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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种像素电路及显示装置-CN201711227869.X有效
  • 向东旭;李玥;朱仁远;高娅娜;蔡中兰 - 武汉天马微电子有限公司
  • 2017-11-29 - 2020-06-19 - G09G3/3208
  • 本发明提供了一种像素电路及显示装置，数据写入模块将数据电压写入辅助驱动晶体管的源极，且将辅助驱动晶体管的栅极的电位拉低为辅助驱动晶体管的阈值电压和所述数据电压之和，且由于驱动晶体管的栅极和辅助驱动晶体管的栅极相连，进而能够通过辅助驱动晶体管的阈值电压对驱动晶体管的阈值电压进行补偿，且由于辅助驱动晶体管和驱动晶体管的阈值电压相同，进而达到补偿驱动晶体管的阈值电压的目的，以消除阈值电压对驱动晶体管的影响，进而消除显示装置发光不均匀的现象
  • 一种像素电路显示装置
  • [发明专利]放大器装置及其软启动的方法-CN201410069582.9有效
  • 王裕忠 - 英特尔公司
  • 2014-02-27 - 2017-06-27 - H03F3/45
  • 差分输入对，包括第一晶体管、第二晶体管和辅助晶体管。第一晶体管，具有第一端、第二端及控制端，第一晶体管的控制端接收基准电压。第二晶体管，具有第一端、第二端及控制端，第二晶体管的第一端与第一晶体管的第一端相耦接，第二晶体管的控制端接收输入电压。辅助晶体管，具有第一端、第二端、控制端及基极端，辅助晶体管的第一端与第一晶体管的第一端相耦接，辅助晶体管的第二端与第一晶体管的第二端相耦接，辅助晶体管的控制端接收控制电压，且辅助晶体管的基极端接收所述电源电压电流源，耦接至第一晶体管的第一端及第二晶体管的第一端。负载，耦接至第一晶体管的第二端及第二晶体管的第二端。
  • 放大器装置及其启动方法
  • [发明专利]显示装置和用于修复显示装置的方法-CN202111488948.2在审
  • 全映宰;李禹根;崔宰凡;金钟仁;李进元 - 三星显示有限公司
  • 2021-12-08 - 2022-06-24 - H01L27/32
  • 显示装置包括：驱动晶体管的半导体层；开关晶体管的半导体层；初始化晶体管的半导体层；驱动晶体管的栅极电极，与驱动晶体管的半导体层重叠；下存储电极，连接到开关晶体管的半导体层；上存储电极，连接到驱动晶体管的半导体层、光阻挡图案和初始化晶体管的半导体层，并且与下存储电极重叠；第一辅助晶体管的半导体层，与开关晶体管的半导体层和/或初始化晶体管的半导体层相邻；第一辅助晶体管的第一电极，连接到第一辅助晶体管的半导体层；以及第一辅助晶体管的第二电极，连接到第一辅助晶体管的半导体层。
  • 显示装置用于修复方法
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器-CN201811352930.8有效
  • 黄北洲 - 惠科股份有限公司
  • 2018-11-14 - 2021-07-30 - H01L27/12
  • 本申请涉及一种薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器，该薄膜晶体管阵列包括至少一个薄膜晶体管结构、辅助源极和辅助漏极。其中，该辅助源极和该辅助漏极沿第一方向平行相对设置；各所述薄膜晶体管结构设置于辅助源极和辅助漏极之间，且各所述薄膜晶体管结构分别与辅助源极和辅助漏极连接；相邻的薄膜晶体管结构之间设有耦接部，该耦接部用于使各所述薄膜晶体管结构沿所述第一方向串接上述薄膜晶体管阵列中，由于各薄膜晶体管结构分别与辅助源极和辅助漏极连接，当切断其中一个薄膜晶体管结构时，不会影响薄膜晶体管阵列的正常工作，使该薄膜晶体管阵列易于修复。
  • 薄膜晶体管阵列及其修复方法移位寄存器
  • [发明专利]一种晶体管等效跨导提高放大器电路及芯片-CN202010116324.7有效
  • 徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 - 华南理工大学
  • 2020-02-25 - 2021-01-05 - H03F3/20
  • 本发明公开了一种晶体管等效跨导提高放大器电路，涉及放大电路，主要解决的是现有放大器增益低的技术问题，所述电路包括驱动晶体管、负载晶体管、反馈网络和辅助晶体管，电源连接所述负载晶体管的漏极和栅极，所述驱动晶体管的栅极连接输入端，所述驱动晶体管的源极、辅助晶体管的源极共地连接，所述负载晶体管的源极连接所述驱动晶体管的漏极和辅助晶体管的漏极，所述辅助晶体管的栅极通过所述反馈网络连接所述负载晶体管的源极和输出端。本发明还公开了一种晶体管等效跨导提高放大器芯片。本发明可以有效提高增益。
  • 一种晶体管等效提高放大器电路芯片
  • [发明专利]栅极线驱动电路-CN201610431961.7有效
  • 黄圣峰;岩津明宏;吴政珉;李冠锋 - 群创光电股份有限公司
  • 2016-06-17 - 2019-11-01 - G09G3/36
  • 输出电路包含上拉晶体管及辅助晶体管。上拉晶体管及辅助晶体管分别具有第一控制节点及第二控制节点，上拉晶体管与辅助晶体管为多晶硅晶体管。控制电路耦合至输出电路。控制电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管。上拉晶体管分别耦接至第一时序信号、栅极线。辅助晶体管分别耦接至上拉晶体管、低电位及第二控制节点。第一晶体管分别耦接至第一控制节点。第二晶体管分别耦接至第一控制节点、低电位及第二控制节点。第三晶体管分别耦接至高电位、第二控制节点。第四晶体管分别耦接至第二控制节点、低电位及第一控制节点。第一、第二、第三与第四晶体管至少有一个为氧化物半导体晶体管。
  • 栅极驱动电路
  • [发明专利]静态随机存储器及其布局和存取方法-CN201410440248.X有效
  • 张弓;王楠 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-09-01 - 2018-08-10 - G11C11/413
  • 其中，所述静态随机存储器包括第一反相器，具有第一驱动晶体管和第一负载晶体管；第二反相器，具有第二驱动晶体管和第二负载晶体管；第一传输晶体管，连接在所述第一反相器的输出端；第二传输晶体管，连接在所述第二反相器的输出端；还包括：至少一个第一辅助驱动晶体管；至少一个第二辅助驱动晶体管；至少一个第一辅助传输晶体管，连接在所述第一反相器的输出端；所述第一辅助传输晶体管的栅极与所述第一传输晶体管的栅极分离；至少一个第二辅助传输晶体管，连接在所述第二反相器的输出端；所述第二辅助传输晶体管的栅极与所述第二传输晶体管的栅极分离。
  • 静态随机存储器及其布局存取方法
  • [发明专利]配置成控制发光元件的像素电路-CN202210617746.1在审
  • 河内玄士朗 - 武汉天马微电子有限公司
  • 2022-06-01 - 2022-08-30 - G09G3/3258
  • 像素电路包括在驱动晶体管的栅极和漏极之间的第一开关晶体管、第二开关晶体管以及连接到第二开关晶体管的辅助电容器。第二开关晶体管将数据信号电压从数据线通过驱动晶体管和第一开关晶体管传输到存储电容器。在第二开关晶体管和第一开关晶体管导通的第一时段的过程中，辅助电容器保持取决于来自数据线的数据信号电压的辅助电荷。在第二开关晶体管截止并且第一开关晶体管导通的第二时段的过程中，辅助电荷从辅助电容器通过第一开关晶体管和驱动晶体管转移到存储电容器。辅助电容器的电容等于或大于存储电容器的电容的1/2。
  • 配置控制发光元件像素电路
  • [发明专利]快速切换低噪声电荷泵-CN200880115573.1有效
  • 王沈;李桑奥;杨炯锡 - 高通股份有限公司
  • 2008-11-12 - 2010-10-06 - H03L7/089
  • 所述方法包含：加偏压于多个晶体管；切换一对主晶体管开关以经由所述经偏压晶体管在输出端子上施加净电荷或移除所述输出端子上的净电荷；以及当所述主晶体管开关断开时，接通辅助晶体管开关。所述辅助晶体管开关在接通时在所述主晶体管开关与所述经偏压晶体管之间提供到达节点的辅助均衡路径。所述辅助均衡路径均衡中间节点之间的电压，以快速断开所述经偏压晶体管，并减少所述电荷泵的所述输出端子上的噪声。
  • 快速切换噪声电荷
  • [发明专利]一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器-CN201210350350.1有效
  • 李峻;夏志强;汪锐 - 上海中航光电子有限公司
  • 2012-09-19 - 2013-09-04 - G09G3/36
  • 本发明提供一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器，所述移位寄存器包括多级由九个晶体管和一个电容组成的移位寄存电路，所述移位寄存电路包括信号输出模块的上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体，第三下拉晶体管、开关晶体管，第一电容，复位晶体管，和辅助下拉模块的第一辅助下拉晶体管、第二辅助下拉晶体管和并联连接的第三辅助下拉晶体管和第二电容。第二电容作为缓冲器件，能够过滤输出信号中多余的毛刺信号，减少了信号串扰，同时由于第一下拉晶体管和第二下拉晶体管各自在半个下拉周期工作，也抑制了因晶体管宽长比过大的阈值电压的漂移，进而保证了电路的稳定性。通过设置辅助下拉模块，能够使第二节点的输出波形更加稳定。
  • 一种移位寄存器薄膜晶体管液晶显示器
  • [发明专利]读写辅助电路及静态随机访问存储器-CN202310108362.1在审
  • 乔树山;赵鹏远;尹佳璐;赵慧冬 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-02-01 - 2023-05-12 - G11C11/419
  • 本公开提供一种读写辅助电路及静态随机访问存储器，读写辅助电路包括：相互连接的第一晶体管和第三晶体管，相互连接的第二晶体管和第四晶体管；晶体管电容；以及第五晶体管；其中，第一晶体管和第三晶体管分别与晶体管电容的第一极板相连接，第二晶体管和第四晶体管分别与晶体管电容的第二极板相连接；第一晶体管和第二晶体管分别与电源相连接；第三晶体管和第四晶体管分别与第五晶体管相连接；第一晶体管和第二晶体管不同时导通，以使得在第五晶体管关断时，电源对晶体管电容充电；以及在第五晶体管导通时，经过充电的晶体管电容抬高或拉低存储阵列的电压。
  • 读写辅助电路静态随机访问存储器
  • [发明专利]一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器-CN201210352980.2有效
  • 李峻;夏志强 - 上海中航光电子有限公司
  • 2012-09-19 - 2013-09-11 - G09G3/20
  • 本发明提供一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器，所述移位寄存器包括多级由八个晶体管和两个电容组成的移位寄存电路，所述移位寄存电路包括信号输出模块的上拉晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体，开关晶体管，第一电容，复位晶体管，和辅助下拉模块的第一辅助下拉晶体管、第二辅助下拉晶体管和并联连接的第三辅助下拉晶体管和第二电容。第二电容作为缓冲器件，能够过滤输出信号中多余的毛刺信号，减少了信号串扰，同时由于第一下拉晶体管和第二下拉晶体管各自在半个下拉周期工作，也抑制了因晶体管宽长比过大的阈值电压的漂移，进而保证了电路的稳定性。通过设置辅助下拉模块，能够使第二节点的输出波形更加稳定。
  • 一种移位寄存器薄膜晶体管液晶显示器
  • [发明专利]显示装置-CN202110312074.9在审
  • 金根佑;姜泰旭;金斗娜;金太辉;李在燮;朱在焕 - 三星显示有限公司
  • 2021-03-24 - 2021-10-15 - G09G3/3233
  • 子像素电路包括：驱动晶体管，该驱动晶体管控制流过发光元件的驱动电流；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管在作为驱动晶体管的漏电极的第一节点与作为驱动晶体管的栅电极的第二节点之间串联连接；以及栅辅助电极，该栅辅助电极被布置在第一晶体管的栅电极上或第二晶体管的栅电极上。栅辅助电极连接到第一晶体管的栅电极或第二晶体管的栅电极。
  • 显示装置
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