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[发明专利]一种高Al含量难熔高熵合金铸锭真空自耗熔炼方法-CN202010912865.0有效
发明人：刘宏武;高帆;李臻熙 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明属于高熵合金材料制备技术领域，涉及一种高Al含量难熔高熵合金铸锭真空自耗熔炼方法。本发明方法通过压制电极：根据合金成分称取原材料，原材料Al元素置于电极中间位置，电极两端用其他原材料填充，填充厚度保证后续电极组焊后焊缝处不形成脆性高铝含量的化合物；熔炼：将电极依次焊接起来，装入真空自耗电弧炉中进行熔炼通过自耗电极的原材料选择、布料方式、工艺控制等手段，实现高Al含量难熔高熵合金铸锭的制备，获得无裂纹且成分均匀的高熵合金铸锭。本方法适用于高效制备较大尺寸高Al含量难熔高熵合金铸锭。
一种 al 含量难熔高熵合金铸锭真空熔炼方法

[发明专利]一种难熔高熵合金表面抗氧化涂层及其制备方法-CN202110125510.1在审
发明人：张平;王鑫;胡振峰;梁秀兵;沈宝龙 -专利权人：中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院;中国矿业大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C23C12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种难熔高熵合金表面抗氧化涂层的制备方法，包括以下步骤：a.对采用熔炼或烧结法制备的难熔高熵合金进行表面预处理；b.在氩气或氮气等保护性气氛下，对预处理后合金试样进行包埋渗处理，渗剂组成为Si本发明通过被渗元素的扩散渗入+原位反应实现在难熔高熵合金表面制备多元硅化物涂层，该涂层可有效为难熔高熵合金提供1450℃下的高温防护，且涂层制备工艺简单可控、成本低廉，对具有复杂形状的实际工件也具有可操作性
一种难熔高熵合金表面氧化涂层及其制备方法

[发明专利]一种难熔高熵合金及其制备方法和应用-CN202210485808.8有效
发明人：郭威;郑伟杰;赵觅;吕书林;吴树森 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明属于高温材料技术领域，具体公开了一种难熔高熵合金及其制备方法和应用，该合金的组成表达式为MoNbVTax，其中0≤x＜1，所述组成表达式中的比例为相对原子比本发明Mo‑Nb‑V‑Ta难熔高熵合金体系在1200℃下仍具有至少640MPa以上屈服强度，并且其在800℃下具有优异的抗氧化性能；通过调整体系中密度最大的Ta元素含量，合金均保持单一固溶体相结构，得到一系列Mo‑Nb‑V‑Ta难熔高熵合金。本发明提供的具有低密度、优异高温力学性能及抗氧化性的难熔高熵合金体系，有望在高温结构材料领域取得广泛应用。
一种难熔高熵合金及其制备方法应用

[发明专利]一种含B的难熔高熵合金TiZrNbMoTa及其粉末冶金制备方法-CN201910487529.3在审
发明人：戴品强;朱成龙;陈俊锋;邹林池;李战江;吴宜杰;常发;洪春福 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含B的难熔高熵合金TiZrNbMoTa及其粉末冶金制备方法，其是选用高熔点金属元素Ti、Zr、Nb、Mo、Ta及非金属元素B为原料，先经机械合金化制备出合金粉末，再利用放电等离子烧结进行固结本发明所得难熔高熵合金的晶粒尺寸小，成分均匀，致密性良好，且其制备方法简单，可经一次烧结制得，能够显著降低能耗和减少设备损耗，具有良好应用前景。
高熵合金难熔粉末冶金制备制备放电等离子烧结高熔点金属元素非金属元素机械合金化晶粒合金粉末减少设备块体合金一次烧结再利用致密性固结应用

[发明专利]一种难熔高熵合金及其成型方法-CN202010202852.4在审
发明人：韩坤;解国良;孙中刚;董亮 -专利权人：苏州天峰动立合金科技有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种难熔高熵合金及其成型方法，包括：准备难熔高熵合金原料，电磁感应悬浮熔炼，高频电磁搅拌半固态浆料，压铸成型。本发明将悬浮熔炼、电磁搅拌以及半固态成形相结合，既避免了高熵合金普遍存在的严重成分偏析问题，还能够获得显微组织细小均匀而且致密度高的制品。
一种难熔高熵合金及其成型方法

[发明专利]大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材及其制备工艺-CN202210072452.5在审
发明人：徐从康;马赛;贺涛;陈箫箫 -专利权人：亚芯半导体材料（江苏）有限公司;亚芯电子科技（常州）有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于高熵难熔金属合金溅射靶材技术领域，具体涉及一种大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材及其制备工艺，包括以下步骤：步骤S1，将金属粉与用氟和/或氯元素气体反应，制备出卤化物前驱体；步骤S2，对卤化物前驱体进行提纯，得到高纯度卤化物；步骤S3，将高纯度卤化物采用化学气相沉积法用还原气体还原成高纯金属；步骤S4，将高纯金属沉积到基体材料上，一步法生产出大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材；本发明制备的大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材，具有工序简单、尺寸大、纯度高、密度高、一致性好等优势。
尺寸高熵高纯度金属合金溅射及其制备工艺

[发明专利]一种Mo-Ta-W难熔高熵合金薄膜及其制备方法-CN202111328010.4在审
发明人：梁秀兵;张毅勇;张志彬;胡振峰;何鹏飞;王鑫 -专利权人：中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种Mo‑Ta‑W难熔高熵合金薄膜及其制备方法。该难熔高熵合金薄膜由Mo、Ta和W等原子比或非等原子比组成，制备方法包括如下步骤：基片超声清洗、吹干并固定在基片台上；将高纯金属靶材Mo、Ta和W放置在三个靶位，并调节靶材相对于垂直于基片台的中心线的角度和靶材与基片台之间的垂直距离；将沉积室抽真空然后通入高纯Ar气，调节工作气压，设置靶材溅射功率，对靶材进行预溅射；然后设置基片旋转并打开基片挡板进行正式溅射，得到该三元难熔高熵合金薄膜。本发明采用多靶直流磁控溅射沉积的方法，得到了成分均匀、致密性好、硬度高的三元难熔高熵合金薄膜。
一种 mo ta 难熔高熵合金薄膜及其制备方法

[发明专利]一种面向等离子体含钨的单相难熔高熵合金及其制备方法-CN201811019264.6有效
发明人：罗来马;黄科;吴玉程;刘东光;昝祥;朱晓勇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向等离子体含钨的单相难熔高熵合金及其制备方法，其中面向等离子体含钨的单相难熔高熵合金的成分组元为W、Ta、V、Cr、Ti，各组分按原子百分比构成为：W 20‑22.5％，Ta 20‑22.5本发明通过悬浮熔炼制备的W‑Ta‑V‑Cr‑Ti单相难熔高熵合金使材料的组织均匀，硬度、强度等综合性能能得到提高。
一种面向等离子体单相难熔高熵合金及其制备方法

[发明专利]一种NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜及其制备方法-CN202110344020.0在审
发明人：杨冲;李彤;王亚强;刘刚;孙军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜及其制备方法，Al的原子百分数为2.4‑19.4at.％，其余为等原子比的NbMoTaW。在单面抛光的单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，其中NbMoTaW合金靶采用直流电源，Al靶采用射频电源；本发明通过控制沉积功率来调整NbMoTaWAl高熵合金薄膜中沉积结束后基体在高真空镀膜室充分冷却得到NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜，所得薄膜成分均匀，组织致密；Al的适当加入可以有效提高NbMoTaW高熵合金薄膜的力学性能和抗氧化性能。
一种 nbmotawal 难熔高熵合金薄膜及其制备方法

[发明专利]一种纳米晶TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法-CN202210327869.1有效
发明人：王亚强;丁佳琪;张金钰;吴凯;刘刚;孙军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法，Zr的原子百分比小于15.8at.％，其余为近等原子比的TaWMoCr。在抛光的钢基体和单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层，其中TaWMoCr合金靶采用2个直流电源，Zr靶采用1个射频电源。高真空磁控溅射共溅射制备得到的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层为单相BCC固溶体，具有纳米柱状晶结构，表面形貌为针片状，成分均匀，组织致密，厚度为2.1～2.7μm。Zr的适量加入可以有效提高TaWMoCr高熵合金涂层的力学性能、膜基结合性能以及抗氧化性能，扩展了高熵合金涂层的应用范围。
一种纳米 tawmocrzr 难熔高熵合金涂层及其制备方法

[发明专利]一种难熔高熵合金显微组织样品的快速制备方法-CN202210820265.0有效
发明人：刘淑凤;郭荣贵;邓巧娟 -专利权人：国标（北京）检验认证有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种难熔高熵合金显微组织样品的快速制备方法，属于显微组织分析测试技术领域。该方法采用机械加工方式制备难熔高熵合金样品，依次采用从粗到细的砂纸进行逐级研磨，每级研磨均朝同一方向磨制，下一级将样品转动45°‑135°，直至将上一级划痕去除；用水冲洗干净并吹干；将试样磨制面浸入至化学抛光液中本发明获得的难熔高熵合金材金相样品显微组织清晰真实，无假象，为后续开展难熔高熵合金显微技术研究、产品质量控制提供了较好的技术支撑，且制样工艺简单，高效，复现性高。
一种难熔高熵合金显微组织样品快速制备方法

[发明专利]一种轻质难熔耐高温共晶高熵合金及其制备方法-CN202110149649.X有效
发明人：疏达;吴明旭;王舒滨;祝国梁;汪东红;孙宝德 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种轻质难熔耐高温共晶高熵合金及其制备方法。其中，所述轻质难熔耐高温共晶高熵合金的化学成分表达式为VaNbbMcSi
一种轻质难熔耐高温共晶高熵合金及其制备方法

[发明专利]轻质难熔高熵合金的成分配方及制备工艺-CN202010817989.0有效
发明人：贾延东;贾岳飞;王刚;易军;翟启杰 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本申请公开一种轻质难熔高熵合金的成分配方及制备工艺，所述合金配方包含Nb、Ti、V、Zr和Mo元素，且元素间的摩尔比例为Nb:Ti:V:Zr:Mo=1:3:2:1:0.1。本发明的有益之处在于提供了一种能获得优异性能的轻质难熔高熵合金的新配方和相应制备、处理工艺。
轻质难熔高熵合金成分配方制备工艺

[发明专利]一种电子束熔炼重熔返回料制备难熔高熵合金的方法-CN202311077940.6在审
发明人：王本鹏;杨昊炎;郭寻;薛云飞 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子束熔炼重熔返回料制备难熔高熵合金的方法，属于合金技术领域。通过对返回料进行洁净处理后，置于电子束熔炼炉中，控制真空度，依次进行小功率预热、中等功率熔炼平整和大功率整体精炼，最后翻转板材，重复大功率整体精炼，得到重熔后的难熔高熵合金。得到的难熔高熵合金的成分均匀，为等轴组织且无树枝晶，成分准确、组织均匀，性能一致性好；材料利用率提升至90%以上。
一种电子束熔炼返回制备难熔高熵合金方法

[发明专利]一种具有高强度的WVTaZrSc难熔高熵合金及其制备方法-CN201910800787.2有效
发明人：吴玉程;侯庆庆;罗来马;谭晓月;昝祥;刘东光 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高强度的WVTaZrSc难熔高熵合金及其制备方法，其中WVTaZrSc难熔高熵合金中各组分按原子百分比构成为：W 27～29％，V 27～29％，Ta 27～29％，Zr 8％，Sc本发明制备出的难熔高熵合金材料组织是单一的体心立方结构，显微组织均匀，相对密度达99.9％以上，显微硬度值518～550Hv，优于纯钨材料(显微硬度320～360Hv)。
一种具有强度 wvtazrsc 难熔高熵合金及其制备方法