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[发明专利]半导体器件-CN201110242752.5无效
发明人：关根康;山形整人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：提供了一种具有电阻值的温度依赖性小的电阻元件的半导体器件。半导体器件具有金属电阻元件层。金属电阻元件层包括电阻膜层。另一金属电阻元件层包括另一金属电阻膜层。金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的一个。另一金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的另一个。氮化钛电阻的电阻值具有正温度系数。而氮化钽电阻的电阻值具有负温度系数。接触插塞将金属电阻膜层与另一金属电阻膜层电耦合。因此，氮化钛电阻的温度系数与氮化钽电阻的温度系数可以彼此抵消。这可以减小温度系数。
半导体器件

[发明专利]半导体器件中金属硅化物层电阻的仿真方法-CN201110185880.0有效
发明人：范象泉 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体器件中金属硅化物层电阻的仿真方法，通过选取多组硅化物层样本判断所述金属硅化物层是由单相或多相金属硅化物材料构成；对单相金属硅化物材料，以对应方块电阻值作为电阻模型中的方块电阻参数，建立相应电阻模型；对多相金属硅化物材料，根据多相金属硅化物材料在所述金属硅化物层中分布情况，获取各相金属硅化物材料的方块电阻与所述金属硅化物层的方块电阻的关系；基于所述关系形成电阻模型中的方块电阻参数，建立相应电阻模型；在后续对于所述半导体器件中金属硅化物层电阻仿真时，选择相应的电阻模型，结合仿真时所处的电压及温度环境，对所述金属硅化物层电阻进行仿真。从而，能够获得较为精确的金属硅化物电阻模拟结果。
半导体器件金属硅化物层电阻仿真方法

[实用新型]一种大功率金属电阻器-CN201620911230.8有效
发明人：叶德平;侯广锋 -专利权人：西安神电电器有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01C3/00 文献下载
摘要：为了解决现有技术仅通过增大空间的方式来满足金属电阻器散热的要求，从而导致电阻器体积不断增大，生产成本急剧上升的问题，本实用新型提供了一种大功率金属电阻器，该大功率金属电阻器结构简单、体积小、安装方便且成本低该大功率金属电阻器包括金属电阻片、瓷件和金属绝缘杆；所述瓷件用于夹持金属电阻片，金属电阻片与瓷件之间设置有绝缘片；所述金属绝缘杆穿过瓷件、金属电阻片以及绝缘片，用于使整体固定。
一种大功率金属电阻器

[发明专利]浪涌保护器-CN201811360830.X在审
发明人：俞东;陈国瑞 -专利权人：电安科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明浪涌保护器，包括压敏电阻模块，压敏电阻模块包括封装在一起的金属片、第一压敏电阻和第二压敏电阻，金属片夹设于第一压敏电阻和第二压敏电阻之间，第一压敏电阻和第二压敏电阻的表面镀有与金属片导电的金属。本发明中，第一压敏电阻和第二压敏电阻的表面均镀有金属，且第一压敏电阻和第二压敏电阻之间连接有金属片，第一压敏电阻和第二压敏电阻通过金属片进行电联接；金属片与第一压敏电阻之间的接触面积、金属片与第二压敏电阻之间的接触面积远大于现有技术中使用导线电联接的点接触面积，因此本发明的接触电阻小，并且浪涌能力大大增强，此外，使用此种方式，可减小压敏电阻模块的体积，进而减小浪涌保护器的体积。
压敏电阻金属片压敏电阻模块浪涌保护器减小金属接触电阻金属片夹表面镀导线电点接触电联接导电浪涌封装联接

[发明专利]双极型晶体管器件中接触孔或通孔电阻的测量模型和方法-CN200910194439.1有效
发明人：王兵冰;许丹 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提出一种双极型晶体管器件中接触孔或通孔电阻的测量模型和方法，用于测量晶体管器件后端工艺中的接触孔和通孔的电阻值，测量模型由多个电阻器件组成。测量接触孔的电阻值需要设计一组不同长度和宽度的多晶硅电阻或扩散电阻，测量通孔的电阻值需要设计一组不同长度和宽度的金属电阻。多晶硅电阻由多晶硅层、接触孔和金属引出组成；扩散电阻由N型或P型扩散层、接触孔和金属引出组成。接触孔位于多晶硅层或扩散层和金属层之间，用于多晶硅电阻或扩散电阻的引出。金属电阻由某层金属，通孔和金属引出组成，通孔位于两层金属之间，用于下层金属电阻的引出。在每个电阻的两个电阻引出端加电压，测量通过这些电阻的电流。
双极型晶体管器件接触电阻测量模型方法

[发明专利]电阻模型的建模方法-CN201310321036.5在审
发明人：廖梦星;吉远倩 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻模型的建模方法，包括：根据晶圆的测量结果建立固有的电阻模型，所述晶圆包含模拟对象和多个用于测量的Pad，所述Pad通过金属线与所述模拟对象连接；在固有的电阻模型中增加参数设置和金属线子电路，利用所述参数和金属线子电路计算金属线的电阻；根据所述测量结果和所述金属线的电阻建立最终的电阻模型。在本发明提供的电阻模型的建模方法中，在固有的电阻模型的基础上计算金属线的电阻，根据所述固有的电阻模型和金属线的电阻形成最终的电阻模型，最终的电阻模型消除了金属线对电阻模型的影响，使得模拟结果更加精确。
电阻模型建模方法

[发明专利]金属块贴片电阻器及制作方法、集成电路-CN202010643621.7有效
发明人：翟荣;潘飞 -专利权人：钧崴电子科技股份有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01C17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属块贴片电阻器及制作方法、集成电路，涉及半导体技术领域。金属块贴片电阻器制作方法包括步骤：获取需制作金属块贴片电阻器的电阻金属板；在电阻金属板的第一表面上间隔粘贴线路保护层与电镀铜层；根据阻值需要将电阻金属板切割成预设数目的电阻金属块；在每一电阻金属块的第一表面和与之相邻的两侧面上粘贴线路保护层金属块贴片电阻器按照上述的制作方法制得，集成电路设有上述金属块贴片电阻器，避免了采用电子束焊接方式制作贴片电阻器的阻值精度低和尺寸大的缺点，又避免了采用金属带电制作方式制作贴片电阻器的侧蚀现象，使贴片电阻器的制作精度和尺寸的适用范围更广
金属块贴片电阻器制作方法集成电路

[实用新型]一种W-U型金属电阻带-CN201220524515.8有效
发明人：李本德;周向辉;林钢;杨旭;王博冉;张昆;刘龙;张丽丽;张铃;马利媛;曹鹏;谈军;刘小会;李瑞;吴雪娇 -专利权人：北京七一八友晟电子有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01C17/00 文献下载
摘要：一种W-U型金属电阻带，根据电阻器的设计要求完成W-U型金属电阻带的参数设计，在绕线板上绕制成特定阻值的W型金属电阻带，将W型金属带通过模具压制成U型，最后用夹具将电阻带的波峰向内侧弯特定角度，完成W-U型金属电阻带。本实用新型的有益效果是：W-U型金属电阻带的参数可调控性好，按照产品需求可以将金属直带加工成特定参数的W-U型金属电阻带，摆脱了骨架的约束，能够充分合理的利用电阻器空间，实现电阻器的小型化；同时可以有效的减少水阻，增加散热，实现水冷电阻器的大功率；W-U型金属带为不闭合金属带，能够极大的减少电感，实现电阻器的超低电感要求；W-U型金属电阻带具有一定的横向弹性，非常便于安装。
一种金属电阻

[实用新型]一种梯度极电源金属氧化膜电阻器-CN201720386401.4有效
发明人：王邓辉;冯虎林;何宝灿;潘圣民;黄懿赟 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01C13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种梯度极电源金属氧化膜电阻器，包括有44个阻值为1372.8KΩ/300W的金属氧化膜电阻一、6个阻值为400Ω的金属氧化膜电阻二和10个阻值为64KΩ/300W的金属氧化膜电阻三，将44个金属氧化膜电阻一并联后再与6个金属氧化膜电阻二串联，将10个金属氧化膜电阻三并联后再与6个金属氧化膜电阻二串联，将44个金属氧化膜电阻一、6个金属氧化膜电阻二和10个金属氧化膜电阻三均匀的布置在两块环氧板之间，电阻之间的连接是通过螺丝和铜片连接的。本实用新型电阻的连接采用薄铜片，两边分别采用环氧板固定，一是为了方便整体侵入油中，二是为了散热均匀。
一种梯度电源金属氧化电阻器

[实用新型]浪涌保护器-CN201821883824.8有效
发明人：俞东;陈国瑞 -专利权人：电安科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型浪涌保护器，包括压敏电阻模块，压敏电阻模块包括封装在一起的金属片、第一压敏电阻和第二压敏电阻，金属片夹设于第一压敏电阻和第二压敏电阻之间，第一压敏电阻和第二压敏电阻的表面镀有与金属片导电的金属本实用新型中，第一压敏电阻和第二压敏电阻的表面均镀有金属，且第一压敏电阻和第二压敏电阻之间连接有金属片，第一压敏电阻和第二压敏电阻通过金属片进行电联接；金属片与第一压敏电阻之间的接触面积、金属片与第二压敏电阻之间的接触面积远大于现有技术中使用导线电联接的点接触面积，因此本实用新型的接触电阻小，并且浪涌能力大大增强，此外，使用此种方式，可减小压敏电阻模块的体积，进而减小浪涌保护器的体积。
压敏电阻金属片压敏电阻模块本实用新型浪涌保护器减小金属接触电阻金属片夹表面镀导线电点接触电联接导电浪涌封装联接

[发明专利]方块电阻模型的建模方法-CN202310686065.5有效
发明人：宋聪强;吕正良;李毅;张劲;王飘飘 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种方块电阻模型的建模方法。所述方块电阻模型的建模方法包括：建立金属线方块电阻的初始模型，该初始模型与金属线的电阻率相关；获取金属线的电阻率随线宽变化的特征关系式；将该特征关系式代入初始模型中，获得金属线的方块电阻模型。如此获得的方块电阻模型能够模拟金属线的散射效应，可以提高金属线方块电阻的模拟精度，尤其是提高小线宽金属线的方块电阻的模拟精度，为各尺寸金属线的电阻目标值制定提供较好的参考。
方块电阻模型建模方法

[发明专利]带电阻膜的金属箔及其制造方法-CN200980140480.9无效
发明人：大坂重雄;黑泽俊雄;夏目隆 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：一种带电阻膜的金属箔，在金属箔上具有电阻率比该金属箔高的膜，其特征在于，在该同一金属箔上并置电阻不同的多个电阻膜。目前利用的内置电阻体在铜箔上通过1种物质构成1个电阻体。但是，实际安装时，与一个电阻体相比，二个电阻体、更多个电阻体的电路设计的容许误差增加及工时数降低。本发明的课题是提供在1张金属箔上具有2种以上电阻体的电阻内置金属箔。
电阻金属及其制造方法

[实用新型]便于安装散热器的金属壳电阻-CN201520534691.3有效
发明人：蔡晓泉 -专利权人：成都森泉环保设备技术有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01C1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于安装散热器的金属壳电阻，包括电阻主体和电阻引脚，所述电阻主体的金属外壳至少设置有一个平面，在一平面的表面焊接有一金属板；所述金属板的面积大于平面面积，在金属板上对称设置有安装通孔本实用新型的金属壳电阻，由于在电阻主体上焊接金属板，增大电阻散热面积，及在金属板上设置安装通孔，因此可提高电阻散热的效率，同时为进一步提高电阻散热的效率提供了支持。
便于安装散热器金属电阻

[实用新型]一种电阻器-CN201920154085.7有效
发明人：叶霖;赵德生;薛峰 -专利权人：西安神电（泾阳）电器有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01C1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电阻器，解决现有大电流电阻器体积较大、生产成本较高、不符合智能化、小型化要求的问题。该电阻器包括上电极板、下电极板和金属电阻柱体；金属电阻柱体的上端面至少设置有一个上环形沟槽，金属电阻柱体的下端面至少设置有一个下环形沟槽，上环形沟槽和下环形沟槽同心，且交替错开设置，使得金属电阻柱体沿上环形沟槽或下环形沟槽槽深方向的截面形状为矩形波形状；上电极板设置在金属电阻柱体的上端面，且与金属电阻柱体的输入端电连接；上电极板与金属电阻柱体的非电连接部分绝缘设置；下电极板设置在金属电阻柱体的下端面，且与金属电阻柱体的输出端电连接，下电极板与金属电阻柱体的非电连接部分绝缘设置
金属电阻柱体环形沟槽下电极板电阻器极板上电非电连接绝缘设置上端面下端面大电流电阻器输出端电连接输入端电连接本实用新型错开设置截面形状矩形波智能化槽深生产成本同心

[发明专利]一种芯片内部接近无损的高精度电流采样电路及方法-CN202210845253.3有效
发明人：王建平;梁恩主;任才华 -专利权人：成都市易冲半导体有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片内部接近无损的高精度电流采样电路及方法，所述电路包括金属采样电阻Rsample、开关sw1、开关sw2、修调电阻Rt1、修调电阻Rt2、电阻Rt、运算放大器OS、MOS管Mo、电阻Rsnsout和修调模块trim；其中，所述金属采样电阻Rsample为芯片内部的顶层或次顶层金属电阻。本发明通过利用芯片内部的金属电阻以及采用并联采样方式来实现高精度电流采样，所述金属采样电阻Rsample为芯片内部的顶层或次顶层金属电阻，这样金属电阻下面的面积还可以正常利用，能够解决浪费硅片面积的问题，同时能够将此金属电阻的阻值尽量做小，即可以做到接近无损的高精度电流采样。
一种芯片内部接近无损高精度电流采样电路方法

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