“钨硼碲”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果88979个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种碲化钨-硼化钨异质结电催化剂及其制备方法和应用-CN202010412866.9有效
发明人：范修军;刘辉;李思殿 -专利权人：山西大学
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂及其制备方法和应用，目的是提供一种多孔的碲化钨和硼化钨异质结的多孔薄膜材料作为新型电催化剂，以便获得更强的水分解析氢电催化性能。技术方案是：一种碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂，所述催化剂为以阳极氧化后的钨箔为模板和钨源，分别以碲粉为碲源，硼氧混化物粉末为固体硼源，先后通过两步化学气相沉积的方法制备而成的碲化钨与硼化钨两相异质结的纳米多孔薄膜本发明的碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂具有优异的析氢电化学还原性能，其中异质结构使得碲化钨中电子向硼化钨转移，优化了碲化钨和硼化钨界面的局域电子结构，改善了其对氢的吸附能，使得其催化活性增强、析氢性能高度稳定等
一种碲化钨硼化钨异质结电催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种光致变色钨硼碲磷酸盐玻璃及其制备方法-CN202210147357.7在审
发明人：杨正文;肖代文;胡振;白雪;字映竹;付丽香;赵和平;邱建备;宋志国;杨勇;周大成 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C03C4/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致变色钨硼碲磷酸盐玻璃的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将原料混合均匀，研磨得到混合物料；将混合物料加热融化、保温，把玻璃熔融液倒在铜板上随铜板冷却到室温，得到钨硼碲磷酸盐玻璃；对样品进行切割本发明的制备方法将原料混合研磨、加热融化、保温后在同伴上进行冷却，再切割、抛光就能得到无机光致变色玻璃；该钨硼碲磷酸盐玻璃变色反应速率快、抗老化性能强、变色持续时间长、热稳定性能好，变色明显、可逆性好、
一种变色钨硼碲磷酸盐玻璃及其制备方法

[发明专利]一种无铅封接玻璃、封装装置及其制作方法-CN201810533759.4在审
发明人：秦国斌;卢克军;于洪林 -专利权人：北京北旭电子材料有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C03C8/24 文献下载
摘要：所述无铅封接玻璃，至少包括由氧化铋、氧化钒、氧化钨、氧化碲、氧化锌以及氧化硼相互混合并熔融所成，其中，所述氧化铋的重量百分比为15％‑60％，所述氧化钒的重量百分比为10％‑30％，所述氧化钨的重量百分比为5％‑30％，所述氧化碲的重量百分比为5％‑30％，所述氧化锌的重量百分比为5％‑30％，所述氧化硼的重量百分比为1％‑10％。
重量百分比铅封封装装置氧化钒氧化硼氧化钨氧化锌氧化碲氧化铋玻璃封接玻璃膨胀系数熔融制作

[发明专利]太阳能电池电极形成用导电性糊-CN201680015189.9有效
发明人：金作整;西村浩辅;仓桥昌幸 -专利权人：昭荣化学工业株式会社
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：上述太阳能电池电极形成用导电性糊包含：碲系玻璃料、导电性粉末和有机载体；以氧化物换算计，该碲系玻璃料以30～70摩尔％的比率含有碲、以15～40摩尔％的比率含有钨、以5～30摩尔％的比率含有锌、以0～20摩尔％的比率含有硼、以0～10摩尔％的比率含有锆，其中硼与锆的合计含量比0摩尔％大；该导电性粉末以银作为主成分，比表面积为0.4m2/g以上。
太阳能电池电极形成导电性

[发明专利]一种耐磨耐腐蚀轴承及制作工艺-CN201810203280.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：如皋市非标轴承有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C22C38/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐磨耐腐蚀轴承及制作工艺，包括以下重量份的原料：钢、高纯钛、纯硅、碳粉、锌、锡、硼化钨、钼、碲化铋和氧化镝，其制备方法为：备料、耐磨耐腐蚀金属成型、轴承粗坯制备、轴承粗坯精加工、成品检测和入库存储；本发明的通过在钢材的内部依次添加有高纯钛、纯硅、碳粉、锌、锡、硼化钨、钼、碲化铋和氧化镝，可以有效提升钢材的耐磨性和耐腐蚀性，有效提升的轴承的使用寿命；同时轴承在成型后经过冷辗扩工序、热处理工序、粗磨工序
轴承耐磨耐磨性耐腐蚀性制作工艺钢材高纯钛耐腐蚀硼化钨氧化镝碲化铋纯硅粗坯碳粉制备成型耐腐蚀金属热处理工序成品检测成型效率使用寿命研磨冷辗扩热稳定重量份备料精加工粗磨精磨存储入库

[发明专利]一种钨铜合金及其制备方法-CN201610940186.8在审
发明人：林海英 -专利权人：林海英
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C22C29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种钨铜合金，包括以下重量份数配比的原料碳化钨粉150‑152份、铜粉48‑50份、钙2‑4份、碲1‑3份、氯化钡1‑3份、碳化钛2‑4份、碳化钽2‑4份、碳化锆1‑3份、碳化硼5‑7份、铥1‑3份、镱1‑3份、镥1‑3份、六氯乙烷2‑4份、氯化铜2‑4份、六氯化钨5‑7份和氮化硅1‑3份，该钨铜合金强度高。
一种铜合金及其制备方法

[发明专利]一种利用气相输运法生长二碲化钨单晶的方法-CN201510090508.X在审
发明人：邱俊;张芷铭 -专利权人：安庆美晶新材料有限公司
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种气相输运生长二碲化钨单晶的方法，通过以3N以上纯度二碲化钨多晶粉末为原材料，将二碲化钨多晶与转移剂（I2或TeCl4等）放入三温区炉中进行气相输运反应，可以得到高纯度的二碲化钨单晶晶体。
一种利用输运生长二碲化钨单晶方法

[发明专利]一种二碲化钨的制备方法-CN201811520412.2有效
发明人：王志宏;曹明星;马立文;席晓丽 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二碲化钨的制备方法，包括：将由具有络合作用的第一溶剂和钨原料组成的钨原料液与由具有还原作用的第二溶剂和碲原料组成的碲原料液混合均匀后，在惰性气体保护下高温反应，冷却后即得；钨原料为六氯化钨和/或钨粉，第一溶剂为乙二胺，碲原料为碲粉和/或二氧化碲，第二溶剂为乙二胺和/或水合肼。本发明提供了一种采用新原料且制备过程更加温和的二碲化钨的制备方法，有效克服了现有技术中的制备方法高能耗、长时间的缺陷，且本发明的制备方法所述设备和仪器简单常见，具有重要的推广价值；本发明的产物结晶性好，
一种二碲化钨制备方法

[发明专利]一种非静压条件下金属化的碲化锗制备及标定方法-CN202111086648.1有效
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明公开了一种非静压条件下金属化的碲化锗制备及标定方法，分别在四柱型压机上下支撑块的合金钢和铍铜上开对称的圆孔；把金刚石置于安放在工装上的碳化钨底座上；将合金刚石下部与碳化钨底座固定；烘烤完后分别把两组金刚石和底座置于四柱型金刚石压腔高温高压实验设备上；预压T301不锈钢金属垫片；将将氮化硼和环氧树脂绝缘粉置入样品腔合上压机进行二次预压，将第二次预压后垫片样品腔用激光打孔机在中心钻出圆孔作为样品腔；将高纯度固体半导体碲化锗粉末作为初始物放入样品腔合上压机；加压至36.5GPa，并恒压3.0小时得到金属化的碲化锗；解决了现有技术制备金属相的碲化锗压力点不明确，标定不准确等技术问题。
一种静压条件下金属化碲化锗制备标定方法

[发明专利]石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器及制备方法与应用-CN202111486768.0在审
发明人：杨诚;张显美 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明属于电子核心技术及生物医学工程技术领域，涉及传感器的制造及分子生物信息检测，具体涉及石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器及制备方法与应用，包括导电玻璃，所述导电玻璃表面设置单层单晶石墨烯薄膜，单层单晶石墨烯膜薄开设石墨烯沟道，石墨烯沟道上设置碲化钨薄膜形成顶栅，并使石墨烯与碲化钨形成石墨烯/碲化钨异质结构。其制备方法为：在金属箔表面制备单层单晶石墨烯材料，将金属箔刻蚀去除获得单层单晶石墨烯薄膜，将单层单晶石墨烯薄膜转移至导电玻璃表面，将单层单晶石墨烯薄膜刻出石墨烯沟道，将碲化钨薄膜转至使碲化钨薄膜搭接在石墨烯沟道上
石墨碲化钨异质结构生物传感器制备方法应用

[发明专利]一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法-CN202111361183.6在审
发明人：戴伦;程智轩;贾雄辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法。该方法先在衬底上生长半导体相碲化钼薄膜，再图案化半导体相碲化钼薄膜并生长钨薄膜，得到金属钨和半导体相碲化钼相间的薄膜，继而通过化学气相沉积法使钨薄膜变为半金属相碲化钨薄膜；再次图案化后得到分立的以半导体相碲化钼为沟道、以半金属相碲化钨为电极的器件阵列；最后通过原子层沉积氧化铪薄膜对器件实现n型掺杂，并制备图案化的顶栅金属电极，获得大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列。该方法对二维碲化钼n型掺杂效果理想，掺杂程度可调，同时所制备的器件源漏电极接触电阻低，提高了器件性能，为二维半导体材料在集成电路等领域的应用提供了基础。
一种制备大面积性能二维碲化钼场效应晶体管阵列方法

[发明专利]一种铝合金及其制备方法-CN201610684712.9在审
发明人：顾建 -专利权人：顾建
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝合金及其制备方法，其组成按重量百分比为，10.2‑10.5％的硅、2.3‑2.4％的铜、0.8‑1.0％的镁、3.1‑3.3％的镍、0.12‑0.15％的钛、0.15‑0.18％的钨、0.03‑0.05％的硼、0.1‑0.2％的钒、0.01‑0.03％的钼、0.3‑0.5％的锡、0.01‑0.03％的铟、0.01‑0.03％的钪、0.01‑0.03％的碲、0.01‑0.03％的钌、0.01‑通过本技术方案中加入钨和锆元素，在提高合金的耐高温性能的同时能够细化组织内部的晶粒，提高表面光滑度，并且通过加入硼元素同锆元素共同提高在高温情况下的耐磨能力。
一种铝合金及其制备方法

[发明专利]一种铝合金-CN201410591238.6无效
发明人：郭芙 -专利权人：郭芙
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝合金，其配料组成按重量百分比为，10.2-10.5％的硅、2.3-2.4％的铜、0.8-1.0％的镁、3.1-3.3％的镍、0.12-0.15％的钛、0.15-0.18％的钨、0.03-0.05％的硼、0.1-0.2％的钒、0.01-0.03％的碲，0.03-0.05％的锶，0.01-0.05％的铋，0.03-0.05％的锡，0.01-0.015％的锆，余量为铝。通过本技术方案中加入钨和锆元素，在提高合金的耐高温性能的同时能够细化组织内部的晶粒，提高表面光滑度，并且通过加入硼元素同锆元素共同提高在高温情况下的耐磨能力。
一种铝合金

[发明专利]一种铝合金及制备方法-CN201410591236.7无效
发明人：郭芙 -专利权人：郭芙
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝合金及制备方法，其配料组成按重量百分比为，10.2-10.5％的硅、2.3-2.4％的铜、0.8-1.0％的镁、3.1-3.3％的镍、0.12-0.15％的钛、0.15-0.18％的钨、0.03-0.05％的硼、0.1-0.2％的钒、0.01-0.03％的碲，0.03-0.05％的锶，0.01-0.05％的铋，0.03-0.05％的锡，0.01-0.015％的锆，余量为铝。通过本技术方案中加入钨和锆元素，在提高合金的耐高温性能的同时能够细化组织内部的晶粒，提高表面光滑度，并且通过加入硼元素同锆元素共同提高在高温情况下的耐磨能力。
一种铝合金制备方法

[发明专利]一种二碲化钨纳米线材料的制备及二碲化钨纳米线材料-CN201811292951.5有效
发明人：张志勇;许曼章;刘政;赵武;闫军锋;王雪文;贠江妮;郭昱希;李强;王学文;郑璐 -专利权人：西北大学
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二碲化钨纳米线材料的制备及二碲化钨纳米线材料，二氧化硅/硅片为衬底，钨粉和碲粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二碲化钨纳米线的生长；所述二碲化钨纳米线的生长容器为石英管该实验制备方法工艺简单，成本低廉，所制备的二碲化钨纳米线质量高。二碲化钨超大磁阻效应，超导电性等物理性质，具有有较高的研究意义与应用价值。
一种二碲化钨纳米线材制备

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 88979 条