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[其他]单晶连续生长装置-CN86200234无效
发明人：施仲坚;李惠章;刘金龙 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 1986-01-31 - 公布日： 1986-10-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：单晶连续生长装置是单晶连续生长的设备，其特征为拉晶、退火连续进行。本实用新型是把拉晶炉和退火炉合为一体，由温度控制装置控制，实现热连续。拉晶头可以是一个，也可以是多个。
连续生长装置

[发明专利]一种人工晶体自动控制生长连续加料装置-CN201110127655.1有效
发明人：王继扬;刘宏;朱怀烈;吴剑波;于永贵;孙德辉;章任上;夏宗仁;颜涛;秦小勇;崔坤;刘庆波 -专利权人：山东大学;中电科技德清华莹电子有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工晶体自动控制生长连续加料装置，包括悬挂坩埚晶体生长炉，计算机控制系统和气动船闸式自动连续加料装置；本发明的装置可实现无堵塞无振动连续加料，非常适用于人工晶体生长的连续加料。它也可实现计算机自动程序控制管理，避免人工操作的误差，尤其能保证对近化学计量比钽酸锂，铌酸锂等晶体悬挂坩埚法生长连续加料的要求。
一种人工晶体自动控制生长连续加料装置

[发明专利]一种晶体生长连续自动加料装置及晶体连续生长系统-CN201910477024.9在审
发明人：李海林;武欢;王瑞;宋晓佳;何晔;佘建军;李金;刘建军 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长连续自动加料装置，包括壳体、搅拌储料装置、电控引料装置、引料管、控制装置及耗材监测装置，其中，搅拌储料装置安装在壳体内，搅拌储料装置与电控引料装置相连通，引料管穿过壳体与晶体生长系统的连通口，将电控引料装置的出料口与晶体生长系统内的坩埚连通，电控引料装置工作时，使原料从电控引料装置的出料口送出并通过引料管进入坩埚；电控引料装置与控制装置电连接，控制装置还与耗材监测装置电连接。还公开了包括上述晶体生长连续自动加料装置的晶体连续生长系统。能够实现晶体生长过程中精准、持久、连续和均匀的加料。
引料装置电控搅拌储料装置自动加料装置晶体生长控制装置引料管晶体生长系统监测装置生长系统出料口电连接耗材壳体坩埚晶体生长过程加料连通口送出连通体内穿过

[实用新型]一种晶体生长连续自动加料装置及晶体连续生长系统-CN201920824691.5有效
发明人：李海林;武欢;王瑞;宋晓佳;何晔;佘建军;李金;刘建军 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体生长连续自动加料装置，包括壳体、搅拌储料装置、电控引料装置、引料管、控制装置及耗材监测装置，其中，搅拌储料装置安装在壳体内，搅拌储料装置与电控引料装置相连通，引料管穿过壳体与晶体生长系统的连通口，将电控引料装置的出料口与晶体生长系统内的坩埚连通，电控引料装置工作时，使原料从电控引料装置的出料口送出并通过引料管进入坩埚；电控引料装置与控制装置电连接，控制装置还与耗材监测装置电连接。还公开了包括上述晶体生长连续自动加料装置的晶体连续生长系统。能够实现晶体生长过程中精准、持久、连续和均匀的加料。
一种晶体生长连续自动加料装置晶体生长系统

[发明专利]一种工业级超长碳纳米管的阵列连续生长设备-CN201610519193.0有效
发明人：黄晖辉 -专利权人：上海峻岗环保科技有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C01B32/164 文献下载
摘要：本发明公开了一种工业级超长碳纳米管阵列的连续生长设备，包括连续出料装置、催化剂布料装置、炉体、隔离密封罩和旋转炉底，隔离密封罩和旋转炉底形成密封生长空间，炉体内隔离密封罩顶端设置有炉盖，旋转炉体设置在隔离密封罩的下端，旋转炉体的上端设置有碳纳米管生长基底，碳纳米管生长基底的顶端设置有多层生长基底，催化剂布料装置设置在多层生长基底下方，连续出料装置设置在多层生长基底的上方，隔离密封罩内外壁之间的隔墙将炉腔分隔成催化剂布料预热室、催化剂还原活化室、CNTS均热生长室和出料过渡室。本装置可以进行连续生产，充分节省传统生产方式升温、布料、气体置换、降温、再气体置换、取料等工序，节省大量时间和资源。
一种工业超长纳米阵列连续生长设备

[发明专利]连续型锭生长装置-CN202011404336.6在审
发明人：朴镇成;李京锡;李英俊;金漌镐;全韩雄 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量的连续型锭生长装置
连续生长装置

[发明专利]连续型锭生长装置-CN202011404236.3在审
发明人：裵东佑;李京锡;李泳敏 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本发明涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及可通过感应加热方式来使固态硅材料熔融并向主坩埚进行供给的连续型锭生长装置。为此，本发明一实施方式的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；以及预备熔融部，包括预备坩埚、加热空间以及预备坩埚加热模块
连续生长装置

[实用新型]连续型锭生长装置-CN202022877382.X有效
发明人：李英俊;李京锡;朴镇成 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开连续型锭生长装置。本实用新型的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；定量供给部，通过对从上述材料供给部供给的上述固态硅材料的量进行计量，来供给规定量的固态硅材料；以及预备熔融部，通过使从上述定量供给部供给的规定量的上述固态硅材料熔融，来向上述主坩埚供给熔融状态的硅，由此可从使锭生长的主坩埚的外部以完全被熔融的熔融硅的状态向上述主坩埚供给多晶硅等的固态硅材料
连续生长装置

[实用新型]连续型锭生长装置-CN202022876962.7有效
发明人：朴镇成;李京锡;李英俊;金漌镐;全韩雄 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量的连续型锭生长装置
连续生长装置

[实用新型]连续型锭生长装置-CN202022884115.5有效
发明人：裵东佑;李京锡;李泳敏 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及可通过感应加热方式来使固态硅材料熔融并向主坩埚进行供给的连续型锭生长装置。为此，本实用新型一实施方式的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；以及预备熔融部，包括预备坩埚、加热空间以及预备坩埚加热模块
连续生长装置

[发明专利]一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法-CN202210151711.3有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 -专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法，属于晶体生长领域。晶体生长槽包括杂晶溶解罩、移动式连接管、加热器、槽体、连续过滤装置、搅拌电机、载晶架；连续过滤装置设于槽体外部；载晶架设于槽体内部；杂晶溶解罩位于载晶架与槽体的底部之间；杂晶溶解罩的罩体开口朝向槽体的底部；杂晶溶解罩设有溶液进口和溶液出口；移动式连接管的一端与溶液进口连通，另一端与连续过滤装置连通；移动式连接管靠近连续过滤装置的一端设有加热器；晶体生长溶液通过连续过滤系统进入杂晶溶解罩，移动式连接管可移动杂晶溶解罩，以达到定向溶解杂晶的目的，从而解决晶体生长过程中的杂晶问题，提高晶体生长成功率。
一种晶体生长槽底杂晶去除方法

[实用新型]一种晶体生长槽-CN202220339062.5有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 -专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体生长槽，属于晶体生长领域。晶体生长槽包括杂晶溶解罩、移动式连接管、加热器、槽体、连续过滤装置、搅拌电机、载晶架；连续过滤装置设于槽体外部；载晶架设于槽体内部；杂晶溶解罩位于载晶架与槽体的底部之间；杂晶溶解罩的罩体开口朝向槽体的底部；杂晶溶解罩设有溶液进口和溶液出口；移动式连接管的一端与溶液进口连通，另一端与连续过滤装置连通；移动式连接管靠近连续过滤装置的一端设有加热器；晶体生长溶液通过连续过滤系统进入杂晶溶解罩，移动式连接管可移动杂晶溶解罩，以达到定向溶解杂晶的目的，从而解决晶体生长过程中的杂晶问题，提高晶体生长成功率。
一种晶体生长

[发明专利]一种碳纳米管连续生长装置-CN201310398408.4有效
发明人：任昕;边历峰;朱建军 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置，包括：加热室，具有一加热腔，所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔；位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜，所述的催化剂薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面；加热装置，对所述的加热腔进行加热。由于多孔基板的多孔和位于其下方的催化剂薄膜的多孔是连通的，反应气体由多孔基板上部通入，经由基板的多孔可以连续流入催化剂薄膜的多孔中，保证了碳纳米管可以不断连续生长。更优地，在改进后的装置中碳纳米管的生长方向变为垂直向下生长，在重力的作用下，生长速度较垂直向上生长时增大，从而达到了连续快速生长的技术效果。
一种纳米连续生长装置

[发明专利]可连续生产的区熔炉装置及其工艺控制方法-CN201310399991.0有效
发明人：傅林坚;曹建伟;欧阳鹏根;王丹涛;陈明杰;石刚;汤承伟;邱敏秀;蒋庆良 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长炉领域，旨在提供可连续生产的区熔炉装置及其工艺控制方法。该可连续生产的区熔炉装置包括炉体、炉室法兰、直线单元、连接块、旋转单元和切割片；该可连续生产的区熔炉装置的工艺控制方法包括籽晶与熔融硅液熔接拉制出硅单晶。本发明在硅单晶生长过程中，需重新开始下一次单晶生长时，本发明可对硅单晶进行切除，迅速重新进行下一次单晶生长，可实现连续生产，节省大量氩气、电能、工时，降低生产成本，并提高单晶生产效率。
连续生产熔炉装置及其工艺控制方法

[发明专利]碳纳米管连续生长装置-CN201310398409.9在审
发明人：任昕;边历峰;朱建军 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置，包括：加热室，具有一加热腔，所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔；位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜，所述的基板开设有第一通孔，所述的催化剂薄膜包括连通于所述第一通孔的第二通孔；加热装置，对所述的加热腔进行加热。由于多孔基板的多孔和位于其下方的催化剂薄膜的多孔是连通的，反应气体由多孔基板上部通入，经由基板的多孔可以连续流入催化剂薄膜的多孔中，保证了碳纳米管可以不断连续生长。更优地，在改进后的装置中碳纳米管的生长方向变为垂直向下生长，在重力的作用下，生长速度较垂直向上生长时增大，从而达到了连续快速生长的技术效果。
纳米连续生长装置

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