专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]低温超导薄膜-CN202010838618.0有效
  • 李浩;尤立星;王镇 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-08-19 - 2021-11-02 - H01B12/06
  • 本发明提供一种低温超导薄膜,包括:n层电隔离层及n+1层超导材料层,所述超导材料层与所述电隔离层依次交替叠置;通过改变各超导材料层的厚度调整所述低温超导薄膜超导转变温度,所述低温超导薄膜的总厚度在相干长度比拟范围内;其中,各超导材料层的材料相同,具有两层以上电隔离层时各电隔离层的材料相同,n为大于等于1的自然数。本发明的低温超导薄膜基于多层超薄的超导材料层及电隔离层调控低温超导薄膜的转变温度,通过调整单层超导材料层的厚度得到不同转变温度的超导材料,调控精度高、操作简单;本发明的低温超导薄膜超导转变温度原则上与单层超导薄膜的转变温度一致,从而远小于体超导或较厚超导薄膜的转变温度。
  • 低温超导薄膜
  • [发明专利]约瑟夫森结器件及其制备方法-CN201811367576.6有效
  • 薛其坤;马旭村;张定;朱玉莹;廖孟涵 - 清华大学
  • 2018-11-16 - 2022-03-08 - H01L39/22
  • 本发明公开了一种约瑟夫森结器件的制备方法,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成间隔设置的第一电极和第二电极,在所述衬底表面形成间隔区域;分别提供第一超导材料薄膜和第二超导材料薄膜,所述第一超导材料薄膜和所述第二超导材料薄膜为层状超导材料,所述层状超导材料包括绝缘层和超导层;将所述第一超导材料薄膜转移至所述衬底表面,使所述第一超导材料薄膜同时覆盖部分所述间隔区域及部分所述第一电极;以及将所述第二超导材料薄膜转移至所述衬底表面,使所述第二超导材料薄膜同时覆盖部分所述第一超导材料薄膜
  • 约瑟夫器件及其制备方法
  • [发明专利]一种超导转变边探测器及其制备方法-CN202110560045.4有效
  • 宋艳汝;杨瑾屏;张硕;夏经铠;刘志 - 上海科技大学
  • 2021-05-21 - 2023-02-28 - H10N60/01
  • 本发明涉及超导电子学技术领域,特别是涉及一种超导转变边探测器及其制备方法。本发明所提供的制备方法,先后在衬底上制备截止层、薄膜层、超导材料层、常态金属条和/或常态金属点、热沉件、吸收体等部件。本发明中,为缓解超导转变边沿出现扭折线的难题,在TES探测器超导薄膜上方生长常态金属条并适当增加一些常态金属点,同时为了降低制备探测器时的复杂度和解决超导体失超的问题,采用将吸收体与超导材料层(超导薄膜)直接接触的方式,并在制备超导薄膜时增加钼薄膜厚度,通过超导材料层的两个子层和吸收体三层薄膜来调控探测器的超导转变温度。
  • 一种超导转变探测器及其制备方法
  • [实用新型]一种太赫兹波探测器-CN201220005875.7有效
  • 刘瑞元;宋小会;王云平 - 中国科学院物理研究所
  • 2012-01-06 - 2012-09-05 - G01N21/17
  • 本实用新型公开了一种太赫兹波探测器,用于探测来自太赫兹波辐射源的太赫兹波,所述太赫兹波探测器包括:衬底;附着在所述衬底上的超导材料薄膜,所述超导材料薄膜为单条以曲折且紧凑的方式在所述衬底上延伸的长程线条型结构;低温恒温器,所述低温恒温器容纳所述衬底和超导材料薄膜并能够提供使得所述超导材料薄膜处于超导转变温区的温度;其中,所述低温恒温器设有窗口,待探测的太赫兹波能够穿过所述窗口照射到所述超导材料薄膜上;和探测电路,所述探测电路连接在所述长程线条型结构的超导材料薄膜的两端。
  • 一种赫兹探测器
  • [发明专利]一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法-CN201310058854.0有效
  • 苏晓东;张婧娇;郑磊 - 苏州大学
  • 2013-02-25 - 2013-06-19 - H01L39/12
  • 本发明制备一种硅基氮化铌薄膜超导材料,包括Si基底、TiN过渡层,以及NbN层。由于直接在Si基片上生长NbN薄膜有较大的晶格失配度,会导致NbN薄膜中存在一定厚度非超导的界面畸变层,严重降低NbN的超导性能。而TiN和NbN同属面心立方结构,而且晶格失配度较小,因此使用TiN过渡层大幅减小了NbN薄膜中的界面畸变层厚度,同时NbN结晶性得到改善,从而提高了其超导性能;并且NbTiN本身是一种Tc较高的超导材料,TiN中的Ti和N两种元素即使进入到NbN薄膜不会降低,反而会提升其超导性能。同时,本发明还提出了该硅基氮化铌薄膜超导材料的制作方法。
  • 一种氮化薄膜超导材料及其制作方法
  • [发明专利]铊系高温超导薄膜材料及其制备方法-CN03144207.2无效
  • 阎少林;方兰;何明;路荣涛 - 南开大学
  • 2003-08-29 - 2004-07-28 - H01L39/12
  • 本发明涉及Tl2Ba2CaCu2O8 (Tl-2212)超导材料薄膜及其制备方法。Tl-2212超导薄膜超导转变温度高于100K;77K温度下临界电流密度大于106A/cm2;77K温度下、10GHz频率时的表面电阻小于1mΩ。Tl-2212超导材料薄膜的厚度在10nm-1000nm之间。本发明主要是采用两步方法制作Tl-2212外延超导薄膜:第一步,在衬底基片上淀积Tl-Ba-Ca-Cu-O非晶先驱薄膜;第二步,高温热处理,使Tl-Ba-Ca-Cu-O非晶先驱薄膜转变为超导薄膜。本发明解决了大面积双面Tl-2212外延超导薄膜的制备方法。本发明制作的Tl-2212外延超导薄膜可用来制作微波无源器件或其他超导电子器件。
  • 高温超导薄膜材料及其制备方法

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