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[发明专利]镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法-CN201110069522.3无效
发明人：王锐;郭倩;钱艳楠;邢丽丽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法，本发明涉及掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料应用的技术问题。本发明的镱钬双掺铌酸锂晶体由五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬制成；方法：将五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬混合后焙烧得到多晶粉料，然后将多晶粉料在单晶生长炉中，采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长出晶体，再经退火后得到镱钬双掺铌酸锂晶体；该晶体双掺铌酸锂晶体用980nm的激光激发可得到红光和绿光，在光学数据存贮、海底通信、光学显示、彩色显示、光电子、医疗诊断等领域具有广泛应用前景。
镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置及方法-CN202210001980.1有效
发明人：夏钰坤;夏宗仁;夏文英;张婷 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置，包括：极化炉，用于掺镁铌酸锂单晶的极化；坩埚，内置于极化炉，作为极化容器；弧形负电极、弧形正电极，相对设置且分别连接有引出线引出至极化炉外；掺镁铌酸锂单晶，立放于坩埚内且处于弧形负电极、弧形正电极所围的柱面空间内；所述坩埚、弧形负电极、弧形正电极、掺镁铌酸锂单晶之间填充LN晶粉。本发明采用立放的方式取代现有的卧放方式，避免了极化过程中可能出现的各种极化失败的风险，使得掺镁铌酸锂单晶单畴化完全，成功率高。
一种尺寸轴掺镁铌酸锂单晶极化装置方法

[发明专利]一种铷、铈共掺杂铌酸铋钙基高温压电陶瓷及其制备方法-CN201910338399.7有效
发明人：晏海学;章曼;张斗;李振纲;李水林 -专利权人：广州光鼎科技集团有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种铷、铈共掺杂铌酸铋钙(CBNO)基高温压电陶瓷及其制备方法。本发明采用固相法制备A位不同含量Rb、Ce离子掺杂的铌酸铋钙陶瓷粉体材料；再经造粒、成形、排胶、烧结的工艺制备得到铷、铈共掺杂CBNO基高温压电陶瓷。该压电陶瓷具有优良的压电活性及较好的高温电阻率。
一种掺杂铌酸铋钙基高温压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]铋锌铌－钛酸锶钡复合介电可调厚膜的制备方法-CN200610043028.9无效
发明人：史鹏;任巍;吴小清;张镭;黄瑞峰;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：一种铋锌铌－钛酸锶钡复合介电可调厚膜的制备方法，将铋锌铌纳米粉体加入钛酸锶钡溶胶先体中共混，再采用旋涂工艺沉积在基底材料上，使铋锌铌纳米粉体颗粒均匀分散于连续的钛酸锶钡薄膜介质中。本发明选用两种不同结构和作用机理的微波可调介质材料，设计和制备具有复合结构的厚膜材料，利用铋锌铌主相的介电可调特性、良好的温度稳定性、中介电常数和低损耗特性弥补钛酸锶钡薄膜的高介电常数和高的介电损耗，同时利用钛酸锶钡薄膜在较低场强下即存在的介电可调特性弥补铋锌铌材料矫顽场强较高的不足
铋锌铌钛酸锶钡复合可调制备方法

[发明专利]富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法-CN201310636441.6无效
发明人：李均;李杨;周忠祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法，它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低，而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3，其中x=0.50～0.90。方法：将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后，压片，然后预烧得到多晶片，再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料，在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后，得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。
富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法

[发明专利]掺镱钠钙锂铌石榴石晶体、制备方法及应用-CN201711069983.4有效
发明人：潘忠奔;苑华磊;戴晓军;张衍;居佳;袁浩;蔡华强 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺镱钠钙锂铌石榴石晶体，所述的晶体的分子式为Ca_3‑2xNa_xYb_xLi_yNb_{1.5+<掺镱钙钠铌石榴石晶体属于立方晶系。at.％的含义为原子数百分比含量。本发明还公开了掺镱钠钙锂铌石榴石晶体的制备方法及其应用。本发明的掺镱钠钙锂铌石榴石晶体中所掺杂的Na⁺使该晶体的无序度更大，晶体中的缺陷更少，有利于产生高能量的超短脉冲激光。}
掺镱钠钙锂铌石榴石晶体制备方法应用

[实用新型]基于双折射相位匹配的宽带倍频波导器件-CN202121990794.2有效
发明人：仇晶;陈险峰 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于双折射相位匹配的宽带倍频波导器件，包括由下至上依次设置的铌酸锂衬底层、二氧化硅层和掺镁铌酸锂薄膜层，所述宽带倍频器件沿与掺镁铌酸锂薄膜Z轴成一定角度的方向切割而成；所述掺镁铌酸锂薄膜层上设置有两条不相交、非平行设置的槽，两条槽之间设置有铌酸锂波导结构。
基于双折射相位匹配宽带倍频波导器件

[发明专利]一种钛酸锂材料的制备方法、钛酸锂材料和钛酸锂电池-CN201810383871.4在审
发明人：李敏 -专利权人：北方奥钛纳米技术有限公司;银隆新能源股份有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锂材料的制备方法、钛酸锂材料和钛酸锂电池，该制备方法包括：使用去离子水，对钛源、锂源和铌源进行湿法混合，得到掺铌钛酸锂浆料；对所述掺铌钛酸锂浆料进行干燥、烧结和粉碎，得到所需克容量的掺铌钛酸锂负极材料
钛酸锂材料克容量掺铌制备钛酸锂电池制备工艺钛酸锂浆料钛酸锂负极去离子水湿法混合烧结钛源铌源锂源

[发明专利]一体化柔性滤纸基铌酸钙紫外探测器及其制备方法与用途-CN202111411684.0在审
发明人：张勇;刘玉申 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开一体化柔性滤纸基铌酸钙紫外探测器及其制备方法，包括如下步骤：(a)制备二维钙钛矿型铌酸钙纳米片。(b)将铌酸钙纳米片溶液通过抽滤获得滤纸铌酸钙复合膜。(c)将滤纸铌酸钙复合膜放置在干燥器中过夜，然后揭掉表面一层铌酸钙薄膜，获得一体化滤纸铌酸钙。(d)构筑一体化柔性滤纸铌酸钙紫外探测器，并测试该器件的柔性性能和光电性能。本发明首次公开了一体化柔性滤纸铌酸钙紫外探测器及其制备方法，该实验方法简单、成本低，并且滤纸铌酸钙紫外探测器在多次弯曲下具有优异的光电性能，极大拓展了二维材料与相关纳米结构和滤纸在构筑柔性光电器件领域的应用
一体化柔性滤纸基铌酸钙紫外探测器及其制备方法用途

[发明专利]一种高效污水处理剂及其制备方法和应用-CN202210045233.8有效
发明人：戴金龙;高维超 -专利权人：长三角（义乌）生态环境研究中心
申请日： 2022-01-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B01J27/132 文献下载
摘要：本发明通过将铁酸铋添加到溴氧化铋的前驱体液中，添加改性金属钐和镍，经过水热处理得到铁酸铋@钐和镍共掺杂的溴氧化铋，然后将其与铌酸和钨酸在水热反应条件下原位合成铁酸铋@钐和镍共掺杂的溴氧化铋@铌酸铋@钨酸铋
一种高效污水处理及其制备方法应用

[发明专利]铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法-CN201010223340.2无效
发明人：刘来君;吴枚霞;杨曌;方亮;胡长征 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法。铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷的化学组成通式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5(K0.82Na0.18)TiO3，其中：0＜x＜0.2；x为摩尔分数。将碳酸钾、碳酸钠、二氧化钛、五氧化二铌、三氧化二铋，按化学计量比(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5(K0.82Na0.18)TiO3(0＜x＜0.2；x为摩尔分数)配料，经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、排胶、高温烧结等工序，最终制备具有高压电性能的钛酸铋钾钠铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明方法大大的提高了无铅压电陶瓷体系的压电性能、提高了材料的工艺稳定性，从成分和工艺两方面使铌酸钾钠体系的无铅压电陶瓷达到了实用化水平。
铌酸钾钠钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法-CN200810033105.1无效
发明人：程艳;徐晓东;徐军;姚罡;杨新波;吴锋 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：一种掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法，该掺镱正铌酸钙激光晶体的化学式为Yb_xCa_(1－2x/3)Nb₂O₆，其中x
掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法

[发明专利]低损耗硅-氧化硅-掺铒铌酸锂电光调制器及集成方法-CN202210316787.7在审
发明人：邹卫文;王静 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种低损耗硅‑氧化硅‑掺铒铌酸锂电光调制器及集成方法，所述电光调制器包括光耦合器、多模干涉仪、定向耦合器、二色向耦合器、电光移相臂、行波电极。所述集成方法包括：通过硅、氧化硅的刻蚀，能够形成硅波导与氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导，通过金属沉积形成行波电极。所述的硅波导组成多模干涉仪；所述的硅波导与氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导组成定向耦合器和二色向耦合器；所述的氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导组成电光移相臂。本发明使用掺铒铌酸锂作为损耗补偿的增益介质与电光调制材料，结合硅材料能够制备小尺寸光子回路，可以实现硅基无源器件与掺铒铌酸锂基电光调制器的兼容。
损耗氧化掺铒铌酸锂电光调制器集成方法

[发明专利]铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法-CN201610217456.2有效
发明人：朱秀;许桂生;刘锦峰;田彦锋 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法，所述铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶的化学式为(1‑y)(K_xNa_1‑x)NbO₃‑本发明中，将原料与生长助剂混合预烧，并采用坩埚下降法生长得到铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶，通过添加生长助剂后的坩埚下降法生长晶体具有容易成核，晶体尺寸较大(2～20mm)且裂纹较少等优点。
铌酸钾钠锆酸铋钠无铅压电及其生长方法

[发明专利]铌掺杂钨酸铋光催化材料的制备方法-CN201810326930.4有效
发明人：陈昊;申乾宏;庞雅;于洋;苏钰璇;吴晨嫣;王家邦;杨辉 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，旨在提供一种铌掺杂钨酸铋光催化材料的制备方法。包括：将铋盐溶解于草酸水溶液，在搅拌条件下将钨酸水溶液逐滴加入到铋盐的草酸水溶液中；然后再加入经研磨处理的氧化铌粉体，用氨水将混合物的pH值调至中性；在密闭的条件下超声分散处理后继续搅拌，获得均匀的前驱体悬浊液；装入反应釜中进行水热反应，反应结束后自然冷却至室温；将所得混合物离心获得沉淀产物，洗涤、烘干，得到铌掺杂钨酸铋光催化材料。本发明不使用任何模板剂和表面活性剂，通过纳米效应和元素掺杂的协同作用克服了单一钨酸铋材料的不足，显著提高了钨酸铋光生载流子的迁移与分离能力，并且拓宽了钨酸铋吸收光谱范围，提高了对太阳能的利用效率。
掺杂钨酸铋光催化材料制备方法