“钌膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果906907个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种钌配合物单分子膜和在HOPG上制备钌配合物单分子膜的方法-CN201410839774.3在审
发明人：王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种钌配合物单分子膜和在HOPG上制备钌配合物单分子膜的方法，属于分子自组装化学技术领域。该钌配合物单分子膜中钌配合物中的芘基与具有π-电子环境的HOPG通过π-π相互作用，将钌配合物分子的两个芘基固定在HOPG界面，该钌配合物通式为[Ru(Py₄G_{2钌配合物溶液，然后将HOPG的进行表面处理，最后采用旋涂法或浸渍法将钌配合物自组装在HOPG基底上制备得到钌配合物单分子膜。本发明采用两种方法制备钌配合物单分子膜，制备的钌配合物单分子膜具有良好的机械和化学稳定性，分子膜的厚度可控等诸多优点。}
一种配合分子 hopg 制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200310116474.4无效
发明人：松沼健司 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-11-18 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明方法的目的在于：不使被加工膜削损而有选择地除去掩模材，容易地形成微细图案。该方法的具体步骤如下：在衬底(11)上形成栅氧化膜(12)，在栅氧化膜上形成多晶硅膜(13)，在多晶硅膜上形成作为掩模材的钌膜(14)，在钌膜上形成光刻胶图案(15)；以光刻胶图案(15)为掩模使钌膜(14)形成图案后，使形成了图案的钌膜(14a)收缩；以收缩了的钌膜(14b)为掩模使多晶硅膜(13)形成图案后，将钌膜(14b)除去。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种壳聚糖生物吸附膜回收含钌废液中钌的设计方法-CN202111460678.4在审
发明人：赵羽;蒯赟;沈光宇;王光应 -专利权人：安徽元琛环保科技股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B01J20/24 文献下载
摘要：本发明公开一种壳聚糖生物吸附膜回收含钌废液中钌的设计方法，涉及贵金属回收技术领域，是基于现有的回收含钌废液中钌的方法存在回收效率低、成本高的问题提出的，包括以下步骤：(1)壳聚糖乙酸溶液的制备；(2)生物吸附膜的制备；(3)生物吸附膜的制备；(4)生物吸附膜回收含钌废液中钌。本发明制备壳聚糖乙酸溶液的原料来源广泛，生产成本低，且制备壳聚糖乙酸溶液可使壳聚糖的结构保持完整，添加谷氨酸棒状杆菌有利于更好的促进生物吸附膜的形成，且吸附膜表面的聚醚酰亚胺涂层提高了生物吸附膜对钌的吸附能力，有效提高废液中钌的回收率。
一种聚糖生物吸附回收废液设计方法

[发明专利]新型钌化合物、其制备方法、包含其的膜沉积用前体组合物及利用前体组合物的膜沉积方法-CN201580028799.8有效
发明人：韩元锡;金沼怜;高元勇 -专利权人： UP化学株式会社
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明涉及新型钌化合物、所述钌化合物的制备方法、包含所述钌化合物的用于沉积含钌膜的前体组合物以及利用所述前体组合物的含钌膜沉积方法。
前体组合物钌化合物含钌膜膜沉积沉积制备

[发明专利]一种石墨烯-对称性钌配合物复合膜和利用旋涂法自组装石墨烯的方法-CN201410839830.3在审
发明人：王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯-对称性钌配合物复合膜和利用旋涂法自组装石墨烯的方法，属于分子自组装化学技术领域。该石墨烯-对称性钌配合物复合膜，该石墨烯-对称性钌配合物复合膜中对称性钌配合物中一对芘基与HOPG表面通过非共价键的作用，将钌配合物分子固定在HOPG表面，另一对芘基通过旋涂作用将石墨烯固定在钌配合物单分子膜上首先在HOPG基片上自组装钌配合物制备单分子膜，然后配制石墨烯分散液，最后通过旋涂作用将石墨烯固定在钌配合物单分子膜上制备得到石墨烯-对称性钌配合物复合膜。
一种石墨对称性配合复合利用旋涂法组装方法

[发明专利]钼片复合镀钌工艺-CN201010154157.1有效
发明人：郭丽萍;傅蔡安;张一雯 -专利权人：江苏时代华宜电子科技有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C23C28/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种钼片复合镀钌工艺，钌膜层由化学镀、溅射及电镀相结合完成，钌膜镀层内部晶粒致密，分布均匀，与钼片具有较高的结合力，不易起皮脱落，钌膜表面质量好，综合性能稳定，使用寿命长；镀钌过程中温度较低，钼片变形小，提高钼片镀钌的合格率，降低生产成本。
复合工艺

[发明专利]一种厚膜电阻用氧化钌的制备方法-CN202111408465.7有效
发明人：赵盘巢;张卜升;陈昆昆;郭俊秋;黄钰杰 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C01G55/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜电阻用氧化钌的制备方法，该方法包括：一、将三氯化钌和氯化铵混合后进行球磨得到混合粉末；二、将混合粉末进行煅烧还原得到片状钌粉；三、将片状钌粉进行球磨得到纳米钌粉；四、将纳米钌粉在空气中进行煅烧得到厚膜电阻用氧化钌本发明通过控制前驱体钌盐的球磨、结合控制钌粉的形貌、再经空气煅烧，得到大粒径的类球形氧化钌粉末，避免了氧化钌粉末继承片状钌粉的形貌，保证了氧化钌粉末的类球形形貌，使其适合于厚膜电阻用，同时该制备方法工艺简单
一种电阻氧化制备方法

[发明专利]一种钌配合物单分子膜和在石墨烯上自组装钌配合物制备单分子膜的方法-CN201410838521.4在审
发明人：王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种钌配合物单分子膜和在石墨烯上自组装钌配合物制备单分子膜的方法，属于分子自组装化学技术领域。该在石墨烯上定向自组装的钌配合物单分子膜，该钌配合物单分子膜中钌配合物中的芘基与具有π-电子环境的石墨烯通过π-π相互作用，将钌配合物分子的两个芘基固定在石墨烯界面。首先配制钌配合物溶液，配制石墨烯分散液，然后将预处理的ITO基片固定在旋凃仪上，将配置好的石墨烯分散液基片上均匀铺展成膜制备石墨烯基底，最后在石墨烯基底上定向组装钌配合物制备单分子膜。
一种配合分子石墨组装制备方法

[发明专利]一种石墨烯-钌配合物多层复合膜和制备石墨烯-钌配合物多层复合膜的方法-CN201410840097.7有效
发明人：王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯‑钌配合物多层复合膜和制备石墨烯‑钌配合物多层复合膜的方法，属于复合材料制备技术领域。石墨烯‑钌配合物多层复合膜由基底的单分子膜上重复有序叠加对称性钌配合物或石墨烯形成多层复合膜，对称性钌配合物分子中的一对芘基与HOPG通过非共价键作用固定在HOPG界面，另一对芘基与具有网状结构的π‑电子环境的石墨烯相互作用，第一层膜为对称性钌配合物，第二层为石墨烯，如此重复，其中奇数为对称性钌配合物层，偶数为石墨烯层。本发明与单独的石墨烯或钌配合物自组装薄膜相比更加有组织、电化学性能明显提高。
一种石墨配合多层复合制备方法

[发明专利]钌或钌的化合物在制备厚膜加热元件中的应用和含有该物质的厚膜加热元件及其电阻浆料-CN201610519484.X在审
发明人：杨睿达;杨明懿 -专利权人：新乡市杰达精密电子器件有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H05B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了钌或钌的化合物在制备厚膜加热元件中的应用和含有钌或钌的化合物的厚膜加热元件及其电阻浆料。本发明通过提供一种新的厚膜加热电路的电阻浆料，即利用现有的厚膜电阻浆料制备技术将其中的导电相替换为钌或钌的化合物，来解决现有技术中电阻浆料中玻璃相增加到一定量时，对方阻的影响程度加剧，重烧变化率大的问题申请人在大量的研究试验中发现，将现有的钯银浆料中的导电相替换为钌或钌的化合物，可以确保在玻璃相增加后，方阻变化可控，重烧变化稳定。以此为基础，申请人研究出含有钌或钌的化合物的电阻浆料，该浆料可以成功应用于并联厚膜加热电路中，其较大的方阻，可以确保并联后的电路电阻可调可控。本发明有效地解决了现有技术中，串联的厚膜加热电路容易损坏的弊端，提供了并联形式的厚膜加热电路。
化合物制备加热元件中的应用含有物质及其电阻浆料

[发明专利]镀钌钼片等离子体表面处理方法-CN201610035707.5有效
发明人：俞叶 -专利权人：宜兴市科兴合金材料有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C22F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种钼片表面表面处理方法，具体为镀钌钼片等离子体表面处理方法，用等离子体轰击处理钼片的镀钌膜层表面，将需要处理的钼片放在真空腔体内，镀钌膜面向等离子放电的阳极，被处理的钼片作为放电的阴极。本发明提供的镀钌钼片等离子体表面处理方法，提高生产效率，简化工艺过程，提高产品的良品率，并且该方法安全节能、清洁，工艺稳定操作简单，即在真空腔体内用高纯Ar气为工作气体，使其电离形成辉光放电，电离的Ar+轰击钼片镀钌的表面，钌的膜层获得能量，从而达到镀钌膜层表面处理的效果，且因在真空环境下，放电工作气体为高纯氩气，使钼片镀钌表面经等离子体处理后，不会被二次污染，处理后钌膜层一致性好。
镀钌钼片等离子体表面处理方法

[发明专利]热稳定的钌前体组合物和形成含钌膜的方法-CN202180067977.3在审
发明人：高元勇;金镇植;金大荣 -专利权人： UP化学株式会社
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请涉及热稳定性高的用于形成膜的钌前体化合物、包含该钌前体化合物的用于形成膜的前体组合物以及使用该用于形成膜的前体组合物来形成含钌膜的方法。
稳定钌前体组合形成含钌膜方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410098253.3无效
发明人：中村吉孝;川越刚;佐久间浩;浅野勇;黑木启二;五嶋秀和;饭岛晋平 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在形成上电极保护膜从而使其与上电极的钌膜紧密接触而并未损坏钌膜之后，对上电极进行刻蚀，从而获得MIM电容器，其中并不会由于上电极的钌膜的氧化而导致漏电流的增加。
半导体器件制造方法

[发明专利]钌膜的成膜方法以及计算机能够读取的存储介质-CN200780007041.1无效
发明人：河野有美子;山崎英亮;有马进 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供一种钌膜的成膜方法以及计算机能够读取的存储介质，该钌膜的成膜方法为，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，向处理容器内导入钌的戊二烯基化合物气体(例如2，4-二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌)和氧气，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。此外，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，以钌化合物气体和能分解该化合物的分解气体中的至少一方的流量能够周期性变化的方式导入这些气体，交互地形成不同气体组成的多个步骤，在这些步骤间不对处理容器内进行吹扫，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。
方法以及计算机能够读取存储介质

[发明专利]一种钌配合物/石墨烯复合膜和在HOPG上制备钌配合物/石墨烯复合膜的方法-CN201410839890.5在审
发明人：王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种钌配合物/石墨烯复合膜和在HOPG上制备钌配合物/石墨烯复合膜的方法，属于分子自组装化学技术领域。该钌配合物/石墨烯复合膜中对称性钌配合物分子中的一对芘基与HOPG表面通过非共价键的作用，将钌配合物分子固定在HOPG表面，另一对芘基与具有网状结构的π-电子环境的石墨烯通过π-π相互作用，将石墨烯固定在钌配合物单分子膜上，该对称性钌配合物的化学式为[Ru(Py₂G₁MeBip)₂](PF₆)₂。首先在HOPG基片上自组装钌配合物单分子膜，然后配制石墨烯分散液，最后石墨烯自组装在经钌配合物修饰的HOPG基片上。本发明制备的薄膜具有良好的机械和化学稳定性，薄膜的厚度可控等诸多优点。
一种配合石墨复合 hopg 制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条