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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]接触孔的制作方法-CN201210451655.1有效
发明人：张瑜;黄君;盖晨光 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层、第二介质层、第三介质层；进行刻蚀工艺，在所述第一介质层、第二介质层和第三介质层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出半导体衬底；去除所述第三介质层；在所述第二介质层上形成第四介质层，所述第四介质层填充所述第一接触孔；形成贯穿所述第四介质层、第二介质层和第一介质层的第二接触孔，所述第二接触孔露出半导体衬底；去除所述第四介质层。
接触制作方法

[发明专利]一种FCOB存储器件的制造方法及其电容器-CN202010871391.X有效
发明人：华文宇;陶谦;刘藩东;夏季 -专利权人：无锡拍字节科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一介质层，在第一介质层形成导电柱，在第一介质层上形成第二介质层，在第二介质层形成导电互连和金属位线，在第二介质层上形成第三介质层，在第三介质层形成电容器接触盘，在第三介质层上形成第四介质层，在第四介质层形成铁电电容器，在第四介质层上形成第五介质层，在第五介质层形成于电容器上电极连接的金属板线。
一种 fcob 存储器件制造方法及其电容器

[发明专利]一种相变存储器形成方法-CN201110252215.9有效
发明人：朱南飞;吴关平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一底部电极，以及依次形成在所述第一底部电极表面的第一介质层、第二介质层、第三介质层；刻蚀所述第三介质层，形成暴露所述第二介质层的第四开口；在所述第四开口的侧壁形成第四介质层，所述第四介质层具有凹槽；沿所述凹槽刻蚀所述第二介质层，直至暴露所述第一介质层，形成第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述第一介质层，形成暴露第一底部电极的通孔，所述刻蚀工艺对所述第一介质层、第三介质层、第四介质层具有相同的刻蚀选择比；形成填充满所述通孔的第二底部电极。
一种相变存储器形成方法

[实用新型]一种刚挠结合板结构-CN202121206238.1有效
发明人：高团芬;谢国强 -专利权人：江西宇睿电子科技有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刚挠结合板结构，其特征在于，刚挠结合板的挠性板层包含依次叠层的第一介质层、铜层、第二介质层；刚挠结合板的刚性板层包含依次叠层的第三介质层、挠性板层、第四介质层；第一介质层的厚度大于第二介质层的厚度；第四介质层的厚度大于第三介质层的厚度；第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四介质层均为聚酰亚胺介质层；本实用新型利用介质层、第二介质层，以及第三介质层、第四介质层的厚度差异，并且利用聚酰亚胺在热压合过程中的“内缩”特性，形成不同层的不同内应力分布，从而使挠性板形成自弯折特性，而刚性板通过反向厚度的补偿，避免了翘曲的问题，整体结构可靠性良好。
一种结合板结

[发明专利]一种小型化组合天线及通信装置-CN202211061640.4在审
发明人：韩非凡;张永利;赵翔 -专利权人：广州吉欧电子科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：小型化组合天线包括第一辐射贴片、第一介质层、第二辐射贴片、第二介质层、第三辐射贴片、第三介质层、第四辐射贴片、第四介质层及第五辐射贴片。第一辐射贴片设于第一介质层上形成第一辐射单元；第二辐射贴片设于第一介质层与第二介质层之间作为第一辐射单元的参考地并形成第二辐射单元；第三辐射贴片设于第三介质层与第二介质层之间形成第三辐射单元；第四辐射贴片设于第三介质层与第四介质层之间作为第三辐射单元的参考地并形成第四辐射单元；第四介质层设有短路孔阵列，第五辐射贴片用于使短路孔阵列接地。
一种小型化组合天线通信装置

[发明专利]改质聚四氟乙烯颗粒、其制备方法及组合物-CN201810901409.9在审
发明人：梁国盛;林弘萍 -专利权人：臻鼎科技股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：一种改质聚四氟乙烯颗粒，所述改质聚四氟乙烯颗粒为核壳结构，所述改质聚四氟乙烯颗粒包括一核心层、一包覆所述核心层的壳体层以及一接枝在所述壳体层的外表面上的改质剂层，所述核心层为聚四氟乙烯颗粒，所述壳体层为二氧化硅，所述改质剂为硅烷偶联剂。本发明还涉及一种改质聚四氟乙烯颗粒的制备方法及包含所述改质聚四氟乙烯颗粒的组合物。
聚四氟乙烯颗粒制备方法组合

[实用新型]一种注塑成型汽车隔音垫结构-CN201520303392.9有效
发明人：闻建煊;王拥宪 -专利权人：上海华特汽车配件有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： B60R13/08 文献下载
摘要：一种注塑成型汽车隔音垫结构，其特征在于：所述的隔音垫上分别设有不同密度的重质层，隔音垫的中央设有孔，位于孔的左侧设有重质层一，重质层一的密度为5.4kg/m²；位于孔的右侧及下方设有重质层二，重质层二的密度为6.3kg/m²；位于孔的上方、重质层一的下方、重质层二的下方右侧分别设有重质层三，重质层三的密度为4.5kg/m²；位于重质层二的下方设有重质层四，重质层四的密度为3.6kg/m²；位于重质层一、重质层二、重质层三、重质层四的外围设有重质层五，重质层五的密度为2.7kg/m²。
一种注塑成型汽车隔音结构

[发明专利]一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构-CN201911222992.1有效
发明人：顾文华;吴杨慧;宗志园;陈彬;王俊杰 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透光高屏效的宽带微波吸波结构，包括位于顶层的第一介质层，位于中间的低频吸波层，以及位于底层的多层微米级金属网格层，其中低频吸波层由第二介质层和位于第二介质层上的低频吸波结构组成，所述多层微米级金属网格层由第三介质层、第四介质层、第五介质层，位于第二介质层和第三介质层之间的第一金属网格，位于第三介质层和第四介质层之间的第二金属网格，位于第四介质层和第五介质层之间的第三金属网格，以及位于五介质层下的第四金属网格组成。
一种透光高屏效宽带微波结构

[发明专利]一种注塑成型汽车隔音垫及其制造方法-CN201510237931.8有效
发明人：王拥宪;陈阳;闻建煊;钱时杰 -专利权人：上海华特汽车配件有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： B60R13/08 文献下载
摘要：一种注塑成型汽车隔音垫，其特征在于所述的隔音垫上分别设有不同密度的重质层，隔音垫的中央设有孔，位于孔的左侧设有重质层一，重质层一的密度为5.4kg/m²；位于孔的右侧及下方设有重质层二，重质层二的密度为6.3kg/m²；位于孔的上方、重质层一的下方、重质层二的下方右侧分别设有重质层三，重质层三的密度为4.5kg/m²；位于重质层二的下方设有重质层四，重质层四的密度为3.6kg/m²；位于重质层一、重质层二、重质层三、重质层四的外围设有重质层五，重质层五的密度为2.7kg/m²。
一种注塑成型汽车隔音及其制造方法

[发明专利]一种宽带双极化紧耦合天线单元及阵列-CN202210503697.9在审
发明人：吴文;周松照;宗志园;龙勋鹏;张广兴 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带双极化紧耦合天线单元及阵列，该单元依次包括第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四介质层、第五介质层、第六介质层、金属地板以及不平衡馈电结构，第三介质层靠近第二介质层的一面设置有第一电路层；第四介质层靠近第三介质层的一面设置有第二电路层；第五介质层靠近第四介质层的一面设置有第三电路层；第六介质层靠近第五介质层的一面设置有第四电路层；不平衡馈电结构包括同轴连接器和两对接地金属通孔。
一种宽带极化耦合天线单元阵列

[发明专利]一种可钢化离线净色高透无银LOW-E镀膜玻璃及其制备方法-CN202011462484.3在审
发明人：章余华;张波;朱海勇;程晓瑜;任建林;熊平 -专利权人：安徽凤阳玻璃有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种可钢化离线净色高透无银LOW‑E镀膜玻璃及其制备方法，包括玻璃基片在所述玻璃基片上从下至上依次溅射第一介质层、第二介质层、功能层、第三层介质层和第四介质层，所述第一介质层和第四介质层为氮化硅层，所述第二介质层和第三层介质层为氧化硅层，所述功能层为氧化铟锡层，所述第四介质层的厚度大于第一介质层，所述第三层介质层厚度大于第二介质层，采用高真空磁控溅射镀膜设备逐层溅射。本发明四层介质层来提高膜层的可见光透过比，使膜层的可见光透过率可达到87％以上，而功能层厚度大，抗辐射能力强，辐射率低于0.1。
一种可钢化离线净色高透无银 low 镀膜玻璃及其制备方法

[发明专利]一种中频宽频带透波、高频和低频极化转换的隐身天线罩-CN201910540244.1有效
发明人：王玲玲;刘少斌;孔祥鲲 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01Q1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种中频宽频带透波、高频和低频极化转换的隐身天线罩，从上至下依次为第一金属层、用于附着第一金属层的第一介质层、空气作为介质的第二介质层、第二金属层、第三介质层、第三金属层、与第三介质层相同的第四介质层、第四金属层；第一金属层和第一介质层构成低频超材料极化转换层，第二金属层构成高频超材料极化转换层，第二金属层、第三金属层、第四金属层、第三介质层和第四介质层构成宽频带透波的频率选择表面层；本发明在不影响雷达天线罩透射窗口的前提下
一种频宽频带高频低频极化转换隐身天线罩

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN201810122972.6有效
发明人：孙晓峰;秦仁刚;盛拓 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层和所述半导体衬底，以形成隔离槽；在所述隔离槽底部和侧壁形成第三介质层；在所述第二介质层表面和所述第三介质层表面形成第四介质层上述浅沟槽隔离结构的制备工艺中，在隔离槽底部和侧壁生长第三介质层后，又在第三介质层和第二介质层的表面生长了相对致密的第四介质层。该第四介质层可有效阻挡在隔离槽中沉积绝缘介质时产生的等离子体对第三介质层表面的损坏，起到阻隔作用，进而防止引发漏电。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]闪存器件的制备方法-CN202310330634.2在审
发明人：胡正新;李小康;李雪健;王振远 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存器件的制备方法，包括：在衬底上的第一沟槽、第二沟槽内形成第一介质层；形成第二介质层；形成第三介质层；根据第一介质层、第二介质层和第三介质层的总厚度，刻蚀去除部分厚度的第三介质层；形成侧墙结构；在第一沟槽中自对准沉积第四介质层；去除所述侧墙结构上的所述第四介质层。本申请通过根据第一介质层、第二介质层和第三介质层的总厚度，自适应刻蚀去除部分厚度的第三介质层，接着在形成侧墙结构后自对准沉积第四介质层，这样可以改善侧墙结构的厚度均匀性，也可以避免侧墙结构中的第一介质层被误腐蚀发生侧掏的情况
闪存器件制备方法

[发明专利]一种具有密封环结构的半导体管芯及其制备方法-CN202010638090.2有效
发明人：沈佳慧;汤亚勇;苏华 -专利权人：沈佳慧
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有密封环结构的半导体管芯及其制备方法，包括以下步骤：在半导体晶圆的密封环区中形成一沟槽，在所述沟槽中形成第一金属纳米颗粒层，接着在所述半导体晶圆上依次形成第一介质层、第一金属柱、第二金属纳米颗粒层、第二介质层、第二金属柱、第三金属纳米颗粒层、第三介质层、第三金属柱、第四金属纳米颗粒层以及第四介质层，其中所述第四介质层完全覆盖所述第四金属纳米颗粒层。
一种具有密封结构半导体管芯及其制备方法

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