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[发明专利]一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法及系统-CN201810049422.6有效
发明人： 廖梦星 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法及系统，所述方法包括如下步骤：确定MOS晶体管的工艺失配参数，并通过加入面积因子geo_fac对各工艺失配参数进行修正以得到各工艺失配参数的修正量；于工艺失配参数的阈值电压的修正计算中加入相关性系数alphavth；根据失配数据调节部分工艺失配参数，以使饱和电流idsat和阈值电压vth的失配只有部分相关性，本发明解决MOS晶体管的器件失配模型的提取问题。
一种 mos 晶体管器件失配模型修正方法系统

[发明专利]一种闪存单元模型的电压分配方法及装置-CN201610165004.4有效
发明人： 廖梦星;高超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种闪存单元模型的电压分配方法及装置，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括：一位线电极、一控制栅极及一浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试电流，所述方法包括：根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例pcg计算得到第一电压值V3₁，其中0＜pcg≤1；根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V3₁，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。采用上述方案可以提高闪存单元模型的模拟结果精确度。
一种闪存单元模型电压分配方法装置

[发明专利]提取LOD效应模型的方法-CN201510091616.9有效
发明人： 廖梦星;张昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提出了一种提取LOD效应模型的方法，在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数，接着，将不同的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中，再进行整合，接着，对与预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改，修改后再进行测试参数的目标重设，从而获得最终的LOD效应模型，实现对不同尺寸的MOS管同时进行LOD效应模型的准确提取，减少误差。
提取 lod 效应模型方法

[发明专利]半导体器件的模拟方法及模拟装置-CN201410855118.2有效
发明人：吉远倩;廖梦星 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种半导体器件的模拟方法及模拟装置，所述模拟方法包括：获得半导体器件的栅极尺寸；建立坐标系并将坐标系分为逻辑区和存储区；对逻辑区划分逻辑区方块，形成逻辑区方块，并获得每个逻辑区方块的子模型；对存储区划分存储区方块，形成存储区方块，并获得每个存储区方块的子模型；形成方块模型；在方块模型中提取工艺角参数；设置隔离沟，形成器件模型；基于器件模型和工艺角参数对半导体器件进行模拟，输出半导体器件性能信息。隔离沟能够有效的分开逻辑区和存储区，而又不影响到其他参数的连续性，能够避免在工艺角模拟中空白区域和重叠区域的出现，避免模拟计算报错，提高模拟的效率。
半导体器件模拟方法装置

[发明专利]电阻模型的建模方法-CN201310321036.5在审
发明人： 廖梦星;吉远倩 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻模型的建模方法，包括：根据晶圆的测量结果建立固有的电阻模型，所述晶圆包含模拟对象和多个用于测量的Pad，所述Pad通过金属线与所述模拟对象连接；在固有的电阻模型中增加参数设置和金属线子电路，利用所述参数和金属线子电路计算金属线的电阻；根据所述测量结果和所述金属线的电阻建立最终的电阻模型。在本发明提供的电阻模型的建模方法中，在固有的电阻模型的基础上计算金属线的电阻，根据所述固有的电阻模型和金属线的电阻形成最终的电阻模型，最终的电阻模型消除了金属线对电阻模型的影响，使得模拟结果更加精确。
电阻模型建模方法

[发明专利]去嵌入的方法-CN201210564063.0有效
发明人： 廖梦星 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G01R31/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种去嵌入的方法，该方法在利用矢量网络分析仪测量测试结构、开路去嵌入结构及短路去嵌入结构在多个不同频率的测试信号下的散射参数的同时，将多个开路去嵌入结构的散射参数及多个短路去嵌入结构的散射参数进行了保存，故在后续获取待测元件在测试信号频率为所述特定频率下的去嵌入散射参数时，不需再对开路去嵌入结构在测试信号频率为所述特定频率下的散射参数进行测量，也不需再对短路去嵌入结构在测试信号频率为所述特定频率下的散射参数进行测量，使去嵌入的方法更为简单，并减少了矢量网络分析仪的占用。当为了更全面的分析待测元件的电压特性时需多次改变所述特定频率，在这种情况下本发明所提供技术方案的效果更为显著。
嵌入方法