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- [发明专利]具有整体像素边界的纳米材料成像探测器-CN201780019032.8有效
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M·A·查波
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皇家飞利浦有限公司
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2017-03-15
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2023-09-08
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G01T1/16
- 一种成像系统(100)的辐射探测器阵列(112)包括多个探测器模块(114)，所述多个探测器模块中的每个包括多个探测器像素(116)，所述多个探测器像素中的每个包括整体像素边界(202、204、206、208)和所述整体像素边界内的直接转换活跃区。一种方法包括：利用包括整体像素边界的纳米材料探测器像素来接收辐射；利用所述探测器像素来生成指示接收到的辐射的能量的信号，同时降低像素信号串扰；并且重建所述信号以构建图像。一种成像系统(100)包括：X射线辐射的源，其被配置为发射穿过检查区域的X射线辐射；纳米材料成像探测器，其具有整体像素边界，其中，所述纳米材料成像探测器被配置为探测X射线辐射；以及重建器，其被配置为重建所述纳米材料成像探测器的输出以产生CT图像。
- 具有整体像素边界纳米材料成像探测器
- [发明专利]具有改进的空间准确度的成像探测器-CN201680046427.2有效
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M·A·查波
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皇家飞利浦有限公司
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2016-07-28
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2021-09-28
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G01T1/17
- 一种成像系统(100)的探测器阵列(112)，包括：辐射敏感探测器(202/204/206)，其被配置为探测辐射并且生成指示其的信号；以及与辐射敏感探测器电通信的电子器件(208)。所述电子器件包括电流‑频率转换器(300)，所述电流‑频率转换器被配置为将所述信号转换成具有指示在积分时段期间收集的电荷的频率的脉冲串。所述电子器件还包括电耦合到电流‑频率转换器的剩余电荷收集电路(322)。剩余电荷收集电路被配置为利用已经在电流‑频率转换器电子器件中的电子器件中的很多来存储针对不会产生脉冲串的脉冲的积分时段的结束部分由积分器所收集的电荷。
- 具有改进空间准确度成像探测器
- [发明专利]模块化成像检测器ASIC-CN201580031219.0有效
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M·A·查波;R·戈申
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皇家飞利浦有限公司
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2015-05-19
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2020-10-09
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A61B6/03
- 一种成像系统检测器阵列(112)包括检测器平铺件(116)。所述检测器平铺件包括光传感器阵列(202)，所述光传感器阵列包括多个光敏像素(204)。所述检测器平铺件还包括与所述光传感器阵列光学地耦合的闪烁体阵列(212)。所述检测器平铺件还包括与所述光传感器阵列电联接的位于基底(214)上的电子器件层或ASIC。所述电子器件层包括多个单独的且可分割的处理区域(302)。每个处理区域包括与所述多个光敏像素的子集相对应的预定数目的通道。所述处理区域彼此电通信。每个处理区域包括其自己的参考电路(802)和偏置电路(804)。
- 模块化成像检测器asic
- [发明专利]成像探测器-CN201380063135.6有效
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M·A·查波;R·P·卢赫塔
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皇家飞利浦有限公司
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2013-11-22
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2019-06-21
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G01T1/20
- 探测器阵列(112)包括至少一个探测器像素(306)，所述至少一个探测器像素具有定义三维体积的空腔(400)。所述空腔的表面包括至少两个光敏区域和在它们之间的非光敏区域，定义至少两个子像素(3061、3062)，所述至少两个子像素探测在三维空腔内横穿的可见光子并且产生指示其的相应的信号。所述探测器阵列还包括闪烁体(302)，所述闪烁体包括被定位在所述空腔中的第一子部分，并且所述第一子部分响应于吸收X射线光子而发射可见光子。由所述第一子部分发射的可见光子是由所述至少两个子像素的全部两个探测的。
- 成像探测器
- [发明专利]成像探测器-CN201480028193.X有效
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M·A·查波
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皇家飞利浦有限公司
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2014-05-07
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2018-12-18
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G01T1/20
- 一种硅成像探测器瓦块(216)，包括硅光电传感器层(302)以及被耦合到所述硅光电传感器层的硅电子器件层(314)，所述硅光电传感器层包括多个探测器像素(304)，每个探测器像素(204)均具有光电晶体管(406)，所述硅电子器件层包括针对所述多个光电晶体管中的每个的电流频率转换器和偏压控制(404)。一种方法，包括：利用成像探测器的硅光电传感器层的探测器像素的光电晶体管并且在没有X射线辐射时，感测暗电流；利用偏压控制调节被传输到硅电子器件层的电流频率转换器的所述暗电流的量，所述硅电子器件层被耦合到所述硅光电传感器层；并且利用所述电流频率转换器转换被传输到所述电流频率转换器的所述暗电流的量。
- 成像探测器
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