专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种可拆式辐照监督样品-CN201510542227.3在审
  • 黄国军;高雷;黄然;陈志清;景益;黄祥明;张晓春;刘永骏 - 上海核工程研究设计院
  • 2015-08-28 - 2015-11-18 - G21K5/08
  • 本发明提供一种可拆式辐照监督样品盒,其特征在于,应用于压力容器,包括:金属袋;所述金属袋安装在压力容器的内壁上;所述金属袋设有容腔;辐照监督样品;所述辐照监督样品可插拔地容置于所述金属袋的容腔内;可拆式样品盒上座;所述可拆式样品盒上座通过螺栓与所述金属袋可拆卸连接;所述可拆式样品盒上座用于阻止所述辐照监督样品脱离所述金属袋的容腔。符合本发明优选实施例的可拆式辐照监督样品盒中的辐照监督样品通过可拆式的方式与金属袋、可拆式样品盒上座连接,抽取辐照监督样品时避免对辐照监督样品进行切割,可使辐照监督样品重复使用,大大降低生产成本。
  • 一种可拆式辐照监督样品
  • [实用新型]一种可拆式辐照监督样品-CN201520663613.3有效
  • 黄国军;高雷;黄然;陈志清;景益;黄祥明;张晓春;刘永骏 - 上海核工程研究设计院
  • 2015-08-28 - 2015-12-30 - G21K5/08
  • 本实用新型提供一种可拆式辐照监督样品盒,其特征在于,应用于压力容器,包括:金属袋;所述金属袋安装在压力容器的内壁上;所述金属袋设有容腔;辐照监督样品;所述辐照监督样品可插拔地容置于所述金属袋的容腔内;可拆式样品盒上座;所述可拆式样品盒上座通过螺栓与所述金属袋可拆卸连接;所述可拆式样品盒上座用于阻止所述辐照监督样品脱离所述金属袋的容腔。符合本实用新型优选实施例的可拆式辐照监督样品盒中的辐照监督样品通过可拆式的方式与金属袋、可拆式样品盒上座连接,抽取辐照监督样品时避免对辐照监督样品进行切割,可使辐照监督样品重复使用,大大降低生产成本。
  • 一种可拆式辐照监督样品
  • [发明专利]纳米间隙的制备方法及其应用-CN201510532295.1在审
  • 蔡洪冰;吴昱昆;王晓平;罗毅 - 中国科学技术大学
  • 2015-08-24 - 2015-12-30 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种纳米间隙的制备方法,通过在沉积第一金属薄膜的样品上进行光刻处理,得到部分光刻胶保护第一金属薄膜的样品,然后刻蚀除去未被光刻胶保护的第一金属,得到刻蚀后的样品,在刻蚀后的样品上沉积金属氧化物,得到沉积有金属氧化物的样品;对沉积有金属氧化物的样品中水平方向的金属氧化物刻蚀,得到去除水平方向金属氧化物的样品;在去除水平方向金属氧化物的样品上沉积第二金属,得到沉积第二金属薄膜的样品;将沉积第二金属薄膜的样品中的光刻胶、光刻胶上的金属薄膜以及金属氧化物去除,得到纳米间隙;实验结果表明,本发明提供的纳米间隙的制备方法,不仅具有寻址能力,而且纳米间隙的间隙宽度均一性好且成功率高。
  • 纳米间隙制备方法及其应用
  • [发明专利]一种用于光电性质测量的夹持装置-CN201710518967.2有效
  • 熊锡成;李敏 - 河南工程学院
  • 2017-06-30 - 2023-04-25 - G01N21/01
  • 本发明公开了一种用于光电性质测量的夹持装置,包括金属底座,金属底座的圆柱腔体上设置有检测光孔和导线引出洞孔,在金属底座内设置有螺纹孔洞;在金属底座内安装有若干组夹持组件,所述夹持组件包括样品夹持金属台座、金属垫片和金属螺柱,待测样品安装在样品夹持金属台座内且待测样品的下端面与金属垫片的尖端触头相接触,金属垫片安装在样品夹持金属台座下部,样品夹持金属台座的下端安装在金属螺柱上端,金属螺柱的下端安装在螺纹孔洞内本发明能实现不同形状样品的夹持和测试,能实现样品正面和侧面的光电性质测试,变换样品放置方式可以实现所有待测面的光电性质的测试,而且结构简单、使用方便,具有性能稳定、成本低和使用方便的优点。
  • 一种用于光电性质测量夹持装置
  • [实用新型]一种光电性质测量装置-CN201720776560.5有效
  • 熊锡成;李敏 - 河南工程学院
  • 2017-06-30 - 2018-01-05 - G01N21/01
  • 本实用新型公开了一种光电性质测量装置,包括金属底座,金属底座的圆柱腔体上设置有检测光孔和导线引出洞孔,在金属底座内设置有螺纹孔洞;在金属底座内安装有若干组夹持组件,所述夹持组件包括样品夹持金属台座、金属垫片和金属螺柱,待测样品安装在样品夹持金属台座内且待测样品的下端面与金属垫片的尖端触头相接触,金属垫片安装在样品夹持金属台座下部,样品夹持金属台座的下端安装在金属螺柱上端,金属螺柱的下端安装在螺纹孔洞内。本实用新型能实现不同形状样品的夹持和测试,能实现样品正面和侧面的光电性质测试,变换样品放置方式可以实现所有待测面的光电性质的测试,而且结构简单、使用方便,具有性能稳定和成本低的优点。
  • 一种光电性质测量装置
  • [发明专利]一种失效定位方法-CN202210185334.5在审
  • 陈强;高金德 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-02-28 - 2023-09-05 - H01L21/66
  • 本发明提供一种失效定位方法,提供含有失效后段结构的芯片样品;对芯片样品进行去层次,暴露出需要分析的金属层;在芯片样品表面沉积一层覆盖所述金属层的金属导电层;去除芯片样品表面覆盖在金属层上的所述金属导电层的部分,将金属层露出;在芯片样品表面沉积一层覆盖露出的金属层以及剩余的金属导电层的非导电保护层;对芯片样品制备包含金属层、金属导电层以及非导电保护层的TEM薄片样品;对TEM薄片样品进行VC分析,锁定断路位置;对TEM薄片样品上的断路位置进行分析。本发明解决了微小缺陷造成的金属后段断路问题无法定位分析的困难,并且可以在失效定位后,不需再加工样品,直接进行TEM分析,极大地提高了分析的成功率和质量。
  • 一种失效定位方法
  • [实用新型]一种TEM样品放置装置-CN200720069198.4无效
  • 胡建强;芮志贤;李明;段淑卿 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-04-23 - 2008-06-25 - H01L21/673
  • 一种TEM样品放置装置,包括:样品杯,具有开口,其底部设置支撑部;金属网,用于放置待测样品;其特征在于,所述金属网通过金属网架置于样品杯中,该金属网架与所述样品杯的支撑部相配合,并相对于该样品杯固定;在所述金属网架表面有一预定方向的水平标记线;所述金属网与所述金属网架套接,当所述金属网套接在金属网架上时能够相对于该金属网架进行顺时针或逆时针方向的移动。采用该装置放置TEM样品,可以得到水平的TEM图像,提高分析准确率。
  • 一种tem样品放置装置
  • [发明专利]原位测试金属微区燃烧特征的方法-CN202211033319.5在审
  • 张诚;黄进峰;汪从珍 - 北京科技大学
  • 2022-08-26 - 2022-11-11 - G01N31/12
  • 本申请提供了一种原位测试金属微区燃烧特征的方法,包括步骤:将装有金属样品的原位加热样品杆装入透射电子显微镜的舱体,并调控所述舱体内的气氛至目标气氛;通过所述原位加热样品杆将所述金属样品加热至预定温度;通过所述透射电子显微镜产生的电子束照射所述金属样品;获得所述金属样品在微区燃烧发生瞬间的燃烧特征。本申请通过原位加热样品杆加热、电子束照射共同作用诱发金属样品的微区燃烧,获得金属样品在微区燃烧发生瞬间的相变信息、界面迁移信息,进而实现在微观原子尺度上对金属的燃烧行为进行分析。
  • 原位测试金属燃烧特征方法
  • [发明专利]一种岩石样品孔裂隙结构表征方法-CN202210078284.0在审
  • 崔子昂;孙梦迪;潘哲君;高波;王永超 - 中国地质大学(武汉)
  • 2022-01-24 - 2022-05-27 - G01N23/2251
  • 本发明提供一种岩石样品孔裂隙结构表征方法,涉及非常规天然气实验领域;岩石样品孔裂隙结构表征方法包括如下步骤:S1、制备页岩样品,并对所述页岩样品进行烘干处理;S2、将所述页岩样品和固态金属置于加压容器中,将所述固态金属熔化成液态金属后注入所述页岩样品中,待所述液态金属冷却凝固后,得到注入金属后的页岩样品;S3、将所述注入金属后的页岩样品切开,并通过扫描电镜观察,获得所述页岩样品的孔裂隙结构特征;本发明能够观察固态金属在页岩样品孔裂隙结构中的真实赋存情况,孔裂隙结构的连通情况,以及不同目标压力下液态金属能够进入的孔裂隙结构尺寸,从而实现对页岩样品中的孔裂隙结构的可视化。
  • 一种岩石样品裂隙结构表征方法
  • [发明专利]检测半导体器件的金属互连层的方法-CN201010153877.6有效
  • 段淑卿;芮志贤;范荣;龚斌;王玉科 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-04-13 - 2011-10-19 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种检测半导体器件的金属互连层的方法,该方法包括:在具有金属互连层的半导体器件上要制作样品的区域内电镀铂Pt层;采用聚焦离子束FIB方式在半导体器件的金属互连层表面进行样品区域的切割,得到样品区域结构;对样品区域结构进行底部脱离后,从两边将样品的Pt层切断,在样品两边裸露出金属互连层;采用FIB方式对样品区域结构的厚度减薄及使得裸露出金属互连层中的金属互连线切断,得到样品;对得到的样品采用透射电子显微镜TEM进行检测,确定该样品代表的金属互连层是否为设计的结构。本发明提供的方法可以使得检测的样品结构准确的代表金属互连层结构。
  • 检测半导体器件金属互连方法

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