本发明是一种高功率元件总成,包含有一基板、一成核层、以及一高功率元件,该基板的材质为单晶碳化硅、单晶硅与单晶蓝宝石以外的其他材质,例如金(Au)、金合金、铜(Cu)、铜合金、钨铜(CuW)、钨铜合金、铜钼铜(CuMoCu)、铜钼铜合金、多晶或单晶钻石(polycrystalline or single crystalline diamond)、氮化铝陶瓷(AlN ceramic)、碳化硅陶瓷(SiC ceramic)或氧化铍陶瓷(BeO ceramic),该成核层是为单晶氮化铝(AlN)、单晶氮化铝镓(AlGaN)或单晶氮化镓(GaN)材质且覆盖于该基板的表面;该高功率元件是覆设于该成核层的表面。