“还原条件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果937535个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种花状银纳米球、其制备方法及其应用-CN201710537176.4有效
发明人：郭清泉;谢宇;张慧;谭威;马新福 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种花状银纳米球、其制备方法及其应用，制备方法包括：将氨基酸溶液采用pH值调节剂调节至pH值为4～6，得到还原剂溶液，氨基酸溶液选自半胱氨酸溶液或还原型谷胱甘肽溶液；在搅拌的条件下，将还原剂溶液和银氨溶液混合，反应，得到花状银纳米球；还原剂溶液中的还原剂和银氨溶液中的银离子的物质的量比为1:1～1:10，反应的温度为30～80℃，时间为5～10h。该方法反应条件温和，操作简便，环境污染小；该方法通过控制制备原料的用量和反应条件，使花状银纳米球具有较好的光学特性和稳定性。花状银纳米球的Zeta电位值可达+50mV；具有较强的拉曼效应。
种花纳米制备方法及其应用

[发明专利]基于还原糖产率的反硝化木质碳源释碳量调控方法、木质碳源及应用-CN202111341331.8有效
发明人：胡荣庭;李鑫;陈余道;陈广林;祖凌鑫;李学强 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于还原糖产率的反硝化木质碳源释碳量调控方法，通过模拟应用环境条件下的试验确定反硝化速率的最优值，得到相同应用环境条件下适宜木质碳源的还原糖产率目标值，再根据建立的还原糖产率与Ca(OH)2的量，以及还原糖产率与C2H4O3的量之间的关系，将目标还原糖产率带入对应的方程，从而确定合适的处理条件，达到对木质碳源释碳量调控的目的。
基于还原糖产率硝化木质碳源释碳量调控方法应用

[发明专利]一种三阶魔方还原方法、装置及存储介质-CN202111001640.0在审
发明人：雷海东 -专利权人：江汉大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G06T7/90 文献下载
摘要：一种三阶魔方还原方法、装置及存储介质，所述方法包括步骤：对三阶魔方进行分块；获取所述三阶魔方当前状态；判断所述三阶魔方的预设位置是否满足预设条件；若是，对所述三阶魔方的预设位置所在面进行还原操作，并返回所述判断所述三阶魔方的预设位置是否满足预设条件步骤；若否，对所述三阶魔方的预设位置所在面的相邻面进行还原操作。本申请提供的一种三阶魔方还原方法、装置及存储介质，可以将三阶魔方进行自动化还原，极为方便，可供使用者学习和观察。
一种魔方还原方法装置存储介质

[发明专利]无污染的炼铅方法-CN200310106645.5无效
发明人：张峰 -专利权人：张峰
申请日： 2003-10-16 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： C22B13/02 文献下载
摘要：一种无污染的炼铅方法，包括下述步骤：(1)在1200~1300℃时，将PbS转化为PbCO或PbO；(2)将PbCO或PbO放入还原设备里，在低温条件下加热还原；(3)分离脉石，即可得到金属铅。所述低温条件为：采用煤气或水煤气还原时，温度为400~600℃；采用氢气还原时，温度为400~500℃；在隧道窑里采用褐煤还原，温度在800~900℃。所述的分离脉石采用机械搅拌方法或熔化搅拌的方法。
无污染方法

[发明专利]一种过氧化氢酶还原四氯金酸制备金纳米粒子的方法-CN201210258922.3有效
发明人：包炜幸;徐高峰;涂陈弟;奚凤娜 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种过氧化氢酶还原四氯金酸制备金纳米粒子的方法，包括以下步骤：将过氧化氢酶溶液滴加到四氯金酸溶液中，搅拌均匀；调节混合溶液的pH值为碱性，并于20~37℃的水浴条件下发生反应，反应完成后，分离得到金纳米粒子本发明引入了过氧化氢酶作为还原剂和保护剂，过氧化氢酶上的还原性功能基团在碱性条件下还原性强，有利于金纳米粒子的合成，生成的金纳米粒子在高盐条件下（0.5MNaCl）不会团聚。
一种过氧化氢酶还原四氯金酸制备纳米粒子方法

[发明专利]一种脱除高温烟气中SO3-CN202010310489.8在审
发明人：李正;边哲;王国刚;张新功;林瀚;徐贵山;张金庆;孙志强 -专利权人：青岛惠城环保科技股份有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： B01D53/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种脱除高温烟气中SO3的方法，该方法将粉末还原剂注入工业装置高温烟气流经区域，在一定条件下粉末还原剂与烟气中的SO3充分混合、发生氧化还原反应，达到降低SO3排放的目的。本发明使用的工艺系统主要包括：粉末还原剂储罐、还原剂输送管段、粉末还原剂仓泵计量加剂系统、粉末喷射装置。本发明不需要催化剂、不额外增加反应器，反应条件简单，投资及运营成本低，经济、环保效益明显，可满足工业装置降低烟气中SO3排放的普遍需求。
一种脱除高温烟气 so base sub

[发明专利]一种阀箱用低碳马氏体不锈钢及其冶炼方法-CN201911281132.5在审
发明人：祁跃峰;王怡群;赵鹏;宗健;金会业;罗道侨 -专利权人：河南中原特钢装备制造有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C22C38/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种阀箱用低碳马氏体不锈钢及其冶炼方法，采用感应炉熔化料头、钢屑‑精炼炉脱氧还原微合金化‑扒渣‑VOD真空吹氧脱碳‑真空条件下还原‑真空脱气‑模铸浇钢的工艺流程，最大限度节约合金使用，采用VOD后直接真空条件下对钢液还原，得到低碳、脱氧良好钢液，同时简化冶炼工艺流程，提高工位利用效率。
一种阀箱用低碳马氏体不锈钢及其冶炼方法

[发明专利]一种苯偶姻类有机物的氧化还原方法-CN201410728367.5有效
发明人：胡益民;吕双 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C07C49/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种苯偶姻类有机物的氧化还原方法，使用前体化合物2进行氧化还原反应，在95-105℃的条件下，将前体化合物2在甲苯中与苯偶姻类有机物反应10小时以上，将产物纯化分离后得到苯偶姻类有机物的氧化产物本发明氧化还原方法条件温和、步骤简单，为苯偶姻类有机物提供广阔的用途前景。
一种苯偶姻类有机物氧化还原方法

[发明专利]一种还原浸出氧化锰的方法-CN201210042585.4无效
发明人：钟宏;李进中;王帅;刘广义;曹占芳 -专利权人：中南大学
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C22B3/08 文献下载
摘要：一种还原浸出氧化锰的方法，使用刺槐为还原剂，在硫酸水溶液介质中还原浸出氧化锰矿石。采用本发明的方法，锰的浸出率可达到94％以上。本发明使用刺槐作为还原剂，具有原料来源广、反应条件温和、锰浸出率高等特点。
一种还原浸出氧化锰方法

[发明专利]一种催化还原氧化石墨烯的方法-CN201510073801.5在审
发明人：卓其奇;张一萍;堵晴川;晏超 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种在室温下催化还原氧化石墨烯的方法。首先基于氧化石墨烯的盐析效应，将金属盐溶液加入到氧化石墨烯水溶液中，形成絮状悬浮物，然后加入NH3BH3，在室温下利用还原出来的金属颗粒来催化NH3BH3水解从而在氧化石墨烯表面释放出具有高还原性的初生态氢原子，由氢原子来还原氧化石墨烯，最后通过酸洗除去金属颗粒从而得到石墨烯。本发明方法避免了使用水合肼及其衍生物、碘化氢等具有强毒性、挥发性、腐蚀性的化合物作为还原剂来还原氧化石墨烯，具有环保和安全等特点；相比金属粉末/盐酸还原体系，该方法的还原效率较高；同时该方法可以在室温条件下进行，反应条件温和，减少了还原过程中石墨烯缺陷的产生。
一种催化还原氧化石墨方法

[发明专利]一种深度还原物料中铁颗粒粒度的控制方法-CN201310033825.9无效
发明人：高鹏;韩跃新;孙永升;李艳军;任多振 -专利权人：东北大学
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C22B1/02 文献下载
摘要：一种深度还原物料中铁颗粒粒度的控制方法，涉及铁矿石的深度还原技术领域。制取还原物，然后将还原物料与树脂均匀混合，经研磨抛光制作成光片，并对该光片进行拍摄，对拍摄的图像进行二值化处理，然后对该二值图像进行自动分析统计，获得每个视场中所有铁颗粒的等积圆半径；分别绘制出还原温度和还原时间对铁颗粒粒度的特性曲线，根据得到的铁颗粒粒度特征曲线，再进行数据回归模拟，获得深度还原条件与铁颗粒粒度之间的关系，最后根据铁颗粒粒度要求，利用上述关系反推计算深度还原条件，以此来控制铁颗粒粒度的尺寸大小。本发明根据特征曲线实现对铁矿石深度还原物料中铁颗粒粒度的控制，达到产品指标和节能降耗的双重目的。
一种深度还原物料颗粒粒度控制方法

[发明专利]一种水相还原硝基取代芳香化合物制备芳香胺的方法-CN201410682396.2在审
发明人：王峰;张超锋;徐杰;张晓辰;张哲;陈海军;王业红;张健;李利花 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C07B43/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种水相还原硝基取代芳香化合物制备芳香胺的方法，将含有硝基取代的芳香化合物分散于含有相转移催化剂水溶液中，然后加入制备的氧掺入的二硫化钼为催化剂，在100～160℃条件下以甲酸及甲酸盐为还原剂高选择性还原硝基化合物为相应的芳香胺类物质，本发明涉及利用硝基苯还原制备苯胺的方法，因其选择性好，条件温和，环境友好，因此具有一定的工业应用价值。
一种还原硝基取代芳香化合物制备方法

[发明专利]硫化锂的制造方法-CN202180044404.9在审
发明人：稻村昌晃;伊藤崇广;宫下德彦 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C01B17/26 文献下载
摘要：本发明的硫化锂的制造方法具备：使用包含碳(C)元素的还原剂将包含锂(Li)元素和硫(S)元素的原料还原，从而得到中间产物的第1工序；和，使用还原性气体将所述中间产物还原，从而得到硫化锂的第2工序。也优选在700℃以上且850℃以下的温度条件下进行第1工序。也优选在830℃以上且930℃以下的温度条件下进行第2工序。
硫化制造方法

[发明专利]一种水合肼还原芳香硝基化合物制备芳香胺的方法-CN201410675143.2有效
发明人：王峰;张超锋;徐杰;张晓辰;张哲;陈海军;王业红;王敏 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C07B43/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种水合肼还原硝基取代芳香化合物制备芳香胺的方法，将含有硝基取代的芳香化合物溶解于有机溶剂中，然后加入钼基氧化物催化剂，在‑10～100℃条件下以水合肼为还原剂高选择性还原硝基化合物为相应的芳香胺类物质，本发明涉及利用硝基苯还原制备苯胺的方法，具有选择性好，条件温和，环境友好的优点，在工业生产过程中具备应用价值。
一种水合还原芳香硝基化合物制备方法

[发明专利]一种氧化还原制备石墨烯的方法-CN201110372309.X有效
发明人：暴宁钟;何大方;绍邵峰;查晨阳;邱新民;杨文哲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种一种氧化还原制备石墨烯的方法，属于石墨烯的制备技术。具体为利用改性的Hummer法制备氧化石墨，采用振荡器柔和震荡剥离单层的氧化石墨烯。在还原制备石墨烯步骤中，比较目前主要的几种还原剂，优化还原工艺和条件，进而得到具有优异性能的石墨烯。本发明通过优化制备工艺和条件制备具有大尺寸、单层、优异导电性能的高质量石墨烯，并且该方法具有成本低、产物产量高以及易于工业化的特点。
一种氧化还原制备石墨方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top