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[发明专利]锭生长装置的防止杂质沉积的高温内窥镜-CN202280008003.2在审
发明人：全韩雄;朴镇成;金漌镐;李泳敏 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种锭生长装置的高温内窥镜，具有提高用于防止杂质沉积的惰性气体的流速的结构，进而防止杂质沉积。本发明的一实施例的锭生长装置的防止杂质沉积的高温内窥镜可包括：框架，延伸至锭生长装置的腔室内部，并且在端部具有排放惰性气体的排气口；镜片，设置在所述框架的端部中心，并且被从所述排气口排放的惰性气体保护；及引导管，设置在所述框架的外面，并且形成从所述框架的端部延伸的引导部来引导所述惰性气体，进而提高流速，防止在所述镜片沉积杂质。
生长装置防止杂质沉积高温内窥镜

[发明专利]控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法-CN202280007765.0在审
发明人：朴镇成;金漌镐;李泳敏;全韩雄 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：公开一种控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，该方法通过测定预备坩埚中熔融硅的高度来在预备坩埚中保持一定量的熔融硅。本发明的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法为控制向将熔融硅供给至锭生长装置的主坩埚的预备坩埚供给固态硅的方法，其可包括：管理范围设定步骤，设定上述预备坩埚中上述熔融硅的适当管理范围；高度测定步骤，为了确认上述熔融硅是否在上述熔融硅的适当管理范围内，测定装在上述预备坩埚中上述熔融硅的高度；供给量确定步骤，根据上述高度测定步骤中测定的高度确定要供给到上述预备坩埚的固态硅的供给量；及固态硅供给步骤，将根据上述供给量确定步骤确定的预定供给量的固态硅供给至上述预备坩埚。
控制生长装置预备坩埚供给固态方法

[发明专利]锭生长装置及其控制方法-CN202011403911.0在审
发明人：朴镇成;李京锡;李英俊;金漌镐 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；预备坩埚，通过接收固态硅材料来使其熔融，向上述主坩埚供给熔融硅；测定部，以贯通上述生长炉的方式设置，用于对上述主坩埚的熔融硅的表面高度变化进行测定；以及控制部，基于所测定的上述熔融硅的表面高度变化，对向上述主坩埚进行的上述预备坩埚的熔融硅的供给进行控制。
生长装置及其控制方法

[发明专利]锭生长装置-CN202011414600.4在审
发明人： 金漌镐;李京锡;朴镇成 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开锭生长装置。在本发明一实施方式的锭生长装置中，锭生长装置包括：生长炉，用于使锭生长；以及主坩埚，收容于上述生长炉，收容熔融硅，本发明的锭生长装置中的上述主坩埚可包括：主坩埚底部；主坩埚侧面部，从上述主坩埚底部朝向上侧延伸而成；以及主坩埚倾斜部，设置有从上述主坩埚侧面部朝向上侧及外侧延伸而成的倾斜面，当从上述主坩埚侧面部的上侧向上述主坩埚的内部供给熔融硅时，沿着上述倾斜面向上述主坩埚的内部引导上述熔融硅，从而可防止上述熔融硅向上述主坩埚的周边飞溅。
生长装置

[发明专利]连续型锭生长装置-CN202011404336.6在审
发明人：朴镇成;李京锡;李英俊;金漌镐;全韩雄 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量的连续型锭生长装置。
连续生长装置

[发明专利]锭生长装置-CN202011404329.6在审
发明人： 金漌镐;李京锡;朴镇成;李英俊 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅并通过沿着顺时针方向或逆时针方向进行旋转来使上述熔融硅沿着顺时针方向或逆时针方向旋转的主坩埚；基座，以包围上述主坩埚的外侧面的方式形成，沿着与上述主坩埚相同的方向进行旋转；以及预备熔融部，通过接收固态硅材料来熔融成熔融硅，向上述主坩埚供给上述熔融硅，可在上述预备熔融部设置用于收容上述熔融硅的预备坩埚，上述预备坩埚可沿着盛装在上述主坩埚的熔融硅进行旋转的方向来向上述主坩埚供给盛装在上述预备坩埚的熔融硅。
生长装置

[实用新型]连续型锭生长装置-CN202022876962.7有效
发明人：朴镇成;李京锡;李英俊;金漌镐;全韩雄 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量的连续型锭生长装置。
连续生长装置

[实用新型]锭生长装置-CN202022877887.6有效
发明人： 金漌镐;李京锡;朴镇成;李英俊 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开锭生长装置。本实用新型实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅并通过沿着顺时针方向或逆时针方向进行旋转来使上述熔融硅沿着顺时针方向或逆时针方向旋转的主坩埚；基座，以包围上述主坩埚的外侧面的方式形成，沿着与上述主坩埚相同的方向进行旋转；以及预备熔融部，通过接收固态硅材料来熔融成熔融硅，向上述主坩埚供给上述熔融硅，可在上述预备熔融部设置用于收容上述熔融硅的预备坩埚，上述预备坩埚可沿着盛装在上述主坩埚的熔融硅进行旋转的方向来向上述主坩埚供给盛装在上述预备坩埚的熔融硅。
生长装置

[实用新型]锭生长装置-CN202022877240.3有效
发明人：朴镇成;李京锡;李英俊;金漌镐 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及锭生长装置。本实用新型实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；预备坩埚，通过接收固态硅材料来使其熔融，向上述主坩埚供给熔融硅；测定部，以贯通上述生长炉的方式设置，用于对上述主坩埚的熔融硅的表面高度变化进行测定；以及控制部，基于所测定的上述熔融硅的表面高度变化，对向上述主坩埚进行的上述预备坩埚的熔融硅的供给进行控制。
生长装置

[实用新型]锭生长装置-CN202022884286.8有效
发明人： 金漌镐;李京锡;朴镇成 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开锭生长装置。在本实用新型一实施方式的锭生长装置中，锭生长装置包括：生长炉，用于使锭生长；以及主坩埚，收容于上述生长炉，收容熔融硅，本实用新型的锭生长装置中的上述主坩埚可包括：主坩埚底部；主坩埚侧面部，从上述主坩埚底部朝向上侧延伸而成；以及主坩埚倾斜部，设置有从上述主坩埚侧面部朝向上侧及外侧延伸而成的倾斜面，当从上述主坩埚侧面部的上侧向上述主坩埚的内部供给熔融硅时，沿着上述倾斜面向上述主坩埚的内部引导上述熔融硅，从而可防止上述熔融硅向上述主坩埚的周边飞溅。
生长装置

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