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[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN201410528396.7有效
发明人：马孝田;高燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供晶圆，晶圆包括半导体衬底和位于半导体衬底上的器件，以及形成于半导体衬底上覆盖器件的层间介电层；在层间介电层上形成负光阻层；对晶圆边缘的无效芯片区域的负光阻层进行预曝光；对剩余的未曝光的负光阻层进行曝光和显影，以形成图案化的负光阻层；以图案化的负光阻层为掩膜，蚀刻层间介电层，形成开口暴露半导体衬底；对开口内暴露的部分半导体衬底进行蚀刻，以形成硅通孔；去除负光阻层。根据本发明的制作方法，避免在晶圆边缘的无效芯片区域形成硅通孔图案，不仅减少了晶圆边缘的剥离问题产生的根源，也大大降低了铜污染Al制程机台的风险，提高了产品的可靠性和良率。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法-CN201410163872.X在审
发明人：许向辉;何理;郭贤权;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法，涉及半导体领域。该方法为：对负光阻制程芯片进行划分；根据划分区域采用与所述划分区域对应的入射偏振光逐一对所述划分区域进行扫描，并存储扫描区域的缺陷数据；将所述存储扫描区域的缺陷数据整合以获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构本发明通过对负光阻制程芯片进行划分，并根据划分区域采用对应的入射偏振光对划分区域进行扫描，从而获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构，实现了对高集成度的复杂芯片负光阻制程桥接缺陷检测精确度的控制和优化，可以检测到相互垂直的图形区所形成的负光阻桥接缺陷，达到了快速高效对负光阻制程芯片可能存在的桥接缺陷进行精确扫描的目的。
一种用于负光阻桥接缺陷扫描方法

[发明专利]多重反应模式的混合负型光阻剂及形成光阻图案的方法-CN03101762.2有效
发明人：宋清潭;庄志新;曾炜展;黄坤源;陈聪裕 -专利权人：财团法人工业技术研究院;长春人造树脂厂股份有限公司
申请日： 2003-01-22 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及一种多重反应模式的混合负型光阻剂及形成光阻图案的方法；该混合负型光阻剂包括树脂化合物、重量百分比为0.1－35％的光聚合起始剂、重量百分比为0.1－100％的自由基反应性单体、重量百分比为0.1－35％的光酸产生剂、及重量百分比为0.1－35％的阳离子反应性单体；其中该重量百分比以树脂化合物的重量为基准；采用本发明的光阻剂及形成光阻图案的方法，可以用来控制光阻剂的光反应效率并增加反应完整度，得到更佳的光阻分辨率
多重反应模式混合负型光阻剂形成图案方法

[发明专利]一种改善溅射层lift-off工艺图形异常的方法-CN202210171673.8在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善溅射层lift‑off工艺图形异常的方法选用负性光阻在基板表面覆盖光刻胶层，先后进行前烘烤、曝光和曝光后烘烤，使得显影后光阻侧面轮廓为倒梯形，且光阻底部有明显的侧面腐蚀；再通过通过溅射工艺在光刻胶层的表面形成溅射层，接着将基板放入去胶剥离液中，浸泡后剥离光刻胶层和溅射金属层，负性光阻溶解，最终有溅射图形的表面暴露而没有光阻覆盖，留下所需要的金属层图形，完成lift‑off及光阻去除工艺，得到符合设计要求的金属图形化的产品
一种改善溅射 lift off 工艺图形异常方法

[发明专利]一种消除旁瓣图案的集成电路制造方法-CN02147349.8有效
发明人：何邦庆;陈建宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-10-18 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种消除旁瓣图案的集成电路制造方法，是在原先以定义电路开口图案的第一光阻层上，形成由水溶性负型光阻所构成之第二光阻层。接着，利用光罩对第二光阻层进行曝光，并利用去离子水进行显影，而暴露出需要的电路开口图案，并选择性保留位于不预期之旁瓣开口图案上之部分第二光阻层而达到修补的目的。其中，上述之水溶性负型光阻是由聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂所构成。
一种消除图案集成电路制造方法

[发明专利]水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法-CN200310122533.9有效
发明人：何邦庆;陈建宏;高野洋介;卢炳宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;瑞士商科莱恩国际股份有限公司
申请日： 2003-12-08 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法，该水溶性负型光阻至少包括聚合物、光活性化合物、抑制剂、交链剂、以及溶剂。由于此水溶性负型光阻不会与之前形成的光阻层互相混合，在曝光之后即可用去离子水来显影出预定的光阻图案。本发明提供的该形成光阻图案的方法，应用此水溶性负型光阻于构装与解除(Packing AndUnpacking；PAU)的光罩组合的方式，可增加聚焦深度(Depth OfFocus；DOF)，降低光罩误差系数(Mask Error Factor；MEF)，并缩小洞与洞的分离率(Hole－to－separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。
水溶性负型光阻及其形成图案方法

[发明专利]具有一体式黑色矩阵与光阻间隔物的液晶面板的制作方法及光罩-CN201710370734.2有效
发明人：于承忠 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供一种具有一体式黑色矩阵与光阻间隔物的液晶面板的制作方法及光罩。该方法利用负性光阻层受光照能量不同而发生不同程度交联反应的特性和粘流特性，使用包括第一完全透光区(11)、第二完全透光区(13)、第一完全遮光区(15)、部分透光区(17)、以及第二完全遮光区(19)的光罩(1)来对负性光阻层(5)进行曝光，再经显影、烘烤制程制作出液晶面板中的一体式黑色矩阵与光阻间隔物，其中副光阻间隔物(53)的膜厚小于主光阻间隔物(51)膜厚且大于黑色矩阵的挡墙(57)膜厚，能够减少光罩数量，节省一道黄光制程，降低生产成本，减少生产时间，并使得主光阻间隔物(51)与副光阻间隔物(53)的断差稳定，提高液晶面板产品的良率。
具有体式黑色矩阵间隔液晶面板制作方法

[发明专利]用于光阻剂的外涂层组合物及使用该组合物形成光阻剂图案的方法-CN200310120313.2无效
发明人：卜喆圭;郑载昌;文承灿;申起秀 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明揭示了用于光阻剂的外涂层组合物及降低光阻剂图案线宽的方法。更具体地，在由常规光刻过程所制得的光阻剂图案的整个表面上涂布包含酸的外涂层组合物，从而使酸扩散入光阻剂图案中。其中酸扩散到达的部分的光阻剂以碱性溶液显影而移除。结果，可降低正性光阻剂图案的线宽，还可避免负性光阻剂图案的线宽在随后的使用SEM测量线宽的过程中变细。
用于光阻剂涂层组合使用形成图案方法

[发明专利]一种负性光阻薄膜及其制备方法与应用-CN201610759032.9有效
发明人：陈亚文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明公开一种负性光阻薄膜及其制备方法与应用，其中，所述负性光阻溶液中的感光树脂为具有含氟基团的感光树脂。本发明通过用具有含氟基团的感光树脂代替常规感光树脂，在负性光阻溶液干燥成膜的过程中，含氟基团的感光树脂由于其表面能较低，倾向于在薄膜表面聚集，因此干燥成膜后，光阻薄膜中的感光树脂和增感剂会形成不同的浓度梯度分布
一种负性光阻薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种Top com结构的a-Si转IGZO的阵列基板的制造方法-CN202211069732.7在审
发明人：陈伟;陈鑫 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种Topcom结构的a‑Si转IGZO的阵列基板的制造方法，包括：依序在Glass上形成GE、PEITO、GI、SEIGZO；采用DC光罩，干蚀刻出DC孔，便于SD与PE搭接；在IGZO及GI层上涂上一层负型光阻PR；用SD的光罩对负型光阻PR进行曝光；显影掉未被光照到的负型光阻PR；采用PVD方式在负型PR及IGZO上沉积一层SD；在SD上涂一层正型光阻PR，并用SD的原有光罩进行曝光；显影掉被光照到的正型光阻PR；采用湿蚀刻方式，蚀刻掉未被光阻PR保护的金属层；进行剥膜制程，去掉正型和负型光阻，形成SD；沉积一层CH；形成公共电极层UCITO。
一种 top com 结构 si igzo 阵列制造方法

[发明专利]负性光阻材料及彩色滤光片-CN201910079883.2有效
发明人：饶夙缔 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：一种负性光阻材料，以重量百分数计，包括6％～10％的树脂、2％～7％的多官能单体、5％～12％的颜料分散液、70％～80％的溶剂、0.1％～0.2％的添加剂、以及0.4％～0.8％的光引发剂，所述光引发剂在紫外吸收光谱中在波长本发明提供的负性光阻材料在应用于彩色滤光片的色阻时，可有效改善牛角偏高问题以及避免漏光现象发生。
负性光阻材料彩色滤光

[发明专利]具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法-CN202210355408.5在审
发明人：许铭案 -专利权人：许铭案
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B1/118 文献下载
摘要：一种具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法，其中该制造方法包含：形成一负型光阻层于一基板上，该负型光阻层由一负型光阻材料所构成；执行一软烤制程、一第一曝光制程、一显影制程，以形成欲制作的一保留图案区，该第一曝光制程对该负型光阻材料当中的部分形成第一次交联；执行一热处理制程，以使该保留图案区的表面形成一波浪纹路结构；执行一第二曝光制程，将该保留图案区的该负型光阻材料的剩余部分形成第二次交联而固化该波浪纹路结构；以及以一硬烤制程对已完成第二次交联的该负型光阻材料进行加热据此，得到具有超低反射率的负型光阻层的特殊技术功效。
具有波浪纹路反射层及其制造方法

[发明专利]平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法-CN201110174161.9无效
发明人：何宣仪;林俊安 -专利权人：福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开一种平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法，包含提供一具一第一表面以及一第二表面的基板；于基板的第一表面上形成至少一图案化金属层，以及于图案化金属层上形成至少一绝缘层；涂布一负光阻覆盖于绝缘层之上；于基板的第二表面进行一曝光制程，使未被图案化金属层遮挡的负光阻受到曝光，以及使被图案化金属层遮挡的负光阻不会受到曝光；进行一显影制程以去除未受到曝光的负光阻；去除未被负光阻覆盖的部分绝缘层；以及去除受到曝光的负光阻
平坦绝缘方法制作具有数组

[发明专利]一种彩膜基板及其制造方法-CN201811147938.0有效
发明人：金潘;焦亚萍;祝宏勋;王志军 -专利权人：南京京东方显示技术有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提出一种彩膜基板及其制造方法，彩膜基板采用彩膜光罩共用的方法形成，通过共用色层光罩可以分别曝光制得黑色矩阵和色阻层，其中，黑色矩阵为正性光阻，色阻层为负性光阻。本发明提出共用色层光罩的彩膜制作思路，有效的简化了彩膜制程，提高了生产效率，节省了生产成本。
一种彩膜基板及其制造方法

[发明专利]负光阻及其显影的方法-CN202011154513.X在审
发明人：杨立柏;赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本揭露提供一种负光阻及其显影的方法。例如；负光阻包含溶剂、溶解抑制剂以及聚合物。聚合物包含一个羟基。聚合物占负光阻总重的40重量百分比以上。
负光阻及其显影方法