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[发明专利]热电装置-CN200980131299.1无效
发明人： S·林贝克;R·布吕科 -专利权人：排放技术有限公司
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：热电装置(1)至少包括：具有第一材料厚度(3)的第一金属膜(2)，具有第二材料厚度(5)的第二金属膜(4)，在第一金属膜(2)和第二金属膜(4)之间的间隙(6)，在第一金属膜(2)和第二金属膜(4)上朝向所述间隙
热电装置

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201110021517.5有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN200780053264.1有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]显示装置-CN201810172817.5有效
发明人：津野仁志;永泽耕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本显示装置包括：栅极绝缘膜(130)、晶体管部分(100)，晶体管部分(100)具有半导体层(140)和栅电极层(120)，半导体层层叠在绝缘膜上，栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层相反侧上；第一电容器部分(200)，其具有第一金属膜(210)和第二金属膜(220)，第一金属膜设置在与配线层(161、162)相同的层级，配线层(161、162)电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上，第二金属膜(220)设置在第一金属膜之上，第一金属膜(210)和第二金属膜(220)之间具有第一层间绝缘膜(152)；以及显示元件，构造为由晶体管部分控制。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201810175044.6有效
发明人：津野仁志;永泽耕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本显示装置包括：栅极绝缘膜(130)、晶体管部分(100)，晶体管部分(100)具有半导体层(140)和栅电极层(120)，半导体层层叠在绝缘膜上，栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层相反侧上；第一电容器部分(200)，其具有第一金属膜(210)和第二金属膜(220)，第一金属膜设置在与配线层(161、162)相同的层级，配线层(161、162)电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上，第二金属膜(220)设置在第一金属膜之上，第一金属膜(210)和第二金属膜(220)之间具有第一层间绝缘膜(152)；以及显示元件，构造为由晶体管部分控制。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201810172472.3有效
发明人：津野仁志;永泽耕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本显示装置包括：栅极绝缘膜(130)、晶体管部分(100)，晶体管部分(100)具有半导体层(140)和栅电极层(120)，半导体层层叠在绝缘膜上，栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层相反侧上；第一电容器部分(200)，其具有第一金属膜(210)和第二金属膜(220)，第一金属膜设置在与配线层(161、162)相同的层级，配线层(161、162)电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上，第二金属膜(220)设置在第一金属膜之上，第一金属膜(210)和第二金属膜(220)之间具有第一层间绝缘膜(152)；以及显示元件，构造为由晶体管部分控制。
显示装置

[发明专利]柔性基板的制造方法和柔性基板-CN00126045.6无效
发明人：栗田英之;渡边正直 -专利权人：索尼化学株式会社
申请日： 2000-08-25 - 公布日： 2001-03-07 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明的课题是不在树脂膜上形成开口部的情况下使金属膜相互间连接。将在第2金属膜11上竖直地设置的凸点21压到在第1金属膜12上被形成的第1树脂膜16中,将凸点21埋入第1树脂膜16中,在凸点21与第1金属膜12相接的状态下,对第2金属膜11或第1金属膜12的某一方或两方进行构图,在使第1树脂膜16的表面部分地露出的状态下进行热处理,使第1树脂膜16硬化。在硬化后,可使凸点21与第1金属膜12进行超声波熔接。
柔性制造方法

[发明专利]柔性基板-CN200410097471.5无效
发明人：栗田英之;渡边正直 -专利权人：索尼化学株式会社
申请日： 2000-08-25 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本发明的课题是不在树脂膜上形成开口部的情况下使金属膜相互间连接。将在第2金属膜11上竖直地设置的凸点21压到在第1金属膜12上被形成的第1树脂膜16中，将凸点21埋入第1树脂膜16中，在凸点21与第1金属膜12相接的状态下，对第2金属膜11或第1金属膜12的某一方或两方进行构图，在使第1树脂膜16的表面部分地露出的状态下进行热处理，使第1树脂膜16硬化。在硬化后，可使凸点21与第1金属膜12进行超声波熔接。
柔性

[发明专利]显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法-CN201380030166.1有效
发明人：津野仁志;永泽耕一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本显示装置包括栅极绝缘膜(130)、晶体管部分(100)，晶体管部分(100)具有半导体层(140)和栅电极层(120)，半导体层层叠在绝缘膜上，栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层相反侧上；第一电容器部分(200)，其具有第一金属膜(210)和第二金属膜(220)，第一金属膜设置在与配线层(161、162)相同的层级，配线层(161、162)电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上，第二金属膜(220)设置在第一金属膜之上，第一金属膜(210)和第二金属膜(220)之间具有第一层间绝缘膜(152)；以及显示元件，构造为由晶体管部分控制。
显示装置半导体装置制造方法

[发明专利]一种金属网格触摸屏及其制作方法-CN201811160362.1在审
发明人：吴德生;李志成 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属网格触摸屏及其制作方法，该方法包括在基板上涂布黑色油墨层，并对黑色油墨层进行处理得到黑色油墨图案；在黑色油墨图案上方涂布第一金属膜层；在第一金属膜层上设置第一绝缘层，第一绝缘层为镂空结构；在第一绝缘层上涂布第二金属膜层，并依据预设模型同时对第二金属膜层和第一金属膜层进行蚀刻处理，得到第一金属网格层和第二金属网格层。由于本申请中的第一绝缘层为镂空结构，故在隔离第一金属膜层和第二金属膜层的同时，还可以使第二金属膜层和第一金属膜层同时进行蚀刻，相比于现有技术本申请能够在一定程度上简化金属网格触摸屏的制作工艺，有利于降低制作成本
金属膜层绝缘层金属网格触摸屏金属网格层黑色油墨镂空结构制作黑色油墨层蚀刻图案蚀刻处理涂布黑色制作工艺油墨层基板预设申请隔离

[实用新型]膜盒式压力检测装置-CN201520356969.2有效
发明人：杜宪杰 -专利权人：杜宪杰
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： G01L7/10 文献下载
摘要：膜盒式压力检测装置，包括短管、金属膜盒、针型阀和压力表，所述金属膜盒为本实用新型所述的膜盒式压力检测装置的主体部件，所述金属膜盒为弹性管，所述金属膜盒上端连接有连接管，所述金属膜盒与所述连接管内填充有液压油，在所述连接管底端靠近所述金属膜盒处设置有法兰A，所述连接管上设置有针型阀，在所述连接管的顶端设置有压力表；所述金属膜盒插入设置在短管内，所述短管径向连接测压管道，所述短管的另一端焊接有法兰B，所述法兰本实用新型结构简单合理，安装方便快捷，金属膜盒耐冲击和摩擦，液压传导压力无损失，测量结果精确，就地、远传皆可。
盒式压力检测装置

[发明专利]一种电芯膜袋封装方法、电池制备方法及电池-CN201811093797.9有效
发明人：徐诚;李桂平;葛辉明;袁中直;刘金成 -专利权人：惠州亿纬锂能股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01M10/0583 文献下载
摘要：本发明属于电池技术领域，具体公开了一种电芯膜袋封装方法、电池制备方法及电池，其中电芯包袋封装方法包括如下步骤：准备正极金属膜和负极金属膜两张金属膜；在金属膜的绝缘热封层上设置露出金属材层的导电部，在金属膜的绝缘热封层上或绝缘保护层上设置露出金属材层的极耳部；将两张金属膜的至少一侧热封形成包装膜袋；将无极耳的电芯放置在包装膜袋内，且使正极金属膜的导电部处的金属材层与电芯的正极集流体接触，负极金属膜的导电部处的金属材层与负极集流体接触；热封包装膜袋的未封闭侧边并预留注液口本发明公开的电芯膜袋封装方法、电池制备方法及电池能够提高电芯封装的品质，减小电池的整体厚度。
一种电芯膜袋封装方法电池制备

[发明专利]一种金属膜转移方法-CN202111276400.1在审
发明人：张浩亮;方杰;程崛;曾雄;贺新强 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C26/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属膜转移方法，通过将金属膜分隔成多个金属子膜，金属子膜的尺寸为1～66毫米；将金属子膜转移至目标结构表面。可以有效避免转移过程中出现金属膜的碎屑且可以降低转移工艺所需的压力和时间，有效提高了金属膜的利用率以及转移效率。
一种金属膜转移方法

[发明专利]一种芯片及其制备方法-CN202210637252.X在审
发明人：梁学慧;米振宇 -专利权人：北京量子信息科学研究院
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种芯片及其制备方法，该方法包括：制备底膜；在所述底膜表面生长第一金属膜；以及在所述第一金属膜表面生长第二金属膜；其中，制备所述第一金属膜的第一金属的抗氧化性大于制备所述底膜的金属的抗氧化性；其中，所述底膜和所述第一金属膜在同一薄膜生长设备中制得，所述第二金属膜与所述底膜在不同薄膜生长设备中制得。其在不需要离子清洗或较短时间离子清洗的情况下实现金属膜和底膜的良好电接触。且芯片上的光刻胶不会受离子的轰击或只有较少的轰击，光刻胶不会因为变性而难以剥离，残留在芯片上。
一种芯片及其制备方法

[发明专利]表面光亮品的制造方法-CN201380048049.8有效
发明人：冈部俊雄;山本修二;佐藤大辅 -专利权人：三惠技研工业株式会社
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： B32B15/02 文献下载
摘要：所述制造方法具备：利用化学镀在基材(21)的底涂层(22)上形成第一金属膜(23)的工序；利用电镀在其上形成第二金属膜(24)并且使由第一金属膜(23)、第二金属膜(24)构成的多层金属膜的各膜相互间的结合力高于底涂层(22)与第一金属膜(23)的结合力的工序；利用基材(21)与多层金属膜的内部应力差将多层金属膜整体地由裂纹(26)不连续地分割而形成由岛状结构的微细多层金属区域(25)的集合体构成且具有整体式的光亮面的视认性的岛状金属膜的工序；以及以覆盖微细多层金属区域(25)且进入裂纹(26)而与底涂层(22)接触的方式形成透光性的顶涂层(27)的工序。
表面光亮制造方法