专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201710352700.0有效
  • 秦志康;斋藤隆幸;堀部裕史 - 瑞萨电子株式会社
  • 2013-03-08 - 2020-03-31 - H01L23/535
  • 半导体装置具备:半导体芯片,具有配置有第1金属结构及第2金属结构的主面,上述第2金属结构与上述第1金属结构相邻地配置;第1金属线,与上述半导体芯片的上述第1金属结构电连接;第2金属线,与上述半导体芯片的上述第2金属结构电连接;及密封,对上述半导体芯片、上述第1金属线及上述第2金属线进行密封,其中,上述第2金属结构配置于配置上述第1金属结构的层中,在上述第1金属结构与上述第2金属结构之间形成有绝缘膜,在上述第1金属结构中,在俯视时,沿着上述第1金属结构的各边连续地形成有第1槽,并且在上述第2金属结构中,在俯视时,沿着上述第2金属结构的各边连续地形成有第2槽。
  • 半导体装置
  • [发明专利]金属石墨共生高温流体密封件成型工艺方法-CN202010483457.8有效
  • 殷晏 - 无锡宝亿沣密封材料有限公司
  • 2020-06-01 - 2022-05-31 - F16J15/10
  • 本发明公开了金属石墨共生高温流体密封件成型工艺方法,石墨填料环为环形结构,所述石墨填料环包括中间石墨结构和边缘的网状金属结构,所述网状金属结构交织设置在所述中间石墨结构的内圈和外圈上,且位于内圈和外圈的两个网状金属结构相互独立所述网状金属结构内设置有渗透石墨结构,且所述网状金属结构通过所述渗透石墨结构与所述中间石墨结构成型连接。金属网和石墨相互配合,网状金属结构的设置可以保护中间石墨结构,渗透石墨结构的设置可以润滑网状金属结构。本发明通过设置网状金属结构来提升石墨填料环的抗氧化和耐高温能力,且作为密封保护层的网状金属结构的稳定性好。
  • 金属石墨共生高温流体密封件成型工艺方法
  • [实用新型]一种防雷电阻接地装置-CN202222647822.1有效
  • 李才友;邵春雨;吴家宁;于军涛 - 云南静笃科技有限公司
  • 2022-10-08 - 2023-03-10 - H01R4/66
  • 所述防雷电阻接地装置包括建筑金属结构,所述金属结构设置在所述建筑上并通过扁钢组成;接地母线,所述接地母线固定安装在所述金属结构的底部;多个接地极,多个所述接地极均固定安装在所述接地母线上;驱动装置,所述驱动装置设置在所述建筑上。本实用新型提供的防雷电阻接地装置具有操作方便、可以防止建筑顶部金属结构焊接处被雨水浸泡腐蚀导致金属结构断开,同时便于检测建筑侧面的金属结构焊接点是否断开,从而省时省力的优点。
  • 一种防雷电阻接地装置
  • [发明专利]钝化层蚀刻的改进方法-CN202110592270.6在审
  • 赵伟;任冬华;王长山;郝建英;赵兵 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2021-05-28 - 2022-11-29 - H01L21/311
  • 本发明涉及一种钝化层蚀刻的改进方法,包括:步骤A,获取晶圆结构;所述晶圆结构包括衬底、衬底上的金属结构以及覆盖所述金属结构的钝化层;步骤B,光刻形成蚀刻窗口;步骤C,通过所述蚀刻窗口以第一射频功率干法蚀刻所述钝化层,在蚀刻至所述金属结构前停止;步骤D,通过所述蚀刻窗口以第二射频功率继续向下进行干法蚀刻,直至蚀刻至所述金属结构;所述第二射频功率小于所述第一射频功率。本发明在钝化层蚀刻至所述金属结构前,降低干法蚀刻的射频功率,从而能够降低干法蚀刻的等离子开始接触到金属结构时的等离子电荷密度,改善等离子损伤,避免等离子损伤导致器件开启电压异常。
  • 钝化蚀刻改进方法
  • [实用新型]一种光伏支架接地导电片-CN201921460679.7有效
  • 陈志锦 - 厦门科盛金属科技有限公司
  • 2019-09-04 - 2020-03-27 - H02S40/30
  • 一种光伏支架接地导电片,是由一金属结构组成,金属结构的四角边缘正表面与反表面处均设置有凸起带刺面;金属结构的单一表面上四角边缘处还设置有方形定位块;凸起带刺面是由双层面组成,一面向正表面凸起带刺,另一面向反表面凸起带刺,因此形成了金属结构的双面带刺结构;本实用新型结构设计小巧,通过在金属结构的正表面与反表面均设置有带刺结构,可以非常方便的将该金属结构固定安装在太阳能PV组件与太阳能支架之间
  • 一种支架接地导电
  • [发明专利]用作催化剂的双金属结构的合成-CN202310255479.2在审
  • 陈书堂;陈固纲 - 本田技研工业株式会社
  • 2023-03-16 - 2023-09-19 - H01M4/92
  • 本文所述的各方面整体涉及双金属结构、其合成及其用途。在一个实施方案中,本发明提供一种用于形成双金属纳米框架的方法。该方法包括通过使包含铂(Pt)的第一前与包含第8‑11族金属(M2)的第二前反应来形成第一双金属结构,其中,M2不含Pt;使包含Pt的第三前与第一双金属结构反应以形成第二双金属结构,该第二双金属结构的Pt与第8‑11族金属的摩尔比比第一双金属结构更高;以及引入第二双金属结构与酸以形成双金属纳米框架,该双金属纳米框架的Pt与第8‑11族金属的摩尔比比第二双金属结构的更高,该双金属纳米框架具有下式:(Pt)a(M2)
  • 用作催化剂双金属结构合成
  • [实用新型]熔断器、熔以及金属结构-CN200920273246.0无效
  • 孟毓强;王灵敏;唐小云;贾炜 - 库柏西安熔断器有限公司
  • 2009-12-11 - 2010-10-13 - H01H85/06
  • 本实用新型揭示了熔断器、熔以及金属结构。提出一种金属结构,用于熔断器的金属部件或者熔,该金属结构包括:高强度金属材料制成的中心部分;包围在中心部分外围,高导电率金属材料制成的表面部分。本实用新型利用趋肤效应,将金属结构设计成由高强度金属材料构成的中心部分和由高导电率金属材料构成的表面部分。还提出了利用该金属结构的熔以及熔断器,本实用新型节省了对于昂贵的高导电率金属材料的使用,节约了成本,但导电性能并不受到影响。同时,中心部分的高强度金属材料增强了金属结构的机械强度。
  • 熔断器以及金属结构

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