应力抛光工艺将基底表层上剩余的铜层全部去除，停留至阻挡层；采用热气相刻蚀工艺，将基底表层上的阻挡层全部去除本发明能够使介质材料保持足够低的K值并实现了与铜的整合，突破了现有工艺的技术壁垒。
介质材料整合工艺

[发明专利]铜填充硅通孔的制作方法-CN201110379852.2有效
发明人：周军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜填充硅通孔的制作方法，包括以下步骤：在硅晶片表面形成硅通孔；在上述结构表面沉积绝缘层；接着在上述结构表面沉积一层或多层阻挡层，同时采用穿通刻蚀工艺，去除硅通孔底部的阻挡层和绝缘层；将硅晶片浸入含铜离子的稀释氢氟酸溶液中5-600秒，在硅通孔的底部形成铜种子层；采用化学镀铜工艺，在铜种子层上填充铜；去除晶片上表面的铜、阻挡层和绝缘层；研磨晶片的下表面减薄至硅通孔的底部并去除铜的种子层。本发明采用硅通孔底部的种子层，通过化学镀铜完成铜的填充，消除了硅通孔中的孔隙，提高可靠性，同时节约成本。
填充硅通孔制作方法

[发明专利]一种利用固体电解质Rb4-CN202111404977.6在审
发明人：吐沙姑·阿不都吾甫;付德君;亚历山大·托斯托古佐夫;左文彬;张翔宇;刘传胜 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：13实现铜互连沉积的直接沉积方法。Rb4Cu16I7Cl13制备的铜离子产生方法，产生的铜离子束按设定的器件图形结构沉积在晶圆表面完成器件的铜互连工艺。通过相对简单的高能机械化学研磨法制备铜基固体电解质材料，制成离子发射极并产生带正电荷的铜离子束。然后，通过程序控制沉积在样品表面形成铜互连。铜离子束以一定能量沉积到晶圆表面，属于直接沉积成膜，无需使用掩模(光刻胶)和光刻工序。即直接把铜原子沉积在所需的线段上形成所需的铜互连，无需执行涂敷光刻胶和去除光刻胶的工序。
一种利用固体电解质 rb base sub

[发明专利]高效除放射性和重金属的净水方法-CN92115144.6无效
发明人：王宝贞 -专利权人：王宝贞
申请日： 1992-12-10 - 公布日： 1994-06-15 - 主分类号： C02F1/62 文献下载
摘要：本发明是一种饮用水或废水的处理方法，是以活性炭、活化煤为基质，经过系列物理和化学处理，使其表面具有离子交换能力，使其有效地置换水中放射性离子，重金属离子或铁、锰、酚、氰等污染物。可去除地下水、尾矿水中铀、钍、镭等放射性物质达90％以上，去除铁、锰95～98％；可去除汞、镉、铬、铜、铅、锌等重金属99％以上；可去除酚、氰等有机物99％以上。具有去除率高、操作简单、运行费低，并可再生使用等优点。
高效放射性重金属净水方法

[发明专利]一种电积钴溶液的提纯方法及装置-CN201811471312.5在审
发明人：李炳忠;张爱青;伍一根;许东伟;史齐勇;王博 -专利权人：格林美（江苏）钴业股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C25C1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电积钴溶液的提纯方法，该方法具体为：将电积钴溶液和阴极板置于搅拌槽中，控制搅拌槽的电压和电流密度，搅拌电积钴溶液使电积钴溶液中的杂质铜被电积；本发明还公开了一种用于电积钴溶液的提纯装置；本发明摒弃了常规的使用硫化钠沉淀来去除铜的方法，而是采用面积较大的阴极板，根据铜和钴电积所需电压的不同，先将铜离子进行电积，通过此方法去除电积钴溶液中的杂质铜，去除效果明显且在过程中不会引入其它杂质，且使用方法简单
一种电积钴溶液提纯方法装置

[发明专利]一种防止鼠咬的沉锡板加工方法-CN202210720223.X在审
发明人：朱建华;李奕凡;冯祖荣 -专利权人：金禄电子科技股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H05K3/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止鼠咬的沉锡板加工方法，包括以下步骤：(1)酸性清洁：去除板面上手指印、板面氧化，清洁板面，保养沉锡效果；(2)除油：去除板面油污，避免有沉锡不上异常；(3)微蚀：通过微蚀粗化铜表面，增强沉锡附着力；(4)铜面活化：对板面作预处理，增强沉锡效果；(5)化学沉锡：将上述经过酸洗、微蚀、活化的铜基板放入沉锡液中，通过改变铜离子的化学电位使镀液中的亚锡离子发生化学置换反应，被还原的锡金属沉积在基板铜的表面上形成锡镀层
一种防止沉锡板加工方法

[发明专利]一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液-CN200810117832.6有效
发明人：路新春;张伟;雒建斌;刘宇宏;潘国顺 -专利权人：清华大学
申请日： 2008-08-05 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C09G1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，包括去离子水、氧化剂和络合剂，其中，络合剂为2～40毫摩尔每升，氧化剂所占的质量百分比为1～20％，其余为去离子水。本发明中抛光液不含有抛光磨粒，从而避免了抛光液中磨粒对抛光表面造成的损伤，因此本发明抛光损伤小，且易清洗；抛光液呈碱性，pH≥8.5，对设备腐蚀小；根据铜抛光液的使用阶段，铜的抛光去除率可控制在100～4000nm/min之间，且可控；氧化剂同时起到络合剂的作用，可起到铜快速氧化去除的目的，另外，还具有工艺简化，价格便宜，成本低，速度可控。
一种集成电路布线无磨粒化学机械抛光

[发明专利]一种芯片后端金属制程工艺-CN201710727939.1有效
发明人：张坤;刘藩东;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片后端金属制程工艺，通过在绝缘层表面沉积导电的金属籽晶层，从而能够采用电化学镀(ECP)的工艺来沉积金属铜，这样可以先沉积金属铜和阻挡层，而后再沉积形成包裹覆盖的氧化物绝缘层，从而有效避免了采用等离子干法刻蚀工艺(Plasma Dry Etch)去除氧化物层导致的一系列问题；同时通过各向同性的快速湿法刻蚀(Flash Wet Etch)来有效的去除覆盖在氧化物表面的、表面未沉积铜的铜的籽晶层，以露出氧化物层；通过本发明上述工艺，减少甚至避免了使用离子干法刻蚀工艺(Plasma Dry Etch)，从而提高了后端金属制程工艺的可靠性和产品性能。
一种芯片后端金属工艺

[发明专利]一种以动物血粉为吸附剂处理Cd2+或Cu2+废水的方法-CN201611048069.7有效
发明人：李亚东;李思彤;王行国;陈红兵;李顺意;倪红;杨兰芳;李海波 -专利权人：湖北大学
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种以动物血粉为吸附剂处理含重金属离子废水的方法，使用动物血粉可以高效去除废水中的镉、铜离子，可使所处理的废水残留重镉、铜离子浓度达到废水处理后的排放标准，动物血粉原料来源广泛、价格低廉，具有广阔的市场前景，且废水中重金属离子浓度较低时，吸附过重金属离子的动物血粉还可作为园林花卉土使用，实现废弃物资源化利用的目标。
一种动物血粉吸附剂处理 cd2 cu2 废水方法

[发明专利]电解铜箔电解液中铅离子的去除方法-CN201811494469.X有效
发明人：单学凌;单晓梦;陈智栋;王文昌;明小强;王朋举;鲁卫平 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：本发明属于铜电解液处理技术领域，公开了电解铜箔电解液中铅离子的去除方法。在电解铜箔生产过程中，可有效降低电解液中铅离子含量的方法。本发明以氯化锆为金属盐，对苯二甲酸为有机配体，N，N‑二甲基甲酰胺为有机溶剂，采用溶剂法制备UiO‑66，将UiO‑66负载于膨胀石墨上作为吸附柱的填充材料，该吸附柱对铜电解液中的铅离子具有良好的去除能力，电解液流经该吸附柱后，电解液中的铅离子浓度下降至0.1μg/ml以下。由于电解液中铅离子浓度的降低，有效地延长了钛基铱‑钽氧化物涂层阳极的使用时间。
电解铜箔电解液离子去除方法

[发明专利]铜离子加速果糖-K2-CN201811432692.1有效
发明人：周豪;杨重;徐天怡;刘奕含;占敬敬;柳丽芬 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C02F1/70 文献下载
摘要：本发明提供一种铜离子加速果糖‑K2HPO4产物处理含铬废水的方法，包括以下步骤：步骤一、将果糖和K2HPO4在90～150℃下反应0.1～2h，生成还原性复合制剂；步骤二、将含有六价铬离子的工业废水、还原性复合制剂和Cu(II)混合，反应0.5‑12h；步骤三、在经步骤二处理后的废水中加入二价锰离子，反应一定时间，使得有机三价铬和Cu(II)沉淀，过滤去除金属沉淀。铜离子加速果糖‑K2HPO4产物处理含铬废水的方法能对铬离子进行高效的去除。
离子加速果糖 base sub

[发明专利]一种超薄纳米级石墨炔薄膜的制备方法-CN201911066615.3有效
发明人：张跃;温嘉玲;张铮 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C01B32/21 文献下载
摘要：所述制备方法采用等离子刻蚀制备超薄石墨炔薄膜；包括将附有原始石墨炔薄膜的铜基底置于等离子刻蚀机中；将氧气注入所述等离子刻蚀机的空腔中刻蚀；刻蚀后利用PMMA辅助法转移至目标基底上，去除PMMA后得到所述超薄石墨炔薄膜所述制备方法采用等离子刻蚀制备超薄石墨炔薄膜，通过在铜基底上溶液生长的石墨炔上进行等离子刻蚀，减薄石墨炔厚度，并转移到另一基地上，这就免去了复杂的化学处理而得到超薄纳米级的石墨炔薄膜，且同时去除了石墨炔由于副反应而生成的大量功能团
一种超薄纳米石墨薄膜制备方法

[发明专利]一种处理化学镀铜废水的方法-CN201810870501.3有效
发明人：郭崇武;赖奂汶 -专利权人：广州超邦化工有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化学镀铜废水的组合处理方法，用双氧水或次氯酸钠将含羟基的有机胺配位剂氧化成含胺基(或氨基)和羧基的有机酸配位剂，然后，利用亚铁离子与钙离子的协同效应，用亚铁离子和钙离子沉淀废水中含羧基的有机酸配位剂，从配合物中释放出来的铜离子生成氢氧化铜沉淀，从而有效去除铜。采用这种沉淀法去除化学镀铜废水中的配位剂，克服了现有技术破坏化学镀铜配位剂面临的困难，同时有效降低了废水的COD。本法处理结果满足电镀污染物排放标准，方法简单，处理成本、具有较好的市场前景。
一种处理化学镀铜废水方法

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