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[发明专利]超导电路及其制备方法-CN201910492823.3在审
发明人：邓昊 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导电路及其制备方法。其中，该超导电路包括：底层结构，其中，底层结构包括超导量子比特底层部分和其余超导电路底层部分,超导量子比特底层部分和其余超导电路底层部分通过同一底层超导层连接。本发明解决了在相关技术中，在实现超导电路中的超导量子比特部分与其余超导电路部分互连时，存在不仅工艺复杂，降低超导电路良率，而且存在金属之间的界面，电学连接质量不高，降低超导量子比特性能的技术问题。
超导电路及其制备方法

[发明专利]超导电路及其保护方法-CN202310454572.6在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;张辉 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导电路及其保护方法。该保护方法包括：提供表面形成有超导电路的衬底；在衬底上形成覆盖超导电路的锗保护层，以减少或避免超导电路的表面与外界接触。由于锗的热导性高、微波透射性好、机械性强，既可以对超导电路起到隔离作用，又不会影响超导电路的性能，从而本发明能够在不影响性能的情况下将超导电路与外界隔离。
超导电路及其保护方法

[发明专利]半导体电路与超导电路单片集成的复合芯片及其制作方法-CN201911012066.1在审
发明人：陈晓杰;董业民;单毅;刘艳;龚正辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体电路与超导电路单片集成的复合芯片，用于与一外围系统相连，包括自下而上依次堆叠的衬底、半导体电路、隔离层和超导电路，超导电路和所述半导体电路的外露的部分上均覆盖有一钝化层，所述半导体电路和所述超导电路之间通过片内互连节点相连本发明的半导体电路与超导电路复合芯片实现了半导体电路与超导电路的单片集成，可以兼具半导体集成电路的高密度大容量和超导集成电路的高速低能耗的优点，并提升了超导电路和半导体电路协同工作的稳定性及可靠性。
半导体电路超导电路复合芯片半导体集成电路超导集成电路单片集成互连节点外围系统超导电大容量低能耗钝化层隔离层外露衬底堆叠协同覆盖

[发明专利]超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路-CN202210168023.8有效
发明人：原蒲升;李凌云;王永良;汪书娜;余慧勤;尤立星 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明提供一种超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路，超导测试电路包括CMOS电路与跨温区互联系统；跨温区互联系统包括衰减模块、放大模块和传输线链路；所述衰减模块的输入端用于连接CMOS电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述超导电路；所述衰减模块用于将CMOS电路的CMOS逻辑电平转化处理为超导逻辑电平；所述放大模块的输入端用于连接所述超导电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述CMOS电路；所述放大模块用于将超导电路的超导逻辑电平转化处理为CMOS逻辑电平；所述传输线链路用于实现超导电路与CMOS电路之间跨温区的信号传输。本发明能保证测试中超导芯片的高速、动态功能实现。
超导电路 cmos 之间跨温区互联系测试

[发明专利]具有大电感层的超导电路及其制备方法-CN202111492420.2在审
发明人：应利良;张雪;何桂香;任洁;彭炜 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种具有大电感层的超导电路及其制备方法，该超导电路包括：衬底；形成于衬底上的旁路电阻；形成于旁路电阻上的约瑟夫森结；形成于约瑟夫森结上的大电感层；形成于大电感层上的配线层；绝缘材料层，分别将旁路电阻该超导电路利用原配线层的中小电感设计中，再设计加入一层专门的大电感层应用于需要大电感的超导电路中，有效扩大了超导电路中的电感大小范围，拓宽了超导电路的应用场景，提高超导电路的集成度；另外，特定材料的大电感层同时还可以用作大电阻层，从而可进一步提升超导电路的集成度。
具有电感超导电路及其制备方法

[发明专利]超导电路的制备方法、系统、存储介质和电子装置-CN202310150641.4在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种超导电路的制备方法、系统、存储介质和电子装置，属于超导电路技术领域。所述超导电路的制备方法，它包括：提供衬底，所述衬底上形成有具有断路缺陷的超导电路；确定所述断路缺陷所处的断路位置，并根据所述断路位置确定曝光版图；形成掩膜于所述衬底，并根据所述曝光版图图形化所述掩膜；以及，利用所述掩膜在所述断路位置镀膜获得连通的超导电路。与现有技术相比，本申请提供的技术方案能够实现量子芯片上超导电路的断路缺陷修复。
超导电路制备方法系统存储介质电子装置

[发明专利]一种用于电磁暂态仿真的超导电缆的建模方法及装置-CN201910808938.9在审
发明人：张会明;张宏杰;邓祥力;诸嘉慧;陈盼盼;丘明 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网上海市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电磁暂态仿真的超导电缆的建模方法，其特征在于，包括：建立超导电缆多状态电路仿真模型；根据电网故障对超导电缆的电气量的影响，通过简化所述超导电缆多状态电路仿真模型，建立电网或超导电缆故障的简化仿真模型；利用电磁暂态仿真软件与所述电网或超导电缆故障的简化仿真模型，搭建电磁暂态仿真的超导电缆模型，针对电网故障分析或超导电缆继电保护的需求，和传统超导电缆仿真模型在计算效率、关键电气量计算精度、多运行状态的连续切换方面存在的问题，根据电网故障分析要求，简化了超导电缆电路仿真模型，融入电磁暂态仿真模型中，以达到满足电网故障仿真分析的要求。
超导电缆电网故障电路仿真仿真模型电磁暂态电气量多状态电磁暂态仿真模型电磁暂态仿真软件仿真分析计算效率继电保护连续切换运行状态电网建模分析融入

[发明专利]脉冲电路、其使用方法以及脉冲电源-CN201811215099.1有效
发明人：孙浩;于歆杰;李臻;李蓓;黄松岭 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H02M9/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种脉冲电路、其使用方法及脉冲电源。所述脉冲电路包括超导电路、输出电路和充电电路。所述超导电路包括超导线圈。所述超导线圈包括第一端和第二端。所述输出电路与所述第二端连接。所述充电电路与所述超导电路连接。通过所述第一端给所述超导线圈充电。所述充电电路第一次给所述超导线圈充电，以使所述超导线圈处于超导状态。所述充电电路第二次给所述超导线圈充电，以使所述超导线圈失去超导状态，所述输出电路由于磁链守恒产生电流给负载供电。所述超导线圈电阻瞬间增大，具有关断大电流的作用，因此可以提高所述脉冲电路关断大电流的能力，且可以减小产生开路电压。因此所述脉冲电路具有较高的安全性能。
脉冲电路使用方法以及电源

[发明专利]量子门装置-CN202080054500.7在审
发明人：野口笃史;中村泰信 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明的量子门装置10包括以第一共振频率共振的第一超导电路11、以第二共振频率共振的第二超导电路12、以及将第一超导电路11和第二超导电路12连接的连接部13。第一超导电路11包括一个第一约瑟夫森元件111、第二约瑟夫森元件组112、以及第一电容器114。第二约瑟夫森元件组112是将n个约瑟夫森元件利用由超导体所构成的配线串联地连接而形成的，该n个约瑟夫森元件的各个所具有的约瑟夫森能量比第一约瑟夫森元件111的约瑟夫森能量的n倍大。第一配线115通过将第一约瑟夫森元件111与第二约瑟夫森元件组112呈环状连接而形成局部超导电路113，进而将局部超导电路113与第一电容器114并联地连接。量子门装置10进而具有对局部超导电路113内施加静磁场的磁场施加部14、以及将具有第一共振频率与第二共振频率的差即差频的电磁波照射至第一超导电路11和/或第二超导电路12的电磁波照射部(第一电磁波照射部
量子装置

[发明专利]一种板式超导热开关-CN202010475198.4在审
发明人：边星;王金阵;伍继浩 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L39/16 文献下载
摘要：本发明提供一种板式超导热开关及其制作方法；板式超导热开关包括基板、逐层设置于基板上的第一铅层、第一绝缘层、导电层、第二绝缘层、第二铅层、第三绝缘层和超导线层，所述导电层为由多个贴片电阻和条状导电电路构成的网格状电路，每一贴片电阻位于网格的交点处，贴片电阻高出于条状导电电路，超导线层包括多条超导线，每一超导线与贴片电阻对应的位置处通过低温胶固定。本申请板式超导热开关的导电层由多个贴片电阻和条状电路构成网格状电路，结构紧凑，部署有序性亦得到提高。
一种板式导热开关

[发明专利]一种螺旋多层超导电缆交流损耗的计算方法-CN201310451065.3无效
发明人：诸嘉慧;丘明 -专利权人：国家电网公司;中国电力科学研究院;国网北京市电力公司;国网黑龙江省电力有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种螺旋多层超导电缆交流损耗的计算方法，包括以下步骤：计算超导电缆中各导电层电流；计算超导电缆中各导电层的磁场；计算各导电层的临界电流退化率；计算超导电缆交流损耗。本发明通过考虑螺旋分层等特殊结构影响，可对不同结构尺寸的高温超导电缆交流损耗实现归一化计算；建立螺旋多层高温超导电缆等效电路模型，该等效电路模型具有内部物理关系清晰直观，令超导电缆交流损耗求解过程快速且准确的特点，计算结果可以直观显示超导电缆内部各导电层电流分布、磁场分布及各层交流损耗分布特征。
一种螺旋多层超导电缆交流损耗计算方法

[发明专利]超导电路的制备方法、系统、存储介质和电子装置-CN202310150686.1在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本申请公开了一种超导电路的制备方法、系统、存储介质和电子装置，属于超导电路技术领域。所述超导电路的制备方法，它包括：提供衬底，所述衬底上形成有具有短路缺陷的超导电路；确定所述短路缺陷所处的短路位置，并根据所述短路位置确定曝光版图；形成掩膜于所述衬底，并根据所述曝光版图图形化所述掩膜；以及，利用所述掩膜刻蚀使所述短路位置断开以获得去除所述短路缺陷的超导电路。
超导电路制备方法系统存储介质电子装置

[实用新型]一种板式超导热开关-CN202020961974.7有效
发明人：边星;王金阵;伍继浩 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L39/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种板式超导热开关，其包括基板、逐层设置于基板上的第一铅层、第一绝缘层、导电层、第二绝缘层、第二铅层、第三绝缘层和超导线层，所述导电层为由多个贴片电阻和条状导电电路构成的网格状电路，每一贴片电阻位于网格的交点处，贴片电阻高出于条状导电电路，超导线层包括多条超导线，每一超导线与贴片电阻对应的位置处通过低温胶固定。本申请板式超导热开关的导电层由多个贴片电阻和条状电路构成网格状电路，结构紧凑，部署有序性亦得到提高。
一种板式导热开关

[发明专利]量子比特组件、量子比特组件制备方法、芯片及设备-CN202111172563.5在审
发明人：邹沉积;郑亚锐;王辉 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N60/82 文献下载
摘要：量子比特组件包括：衬底、超导电路层、凸点下金属层以及焊点；所述超导电路层位于所述衬底上；所述凸点下金属层位于所述超导电路层上，且所述凸点下金属层与所述超导电路层形成超导连接；所述凸点下金属层的材质为金属铌；所述焊点位于所述凸点下金属层上，且所述焊点与所述凸点下金属层形成超导连接。由于铌表面的氧化层相比于其他超导材料表面的氧化层更容易去除，从而和焊点之间形成更良好的超导接触，因此，上述方案可以极大的提高倒装焊超导量子芯片中两个平面超导量子芯片之间的超导性能，进而提高倒装焊超导量子芯片的性能
量子比特组件制备方法芯片设备

[发明专利]改变超导体磁化的仪器和方法-CN201680044894.1有效
发明人：耿建昭;T·A·库姆斯 -专利权人：麦格尼法恩有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01F6/00 文献下载
摘要：我们描述一个超导电路，该电路包括：一个充磁回路和一个负载回路；负载回路包含超导体，充磁回路和超导回路由超导体桥路连接。超导体桥路由控制器控制，包含两个导电状态。在两个导电状态中，超导体电桥均处于超导态，但超导电桥的阻抗在第一个导电状态的电阻大于第二个状态的电阻。在第一个状态中充磁回路和负载回路中存在磁通流动，在第二个状态中，超导电桥阻碍两个回路中的磁通流动。在第一个状态中超导体电桥处于磁通流动态。
改变超导体磁化仪器方法

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