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[实用新型]一种有机卤化物材料蒸镀用蒸发源装置-CN202222977570.9有效
发明人：曹景博;王强 -专利权人：合肥欣奕华智能机器股份有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有机卤化物材料蒸镀用蒸发源装置，包括金属卤化物蒸发源、有机卤化物蒸发源和基板，金属卤化物蒸发源、有机卤化物蒸发源均设置于基板待蒸镀面下方，两个有机卤化物蒸发源设置于金属卤化物蒸发源的两侧，金属卤化物蒸发源将金属卤化物材料蒸镀在基板上，金属卤化物蒸发源与基板之间形成金属卤化物蒸镀区域，两个有机卤化物蒸发源喷射在除基板上外的金属卤化物蒸镀区域中。该蒸发源装置提高了有机卤化物材料的利用率，同时有利于卤化物材料的均匀混合，提高了卤化物材料的成膜质量。
一种有机卤化物材料蒸镀用蒸发装置

[发明专利]钙钛矿薄膜的制备方法、钙钛矿电池和叠层电池-CN202310074580.8在审
发明人：秦媛;徐希翔;何博;王永磊;刘杨;刘杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：提供基底，在所述基底上形成金属卤化物层，使金属卤化物与有机胺盐反应以得到钙钛矿薄膜，其中在金属卤化物与有机胺盐反应之前，或在金属卤化物与有机胺反应过程中使用金属卤化物层处理剂处理所述金属卤化物层本申请的钙钛矿薄膜的制备方法首先在基底上形成金属卤化物层，进一步通过使用金属卤化物层处理剂处理金属卤化物，以将致密的金属卤化物层变得蓬松多孔，从而使得有机胺盐能渗入金属卤化物内部，使有机胺盐与金属卤化物充分反应
钙钛矿薄膜制备方法电池

[发明专利]金属卤化物灯以及照明装置-CN200580037407.0无效
发明人：柏木孝仁;石田正纯;松田干男;上村幸三 -专利权人：东芝照明技术株式会社
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01J61/20 文献下载
摘要：提供一种尽管没有封入水银但较之充入水银的金属卤化物灯电气特性同等、且发光特性大致同等或更优异的金属卤化物灯以及使用该金属卤化物灯的照明装置。金属卤化物灯(MHL)具有：气密容器(1)，一对电极(2)和本质上不含有水银的、被封入气密容器内的放电介质；所述放电介质包括第1卤化物、第2卤化物以及稀有气体；其中，第1卤化物主要是发光的金属卤化物，包括在被封入气密容器内的所有金属卤化物中封入比例最大的卤化铥(Tm)，并且碱金属卤化物至多不到10质量％；第2卤化物主要由形成灯电压的金属卤化物构成，并且相对于被封入气密容器内的所有金属卤化物为5～20质量％。
金属卤化物灯以及照明装置

[发明专利]钙钛矿薄膜制备方法、钙钛矿电池及叠层电池-CN202111449010.X在审
发明人：顾小兵;何永才;丁蕾;王永磊;何博;张富;李勃超 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：其中，在基底上蒸镀金属卤化物薄膜，并使金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％‑60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。
钙钛矿薄膜制备方法电池

[实用新型]金属卤化物灯-CN200620114292.2无效
发明人： A·根茨;M·蒂绍斯 -专利权人：电灯专利信托有限公司
申请日： 2006-04-01 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01J61/12 文献下载
摘要：一种用于形成可电离的填充物的金属卤化物填充物，包括至少一种惰性气体、水银和金属卤化物，该填充物包括作为构成组分的V的卤化物、Cs的卤化物、Tl的卤化物和稀土的卤化物。这种填充物可以特别包含在金属卤化物灯的放电室内。
金属卤化物灯

[发明专利]金属卤化物灯以及采用该金属卤化物灯的照明装置-CN200510109809.9无效
发明人：太田勋;武田一男;阪本和重 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-05 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01J61/12 文献下载
摘要：提供一种能够变暗并实现所需显色性的金属卤化物灯，其防止由于在细管处出现的裂缝而导致的电弧管的泄露而产生的不发光现象。该金属卤化物灯具有包括有透明陶瓷制成的封套、一对电极和金属卤化物的电弧管，该金属卤化物包括稀土金属卤化物、卤化钠以及卤化镁，该稀土金属卤化物至少为卤化镝、卤化铥、卤化钬、卤化铈和卤化镨其中之一，且该卤化镁至少为碘化镁和溴化镁其中之一其中当最大灯功率P(W)处于70W至250W的范围内时，满足下述关系：0.0345A+0.0028B＜0.0015P+0.0475，A＞＝0.021P+0.3 13，且B＞＝10.0，其中A(mg)为若存在卤化汞的话除去卤化汞的金属卤化物的总含量；B(mol％)为卤化镁与金属卤化物的含量比。
金属卤化物灯以及采用照明装置

[发明专利]高压放电灯以及照明装置-CN200610152876.3无效
发明人：柏木孝仁;石田正纯;松田干男;上村幸三 -专利权人：东芝照明技术株式会社
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01J61/12 文献下载
摘要：本发明提供一种无汞高压放电灯，其第1卤化物包含铥卤化物作为发光金属，易于制造，且寿命特性优良，而且发光效率及电特性优良。上述高压放电灯的电离介质的构成是，包含第1卤化物、第2卤化物以及稀有气体，且实质上不含汞，其中第1卤化物是主要在可见区发光的金属卤化物，包含至少含有溴化物的铥(Tm)卤化物，第2卤化物主要造成灯电压形成作用，且主体包含选自规定群组中的一种或多种金属卤化物。
高压电灯以及照明装置

[发明专利]陶瓷金属卤化物灯-CN200680051217.9无效
发明人：乔舒亚·I·林塔玛基;保罗·库斯特;安德鲁·波德维尔斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01J61/12 文献下载
摘要：本发明提供一种金属卤化物灯(10)，其包括可由陶瓷材料形成的放电管(12)。放电管限定内部空间(16)。将可电离填充物(17)配置在内部空间中。可电离填充物包括惰性气体、汞和卤化物组分。卤化物组分包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物组分和任选的稀土金属卤化物和IIIA族卤化物中的至少一种。碱土金属卤化物组分包括卤化钡和卤化锶中的至少一种。将至少一个电极(18、20)置于放电管中，以便在向电极通电流时供给填充物能量。供能时灯具有足以维持主动式钨卤循环的管壁负载。
陶瓷金属卤化物灯

[发明专利]熔盐反应堆中的化学优化-CN201580014763.4有效
发明人：伊恩·理查德·斯科特 -专利权人：伊恩·理查德·斯科特
申请日： 2015-02-19 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G21C3/04 文献下载
摘要：牺牲金属在含有锕系元素卤化物的熔盐燃料的核裂变反应堆中的用途，所述用途为了在没有将锕系元素三卤化物还原为锕系金属的情况下维持锕系元素三卤化物与锕系元素四卤化物的预定比率。一种维持含有锕系元素卤化物的熔盐的氧化态的方法。所述方法包括使所述熔盐连续地与牺牲金属接触，对所述牺牲金属进行选择以便在没有将锕系元素三卤化物还原为锕系金属的情况下维持锕系元素三卤化物与锕系元素四卤化物的预定比率。还描述了一种含有牺牲金属的燃料管。
反应堆中的化学优化

[发明专利]反应性金属冷凝物在增材制造中的中和-CN201580064364.9有效
发明人：保罗·格里尔;伊恩·L·布鲁克斯 -专利权人：穆格公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：具有构建室的增材制造系统具有产生卤化物气体的卤化物容器和具有纤丝的解离室。金属冷凝物与所述卤化物气体接触以形成气态金属卤化物化合物。所述气态金属卤化物化合物被分解以在纤丝上沉积金属。
冷凝物气态金属卤化物卤化物气体纤丝反应性金属沉积金属制造系统碘化钛卤化物气态碘构建解离中和分解金属制造

[实用新型]一种单端金属卤化物灯-CN200920190340.X无效
发明人：杨建虎;陆其龙;蔡建龙 -专利权人：杭州时代照明电器有限公司
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种单端金属卤化物灯，该灯包括金属卤化物灯电弧管、主支架、灯芯、吸气带、外玻壳和灯头，灯芯和主支架连接金属卤化物灯电弧管的两端电极，金属卤化物灯电弧管装在外玻壳内，吸气带固装在金属卤化物灯电弧管的两端，灯头固定在外玻壳的端部，其结构特点是：所述的主支架靠近金属卤化物灯电弧管的发光部分段呈圆弧状。本实用新型装架结构更合理，采用圆弧状主支架，使主支架与金属卤化物灯电弧管之间的距离增加，在点灯过程中主支架产生的电场对金属卤化物灯电弧管的作用相对减弱，从而减少了金属卤化物灯电弧管中钠离子的损耗，有效延长了灯的使用寿命
一种金属卤化物灯

[发明专利]多孔性金属卤化物膜、其制备方法及利用其的钙钛矿结构的有机金属卤化物的制备方法-CN201810210093.9在审
发明人：徐章源;全男中;梁泰烈;鲁俊洪;金荣灿;朴恩映 -专利权人：韩国化学研究院
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C01G21/16 文献下载
摘要：本发明涉及与有机卤化物进行反应来转换为钙钛矿结构的有机金属卤化物的有机金属卤化物制备用多孔性金属卤化物膜、其制备方法及利用其的钙钛矿结构的有机金属卤化物的制备方法，详细地，本发明的多孔性金属卤化物膜满足以下关系式1，关系式1：I(101)/I(001)≥0.5，关系式1中，I(101)为利用多孔性金属卤化物膜的CuKα射线的X射线衍射图案中的(101)面的衍射强度，I(001)为相同的X射线衍射图案中的(001
有机金属卤化物制备多孔性金属卤化物钙钛矿结构衍射有机卤化物转换

[发明专利]发光层、其制造方法、显示设备-CN201980000066.1在审
发明人：鲍里斯·克里斯塔尔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述制造发光层的方法可以包括：在衬底上形成金属第一卤化物钙钛矿层；在金属第一卤化物钙钛矿层中形成包括金属第二卤化物钙钛矿的第一图案；以及在金属第一卤化物钙钛矿层中形成包括金属第三卤化物钙钛矿的第二图案。
发光制造方法显示设备

[发明专利]具有有序取向铁电畴的金属卤化物钙钛矿薄膜的制备方法-CN202211527545.9在审
发明人：李蔚;江炀;杜红强 -专利权人：佛山仙湖实验室
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件材料技术领域，具体公开了一种具有有序取向铁电畴的金属卤化物钙钛矿薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：将金属卤化物钙钛矿前驱体原料溶于极性溶剂中，得金属卤化物钙钛矿前驱体溶液；在覆有TiO2电子传输层的FTO导电玻璃表面一次旋涂金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，得金属卤化物钙钛矿液态薄膜；在金属卤化物钙钛矿液态薄膜表面二次旋涂有机胺的盐酸盐溶液，经退火处理，制得。本发明的金属卤化物钙钛矿薄膜具有有序取向铁电畴的三维金属卤化物钙钛矿薄膜，该薄膜的结晶性和稳定性也得到了明显改善。
具有有序取向铁电畴金属卤化物钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]金属卤化物填充物及其相应的灯-CN03131235.7无效
发明人： H·埃泽曼 -专利权人：电灯专利信托有限公司
申请日： 2003-04-02 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01J61/20 文献下载
摘要：一种用于形成至少具有惰性气体，汞，至少具有卤化物的可电离填充物的金属卤化物填充物，其中该填充物包含锰，其特征在于，填充物至少包含锰卤化物和钒卤化物成分。该填充物特别可以包含在金属卤化物灯的放电管中。
金属卤化物填充物及其相应

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