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[发明专利]一种制备掺铕镓锗硅酸钙荧光粉体的方法及生物应用-CN202310145665.0在审
发明人：邱智华;池利生;孔祥乾 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备掺铕镓锗硅酸钙荧光粉体的方法、掺铕镓锗硅酸钙荧光粉体及应用。/base:Sub>Si1‑x)O7:Eu2+的配比，将包括含钙化合物、含镓化合物、含锗化合物、含硅化合物和含铕化合物的原料混合，得到混合原料；b)在还原性气氛下，将混合原料烧结，制成粉体，得到掺铕镓锗硅酸钙荧光粉体，其中Ca1.99Ga铕镓锗硅酸钙荧光粉体可发绿光，发光性能优良，分散性好且变温荧光性能优异，可应用于指纹识别等生物领域中。
一种制备掺铕镓锗硅酸荧光粉方法生物应用

[发明专利]氮化物荧光体及其制造方法与发光装置-CN201110142082.X有效
发明人：庄渊仁;温正雄;林志龙 -专利权人：奇美实业股份有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体及其制造方法与发光装置，其中，荧光体组成式为Ii-Mm-Aa-Bb-Ot-Nn:Zr，其中，I选自于锂、钠及钾所组成的群组，M选自于钙、锶、镁、钡、铍及锌所组成的群组，A选自于铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镥所组成的群组，B选自于硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的群组，Z元素选自于铕及铈所组成的群组；0＜i＜0.25，0＜a＜1，0＜b＜2，m+r＝1，1.15＜b/a＜1.4，0≤t≤
氮化物荧光及其制造方法发光装置

[发明专利]作为半导体外延薄膜生长用衬底的纤锌矿结构氧化物-CN96190844.0无效
发明人： B·H·T·切尔 -专利权人：中佛罗里达大学
申请日： 1996-06-10 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：它包括锂铝氧化物(LiAlO↓[2])、钠铝氧化物(NaAlO↓[2])、锂镓氧化物(GaAlO↓[2])、钠镓氧化物(NaGaO↓[2])、锂锗氧化物(Li↓[2]GeO↓[3])、钠锗氧化物(Na↓[2]GeO↓[3])、钠硅氧化物(Na↓[2]SiO↓[3])、锂磷氧化物(Li↓[3]PO↓[4])、锂砷氧化物(Li↓[3]AsO↓[4])、锂矾氧化物(Li↓[3]VO↓[4])、锂锰锗氧化物(Li↓[2]MgGeO↓[4])、锂锌锗氧化物(Li↓[2]ZnGeO↓[4])、锂镉锗氧化物(Li↓[2]CdGeO↓[4])、锂锰硅氧化物(Li↓[2]MgSiO↓[4])、锂锌硅氧化物(Li↓[2]ZnSiO↓[4])、锂镉硅氧化物(Li↓[2]CdSiO↓[4])、钠锰锗氧化物(Na↓[2]MgGeO↓[4])、钠锌锗氧化物(Na↓[2]ZnGeO↓[4])和钠锌硅氧化物(Na↓[2]ZnSiO
作为半导体外延薄膜生长衬底锌矿结构氧化物

[发明专利]制造Ⅲ族氮化物半导体的方法-CN201010139890.6有效
发明人：佐藤峻之;永井诚二;森勇介;北冈康夫;岩井真;东原周平 -专利权人：丰田合成株式会社;国立大学法人大阪大学;日本碍子株式会社
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
制造氮化物半导体方法

[发明专利]一种用树脂从锌粉置换镓锗渣中回收镓锗的方法-CN201511014055.9在审
发明人：廖谨鹏;段良洪;李桥;欧晓庆 -专利权人：郴州丰越环保科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用树脂从锌粉置换镓锗渣中回收镓锗的方法，包括如下步骤：A、用锌电解废液、水和镓锗渣酸浸；B、将步骤A的一次酸浸液用铁粉置换铜，得置换后液；C、将上述置换后液用丹宁沉锗，过滤得到锗精矿；D、将步骤A中的酸浸渣一次碱浸的一次碱浸液用树脂吸附镓锗，加入解析硫酸，得到含镓锗解析液，在解析液中加入的氢氧化钠，控制PH值反应沉镓后，过滤得到镓精矿和沉镓后液；E、调整步骤D得到的沉镓后液的PH值，加入硫酸镁，反应沉锗，过滤得锗精矿。本发明通过调整酸浸条件将镓锗的酸浸浸出率降低，提高镓锗碱浸浸出率，在碱浸液中用树脂吸附镓锗，硫酸溶液解析，再用碱中和，得到镓精矿和锗碱溶液，锗碱溶液再用硫酸镁沉淀。
一种树脂锌粉置换镓锗渣中回收方法

[发明专利]一种从含镓锗精矿中回收镓的工艺方法-CN201210074234.1无效
发明人：靳林;那金华;普世坤;冯章启;肖春宏 -专利权人：临沧师范高等专科学校
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C22B3/10 文献下载
摘要：一种从含镓锗精矿中回收镓的工艺方法，属于冶金领域，尤其是一种湿法从含镓锗精矿中回收镓的工艺。本发明的工艺包括锗精矿的破碎、锗的蒸馏分离、压滤分离、过滤液酸度调节、镓的萃取、富镓有机相的反萃取以及精镓制备过程。本发明针对锗精矿中的镓回收，提出了回收镓的有效可行的方法，具有很大的应用前景，是从锗精矿提锗后的残液中回收镓的低成本高效的工艺方法。
一种含镓锗精矿回收工艺方法

[发明专利]从复杂含锗镓的冶炼渣或矿石中选择性浸出锗镓的方法-CN201310468825.1有效
发明人：覃小龙;谢兆凤;刘万里;黄海飞;李环;粟明辉;蒋朝金 -专利权人：郴州市金贵银业股份有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从复杂含锗镓的冶炼渣或矿石中选择性浸出锗镓的方法，属有色金属湿法冶金及二级资源回收领域。本发明是在高温高压通氧碱性条件下从复杂含锗镓的冶炼渣或矿石中选择性浸出锗、镓，经过调节pH值除杂后，依次用氯化钙沉镓，中和沉锗，使锗、镓得到选择性回收。本发明可以实现锗回收率高达98%，镓回收率高达99%；达到了高选择性浸出锗镓的效果，且回收率高。本发明原料适用性强，不但适用于各种复杂含锗镓的火法、湿法冶炼渣，还可以适用于高含锗镓的矿石。
复杂含锗镓冶炼矿石选择性浸出方法

[发明专利]一种从含镓和锗的草酸盐溶液中回收镓和锗的方法-CN201610516517.5有效
发明人：刘志宏;刘付朋;李玉虎;陈欢;刘智勇;李启厚 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C22B3/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种从含镓和锗的草酸盐溶液中回收镓和锗的方法，预先调整含镓和锗的草酸盐溶液的pH值为0.5～1.0，加入还原铁粉或活化后的还原铁粉，超声处理，于30～90℃反应，分离，再进行后续的镓、锗回收本发明在不损失镓、锗的基础上，从含镓、锗的草酸溶液中将Fe(Ⅲ)预先高效去除，提高镓、锗回收效率，增加镓、锗产品纯度，降低回收难度，并同时得到高纯度、结晶性好的草酸亚铁产品。
一种草酸盐溶液回收方法

[发明专利]锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用-CN202110274722.6有效
发明人：张建军;黄鼎铭 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构的方法。本发明还提供本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构或本发明的方法制得的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构在锗基III‑V族半导体光电器件中的应用。本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构能够完全避免砷化镓/锗异质结构中反向畤的产生，进而实现无缺陷的异质结薄膜。本发明的制备方法简单，且能够实现大规模阵列式可控生长。
衬底砷化镓锗异质结薄膜复合结构及其制法应用

[发明专利]一种锗镓纳米线作为锂离子电池电极材料的应用-CN201810124313.6有效
发明人：于兆亮;孟祥东;王多;李海波;孙萌;尹默;袁梦 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗镓纳米线作为锂离子电池电极材料的应用，所述锗镓纳米线化学组成上包括单质锗和单质镓，所述锗镓纳米线中单质锗和单质镓的原子比为(4～9)：1。本发明以锗镓纳米线作为锂离子电池的电极材料，能够改善锂离子电池的电池循环性能与倍率性能。
一种纳米作为锂离子电池电极材料应用

[发明专利]从镓锗物料中回收镓锗的方法-CN202011254318.4有效
发明人：彭永延;陈应红;刘留;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本公开提供一种从镓锗物料中回收镓锗的方法，其包括步骤：步骤一，将水与锗镓物料加入浆化槽，制备浆化物料；步骤二，浆化物料转入浸出设备，浸出反应后，将浸出液与浸出渣分离；步骤三，浸出液加入铁粉还原搅拌槽，进行铁粉还原反应，Cu100ppm时，分离还原液与还原渣；步骤四，还原液转入沉镓搅拌槽，调节条件，进行保温反应，当Ga≤50ppm，分离沉镓液与沉镓渣，沉镓渣烘干得镓精矿，处理得到4N镓；步骤五，沉镓液转入沉锗搅拌槽，进行保温反应，Ge≤50ppm时，分离沉锗液与沉锗渣，沉锗渣烘干得到锗精矿，处理得到二氧化锗；步骤六，沉锗液转入二次沉锗槽，保温反应，当Ge≤3ppm，分离二次沉锗液与二次沉锗渣，二次沉锗液转污水处理，二次沉锗渣转步骤一循环处理。
物料回收方法

[发明专利]一种从锌冶炼渣中提取镓锗的方法-CN201210048506.0无效
发明人：林江顺;王玉芳;王海北;蒋训雄;汪胜东;赵磊;冯爱玲;冯亚平;邹小平;闫丽;李相良;苏立峰 -专利权人：北京矿冶研究总院
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：一种从锌冶炼渣中提取镓锗的方法，涉及一种从锌冶炼渣中湿法提取金属镓锗的方法。特征在于其提取过程是将锌冶炼渣采用两段酸浸，一段酸浸浸出镓，再将浸出镓后的酸浸渣进行二段酸浸浸出锗。本发明的方法，根据实验发现稀散金属富集渣镓锗的浸出特点及镓锗的萃取特性，提出镓锗分步浸出-萃取富集镓锗的工艺流程，使锗浸出-萃取实现闭路循环，省去了碱中和工序，省去了碱耗，降低了酸耗，减少了废水排放。
一种冶炼提取方法

[发明专利]铕掺杂铝锗酸盐发光薄膜、制备方法及其应用-CN201310292619.X无效
发明人：周明杰;陈吉星;王平;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种铕掺杂铝锗酸盐发光薄膜，所述铕掺杂铝锗酸盐发光薄膜的材料的化学通式为MeAl_2-xGe₂O₈：xEu^{3+铕掺杂铝锗酸盐发光薄膜（MeAl_2-xGe₂O₈：xEu³⁺）的电致发光光谱（EL）中，在590nm和620nm波长区都有很强的发光峰，这种铕掺杂铝锗酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。本发明还公开了上述铕掺杂铝锗酸盐发光薄膜的制备方法、使用该铕掺杂铝锗酸盐发光薄膜的薄膜电致发光器件及其制备方法。}
掺杂铝锗酸盐发光薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种从镓锗物料中回收镓锗的方法-CN202011468567.3在审
发明人：李如旭;贾行伟;殷亮;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从镓锗物料中回收镓的方法，所述镓锗物料中含有以氢氧化物的形式存在的镓、锗和铁金属元素，所述方法包括：将镓锗物料加入酸液中进行酸浸，调节酸液的pH值至1.5～2.0，得到浸出液；将浸出液在85～95℃下保温反应6～12h，维持浸出液的pH值在1.5～2.0，反应结束后过滤得到第一富镓渣和富锗酸液；将第一富镓渣加入纯水中搅拌反应，反应结束后过滤得到第二富镓渣和洗涤液；将第二富镓渣加入碱液中进行碱浸，碱浸结束后过滤得到碱浸渣和碱浸液，电解沉积回收碱浸液中的金属镓；将富锗酸液进行中和，过滤，得到滤液和锗精矿。本发明的方法属于纯湿法，采用了镓铁混合沉矾的方式高效选择性分离镓锗物料中的镓锗，镓的回收率高，成本低，操作简单。
一种物料回收方法

[发明专利]一种从提锗残渣中回收镓和锗的方法-CN201210235361.5有效
发明人：普世坤;包文东;朱知国;尹国文 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：一种从提锗残渣中回收镓和锗的方法，涉及湿法冶金技术领域，具体是一种从含锗煤烟尘提锗后的残渣中回收镓和锗的工艺方法。该方法是通过焙烧、浸出、锗的蒸馏分离、渣液分离、萃取、反萃取、水解沉淀和镓锗精矿制备工序实现的。本发明的方法可以将火法冶炼得到的含锗煤烟尘在进行盐酸氯化蒸馏分离锗后的残渣中的镓和锗进行有效回收利用，方法经济合理。
一种残渣回收方法

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