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[发明专利]一种从钎焊贵金属残靶中回收贵金属的方法-CN202010675437.0在审
发明人：郝海英;付丰年;江丹平;宋艳青;户赫龙;于文军;吕景波;董亭义;吕保国 -专利权人：有研亿金新材料有限公司;北京翠铂林有色金属技术开发中心有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C22B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于溅射靶材加工技术领域的一种从钎焊贵金属残靶中回收贵金属的方法，包括：S1)提供靶材组件，所述靶材组件包括贵金属靶面和与所述靶面钎焊的背板，使用物理方法将所述靶材的靶面与背板分离；S2)重复将贵金属靶面浸入酸溶液，使焊料从靶面彻底分离；S3)将贵金属靶面先在超声波清洗机中清洗，然后在无水乙醇中漂洗后吹干，获得与残靶使用前纯度相同的贵金属。本发明提供的方法能够实现贵金属残靶再生利用的最大化，回收率达99.8％以上，获得与残靶使用前纯度相同的贵金属，可直接进行熔炼及再加工，回收率高，过程操作简单，能耗低，同时分离后的背板可以与新加工的贵金属靶面焊接
一种钎焊贵金属残靶中回收方法

[发明专利]一种复合多层金属基板及其制备方法、一种功率半导体器件-CN202310054856.6在审
发明人：贾强;周博龙;郭福;王乙舒;马立民 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种复合多层金属基板及其制备方法、一种功率半导体器件。包括以下步骤：在反应腔内固定好靶材和基板，并加热基板；开启第一激光器轰击第一贵金属靶材，在基板上沉积第一贵金属薄膜；第一激光器停止工作，开启第二激光器轰击第二贵金属靶材，在第一贵金属薄膜上沉积第二贵金属薄膜；使第一脉冲激光的轰击靶材转换为第一自蔓延金属靶材，第二脉冲激光的轰击靶材转换为第二自蔓延金属靶材；交替使第一激光器和第二激光器工作，形成自蔓延金属薄膜，即得。该方法制备所得金属基板，既具有抗氧化效果，也具有焊料的连接作用，可以实现与芯片的直接贴装，提高功率器件制备效率，同时避免化学污染和有机物残存。
一种复合多层金属及其制备方法功率半导体器件

[发明专利]一种贵金属靶材的修复方法-CN200810232471.X有效
发明人：高广睿;李争显;杜继红;王宝云;严鹏;陈玉斌 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种贵金属靶材的修复方法，其方法为：将实施溅射后形成具有溅射损耗区的贵金属靶材进行碱洗除油，清水冲洗，无水乙醇脱水，用上部保护罩和底部保护罩对所述贵金属靶材实施惰性气体氩气保护，用氩弧焊枪的钨极使与靶材材质相同的丝材和靶材的局部熔化本发明方法易操作，过程简单，无污染，成本低；修复过程中贵金属材料几乎不损耗，能够实现靶材的反复使用，大幅度提高了靶材的利用率；修复后的靶材无裂纹，无气孔；填充的贵金属材料与原溅射靶的界面为焊接态的冶金结合
一种贵金属修复方法

[发明专利]含贵金属的金属基陶瓷复合靶材的制造方法-CN200810134631.7无效
发明人：陈荣志;陈淑华;洪胤庭;陈福左;刘正同 -专利权人：中国钢铁股份有限公司
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的含贵金属的金属基陶瓷复合靶材的制造方法，其先利用湿式混粉过程，将陶瓷粉体均匀地披覆于磁性金属粉体的表面，并经由干燥过程后，取得陶金复合粉体，再利用干式混粉过程将贵金属粉体与所述陶金粉体均匀混合，最后利用成型和致密化过程将所述陶金复合粉体制成致密的靶材。本发明的制造方法可均匀地混合所述磁性金属粉体、所述陶瓷粉体和所述贵金属粉体，并且可减少靶材制作过程中所述贵金属粉体的浪费，故可改善靶材的质量和降低靶材的制造成本。
贵金属金属陶瓷复合制造方法

[发明专利]一种贵金属-半导体复合材料及其制备方法与应用-CN202110745849.1在审
发明人：林杰;徐燕萍;吴爱国;邵国良;张定虎 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;中国科学院宁波材料技术与工程研究所慈溪生物医学工程研究所;浙江省肿瘤医院
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本申请公开了一种贵金属‑半导体复合材料及其制备方法与应用。所述贵金属‑半导体复合材料包括贵金属‑半导体复合粒子、高分子、靶分子；所述贵金属‑半导体复合粒子表面连接有拉曼信号分子；所述高分子通过官能团结合于所述贵金属‑半导体复合粒子；所述靶分子偶联于所述高分子；所述贵金属‑半导体复合粒子包括半导体粒子和贵金属粒子，所述贵金属粒子负载在所述半导体粒子上。所述贵金属‑半导体复合材料具有的优异的生物传感器检测优势。
一种贵金属半导体复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种贵金属溅射镀膜方法-CN201910858524.7在审
发明人：刘秀娟 -专利权人：深圳市丽纳美珠宝美容有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种贵金属溅射镀膜方法，包括以下步骤，将待镀膜贵金属进行清洗工序，清洗后的待镀膜贵金属放入真空腔内的旋转器上，将第一对靶材与第二对靶材分别放置在旋转器所处平面的上下左后四个方位上；将真空腔通过真空抽气系统抽至预设压强；向真空腔内通入第一惰性混合气体至第一压强，预热待镀膜贵金属表面温度至第一预设温度；开启第一溅射电源对第一对靶材进行溅射镀膜；将第一惰性混合气体调节为第二惰性混合气体，调节真空腔内压强至第二预设压强，加热待镀膜贵金属表面温度至第二预设温度；开启第二溅射电源对第二对靶材进行溅射镀膜，完成镀膜。本发明能够提高贵金属表面镀膜与贵金属本体结合力，防止镀膜脱落，使得贵金属更耐磨。
镀膜贵金属压强真空腔对靶预设惰性混合气体贵金属表面溅射镀膜溅射电源旋转器真空抽气系统清洗工序结合力平面的预热放入耐磨加热清洗

[实用新型]一种薄片型贵金属靶的加工结构-CN201220462130.3有效
发明人：范亮;王欣平;江轩;尚再艳;熊晓东 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研亿金新材料股份有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： B23Q3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了属于薄膜工艺中靶体加工装置范围的一种薄片型贵金属靶的加工结构。该加工结构是在靶材和支撑板之间涂覆一层粘接剂。本实用新型可以方便快捷的固定薄片型贵金属靶材，不会对贵金属的有任何的划伤，挤压变形。同时可以进行常规的机械加工的一种高精度加工装置，使用方便，成本低，材料采购方便，无需任何特殊的卡具，通用性强，可以为贵金属加工节省大量的成本和时间。
一种薄片贵金属加工结构

[发明专利]一种离子镀用贵金属靶的辉光放电修复方法-CN200810232607.7有效
发明人：李争显;高广睿;杜继红;王宝云;骆瑞雪;黄春良;徐海龙 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子镀用贵金属靶的辉光放电修复方法，该方法包括以下步骤：清洁处理被修复靶；用压力机将与被修复靶相同材质的金属粉末均匀填充入刻蚀损耗区；将被修复靶置入真空室中所设置的空心阴极放电装置内且刻蚀损耗区朝上，所述空心阴极放电装置由上部带开口的杯状电极和位于杯状电极上部且与其配合使用的平板电极组成；对被修复靶进行辉光放电修复；待填入刻蚀损耗区内的金属粉末完全熔化后，使被修复靶缓慢冷却至其靶材温度低于100℃后，取出被修复靶，完成修复过程。本发明工艺步骤简单且修复效果好，能有效解决贵金属靶材修复中常出现的脱层现象，并且修复过程中贵金属材料几乎无任何损耗。
一种离子镀贵金属辉光放电修复方法

[发明专利]贵金属纳米材料或过渡金属氧化物纳米材料的制备方法-CN201210127281.8有效
发明人：杨国伟;李红波;刘璞;梁英 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种贵金属纳米材料或过渡金属氧化物纳米材料的制备方法，包括以下步骤：将反应靶置于反应容器中，之后在反应容器中注入液相物质，液相物质浸没反应靶；将两块平板电极置于反应容器的对称两侧且与反应靶相分离，并将平板电极与外加电源相连接；打开外加电源，调节电压，使外加电场与反应靶反应后，关闭外加电源；将反应后的平板电极的阴极取出，干燥，在平板电极的阴极上得到贵金属纳米材料或过渡金属氧化物纳米材料；所述反应靶为贵金属反应靶或过渡金属氧化物反应靶
贵金属纳米材料过渡金属氧化物制备方法

[发明专利]一种防腐导电涂层制备方法、结构以及燃料电池极板-CN202011568477.1有效
发明人：陆娇娇;刘智亮;张威;肖彪 -专利权人：格力电器（武汉）有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01M8/0206 文献下载
摘要：本发明公开一种防腐导电涂层制备方法、结构以及燃料电池极板，该制备方法包括以下步骤：对基材进行清洗，并将基材置于真空室中；对真空室进行抽真空；对真空室进行加热；利用等离子对过渡金属靶或金属氧化物靶材进行至少两次溅射，在基材上生成至少两层功能涂层，该功能涂层为过渡金属涂层或金属化合物涂层；利用等离子对贵金属靶材进行溅射，形成贵金属涂层。该涂层结构包括贵金属涂层和至少两层功能涂层，所述功能涂层位于基材和贵金属涂层之间；所述功能涂层由过渡金属或金属化合物制成。本发明不仅能够获得具有优异的结合力、耐腐蚀性能以及导电性能的涂层，而且涂层中的贵金属用量较少，有利于降低制造成本。
一种防腐导电涂层制备方法结构以及燃料电池极板

[实用新型]一种贵金属靶材打磨装置-CN202220974234.6有效
发明人：马造时;李春棘 -专利权人：创镕金属材料（沈阳）有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B24B19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种贵金属靶材打磨装置，包括操作台，操作台顶部安装有靶材打磨结构；靶材打磨结构包含有：丝杠模组、两个纵向导轨、移动座、两个收集槽、两个挡板、若干横向导轨、两个夹紧组件、收集组件、立柱以及打磨头，本实用新型涉及贵金属技术领域，本案的有益效果为：本技术方案采用靶材打磨结构，相比较现有技术，存在以下有益效果：首先利用两个夹紧组件配合，可以对运行贵金属靶材进行固定，并可以利用丝杠模组以及若干横向导轨移动靶材
一种贵金属打磨装置

[发明专利]一种利用脉冲激光在液相环境中烧蚀制备单分散贵金属纳米颗粒的方法-CN201010118162.7有效
发明人：杨国伟;余玖明;刘璞 -专利权人：中山大学
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种液相环境中脉冲激光烧蚀反应技术进行单分散贵金属纳米颗粒的制备方法，包括如下操作步骤：将贵金属靶和金属靶材放入装有液相物质的容器内，并将容器放置在一个超声分散槽内，使超声分散槽以60～85kHz的振荡频率工作；将脉冲激光光束聚焦在贵金属靶与液相物质的接触表面，接触表面产生等离子体羽，烧蚀沉积反应进行20～40分钟后，调节激光光束，使激光光束聚焦在金属靶材与液相物质的接触表面，烧蚀反应进行20～40分钟后，停止脉冲激光光束照射；将反应后的液相物质取出，干燥，分离，得到单分散贵金属纳米颗粒。
一种利用脉冲激光环境中烧蚀制备分散贵金属纳米颗粒方法

[发明专利]一种催化电极复合薄膜及其制备方法-CN201210246211.4无效
发明人：陈照峰;吴王平 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及催化电极材料，特别提供了一种贵金属与碳复合薄膜及其制备方法。该复合薄膜特征在于该薄膜由贵金属颗粒与碳颗粒相互嵌套组成，其中贵金属为为铂、铱、钌、铑；碳为无定型碳、金刚石和/或类金刚石。该制备方法特征在于有一个密闭的沉积室，工件和靶材通负偏压，有一个进气口和一个出气口，其特征在于以贵金属组合件为靶材，导电难熔材料为工件，其导电难熔材料为钛合金、铌合金、钨钼合金、石墨或碳化物。制备过程中沉积室气压为0.01Pa-30Pa，工件电压为-100V～-300V，靶材电压为-600V～-1200V，引发靶材元素的溅射，形成等离子区域溅射沉积；此时再通入烷气体，流量为10sccm-60sccm，沉积0.5-5h，工件表面可获得贵金属-碳复合薄膜，其厚度为100nm～50μm。
一种催化电极复合薄膜及其制备方法

[发明专利]药物小分子修饰的贵金属纳米粒子及其制备方法和应用-CN201810425895.1有效
发明人：杨蓉;张雨飞;韩秋森;刘学良;王新环;王琛 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： A61K47/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种药物小分子修饰的贵金属纳米粒子及其制备方法和应用，制备方法包括，将贵金属靶材置于药物小分子溶液中，采用脉冲激光烧蚀所述贵金属靶材制得药物小分子修饰的贵金属纳米粒子；所制得的药物小分子修饰的贵金属纳米粒子粒径为本发明所提供的制备方法操作简单且反应迅速，制备出的药物小分子修饰的贵金属纳米粒子有显著抑制淀粉样蛋白Aβ聚集的效果，在治疗阿尔茨海默症的药物研发方面应用前景广阔。
药物分子修饰贵金属纳米粒子及其制备方法应用

[实用新型]多元素溅射靶材结构-CN200820124584.3有效
发明人：古宏伟;屈飞;杨坚 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：金属元素薄板靶材通过焊接层焊接在圆形的金属背板上，在靶材的溅射环区域内主元靶材和次元靶材各以6～12个扇形面交替等间隔镶嵌在靶材溅射环区域内。特别适用于贵金属靶材结构。通过调整靶材溅射环中各组元区域面积的大小，可调整靶材成份。只在溅射区域有价格昂贵的贵金属材料，降低了靶材成本，各组元未合金化，因此有利于靶材废料回收。本实用新型用于磁控溅射薄膜材料制备设备。
多元溅射结构

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