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[发明专利]更新读取电压-CN201480019290.2有效
发明人： E.沙伦;E.梅克哈尼克;I.阿尔罗德 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：读取电压基于调整第一读取电压而不调整第二读取电压更新以产生读取电压的多个集合，并且读取电压的多个集合被用于产生数据的多个表示。在另外的实施例中，使用候选读取电压的集合来感测存储器的贮存元件以产生转移到能够由控制器访问的存储器的感测数据。可以基于感测数据产生数据的多个表示来仿真使用候选读取电压的不同组合读取贮存元件的结果。
更新读取电压

[发明专利]固态存储装置及其读取电压设定方法-CN201310542369.0在审
发明人：曾士家;傅仁杰;吴郁姍;张锡嘉 -专利权人：光宝科技股份有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态存储装置及其读取电压设定方法，所述读取电压设定方法包括下列步骤：调整存储单元的预设读取电压以获得多个检测读取电压。分别地施予预设读取电压以及这些检测读取电压至存储单元，以读取分别关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的多个验证数据。根据关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的验证数据，计算并记录相互相邻的预设读取电压以及这些检测读取电压之间的多个统计参量。根据这些统计参量来获取优化读取电压。
固态存储装置及其读取电压设定方法

[发明专利]读取电压追踪方法、存储器储存装置及控制电路单元-CN201710080861.9有效
发明人：林纬;许祐诚;刘安城 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种读取电压追踪方法、存储器储存装置及控制电路单元。所述方法包括获取对应多个电压调整值的多个检测读取电压，以及根据所述电压调整值获取最佳读取电压。所述获取检测读取电压的步骤包括根据第一电压调整值来调整第一检测读取电压以获取第二检测读取电压，以及根据第二电压调整值来调整第二检测读取电压以获取第三检测读取电压，其中第一检测读取电压为预设的检测读取电压，第一电压调整值为预设的电压调整值，第一电压调整值与第二电压调整值不同。
读取电压追踪方法存储器储存装置控制电路单元

[发明专利]一种闪存读取方法及装置-CN202310363141.9在审
发明人：刘新;孔德生;刘露;赵跃;胡逸天;陈光润 -专利权人：浙江华忆芯科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种闪存读取方法及装置，用以在闪存读取过程中发生数据错误时找到最佳的读取电压。该方法包括：以第一电压作为读取电压读取闪存中指定页面的数据时，若发生数据错误，则将所述第一电压进行偏移，得到满足预设条件的第二电压；所述第一电压为历史读取所述指定页面的数据的读取电压；以所述第二电压作为读取电压读取所述指定页面的数据
一种闪存读取方法装置

[发明专利]读取电压校正方法、存储装置及存储器控制电路单元-CN202310564246.0在审
发明人：陈思玮;林祐弘;黄意淞;苏柏诚 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种读取电压校正方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：根据第一读取指令，基于第一读取电压电平读取第一实体单元以获得第一数据，其中第一读取电压电平为对应于第一实体单元的预设读取电压电平，或者第一读取电压电平与预设读取电压电平之间具有第一电压差；解码第一数据以获得第一错误比特信息；根据第二读取指令，基于第二读取电压电平读取第一实体单元以获得第二数据，其中第二读取电压电平与预设读取电压电平之间具有第二电压差；解码第二数据以获得第二错误比特信息；以及根据第一错误比特信息与第二错误比特信息校正预设读取电压电平由此，可提高读取电压电平的校正效率。
读取电压校正方法存储装置存储器控制电路单元

[发明专利]读取重试阈值电压选择-CN202010469243.5在审
发明人：吕宣宣;张帆;熊晨荣;王浩博;美萨姆·阿沙迪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施例描述了一种用于从存储装置读取数据的方法，该方法包括：选择待读取的存储块；识别用于读取该块的读取重试表；确定所选择的存储块的读取重试表需要更新；并且使用来自该读取重试表的新读取阈值电压组读取存储块。响应于使用新电压组的成功读取操作，该方法还可包括：利用该新读取电压组来代替第一字段中的初始读取电压组；并且利用从读取重试邻居表中识别出的额外读取阈值电压组填充读取重试表中的多个后续字段，其中在读取电压空间中，额外读取电压组中的至少一个在距离上最接近初始读取电压组。
读取重试阈值电压选择

[发明专利]读取电压设定方法、控制电路与存储器储存装置-CN201310284758.8有效
发明人：林纬;许祐诚;林小东;吴宗霖;郑国义 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种读取电压设定方法、控制电路与存储器储存装置。方法包括：读取储存于字线的存储单元中的检测数据来获取对应的临界电压分布，并根据此临界电压分布来判断对应此字线的预设读取电压；施予依据预设读取电压所获得的多个检测读取电压至此字线以读取多个检测页数据；以及根据此些检测页数据的错误比特数之中的最小错误比特数，决定对应此字线的优化读取电压。本方法还包括计算优化读取电压与预设读取电压之间的差值作为对应此字线的读取电压调整值；以及在重读表中记录对应此位线的读取电压调整值。
读取电压设定方法控制电路存储器储存装置

[发明专利]动态读取电压技术-CN202210462707.9在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;N·N·加杰拉;J·陈;杨玲明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C7/14 文献下载
摘要：本申请案是针对动态读取电压技术。在一些实例中，存储器装置可包含由存储器阵列的多个不相交子组构成的一或多个分区。所述存储器装置可接收读取所述一或多个分区的读取命令且进入漂移确定阶段。在所述漂移确定阶段期间，所述存储器装置可对每一不相交子组同时施加电压集合的相应电压且确定每一不相交子组中具有低于所述所施加电压的阈值电压的存储器单元的数量。基于所述确定的存储器单元数量与预定存储器单元数量之间的比较，所述存储器装置可从所述电压集合选择电压且利用所述所选择电压来读取所述一或多个分区。
动态读取电压技术

[发明专利]存储器的读取方法以及电压补偿装置-CN202111216164.4在审
发明人：郭晓江;张超;李海波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器的读取方法，存储器包括多条字线以及连接于多条字线上的多个多位存储单元，多位存储单元用以通过多阶预设读取电压，以读取多位存储单元的存储值，该读取方法包括：分别定义多阶预设读取电压的各阶至少一读取偏移量，选择多阶预设读取电压中的至少一阶预设读取电压作为取样电压，对欲读取的多位存储单元的相邻字线上的多位存储单元进行读取，并根据取样电压的取样读值，设定代表读取偏移量大小的偏移标志，之后，将多阶预设读取电压分别结合各阶预设读取电压对应于偏移标志的读取偏移量，对欲读取的多位存储单元进行读取，从而使得该欲读取的多位存储单元的预设读取电压得以补偿。
存储器读取方法以及电压补偿装置

[发明专利]存储器的读取方法以及电压补偿装置-CN202011121625.5有效
发明人：郭晓江;张超;李海波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器的读取方法，存储器包括多条字线以及连接于多条字线上的多个多位存储单元，多位存储单元用以通过多阶预设读取电压，以读取多位存储单元的存储值，该读取方法包括：分别定义多阶预设读取电压的各阶至少一读取偏移量，选择多阶预设读取电压中的至少一阶预设读取电压作为取样电压，对欲读取的多位存储单元的相邻字线上的多位存储单元进行读取，并根据取样电压的取样读值，设定代表读取偏移量大小的偏移标志，之后，将多阶预设读取电压分别结合各阶预设读取电压对应于偏移标志的读取偏移量，对欲读取的多位存储单元进行读取，从而使得该欲读取的多位存储单元的预设读取电压得以补偿。
存储器读取方法以及电压补偿装置

[发明专利]一种存储阵列单元信息读取方法及系统-CN201110391540.3无效
发明人：龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋;崔雅洁 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储阵列单元信息读取方法及系统，同时选通包括被读取单元的位线在内的多根连续位线，在被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，在包括被读取存储单元另一根位线在内的至少一根连续位线施加第二读取电压，第二读取电压高于第一读取电压，与施加第二读取电压的位线相邻的位线施加与第二读取电压相等的电压，在与被读取存储单元较高电压的位线相邻的多个存储单元两端不存在电位差，不会延长被读取存储单元的位线充电至第二读取电压需要的时间，能够保证被读取存储单元上的读取精度。
一种存储阵列单元信息读取方法系统

[发明专利]一种数据读取方法和装置-CN201910248879.4在审
发明人：唐侃毅 -专利权人：新华三技术有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请提供一种数据读取方法和装置，该方法包括：接收数据读取指令，所述数据读取指令包括目标物理块的标识；从预设缓存空间中获取与所述目标物理块的标识对应的读电压标识表；所述读电压标识表包括按照读取顺序排列的多个读电压标识；基于所述多个读电压标识的读取顺序，从所述多个读电压标识中选择一个读电压标识，确定与所述读电压标识对应的读电压参数；利用所述读电压参数从所述目标物理块中读取数据；若数据读取失败，则返回执行基于所述多个读电压标识的读取顺序，从所述多个读电压标识中选择一个读电压标识的过程；若数据读取成功，则输出成功读取的数据。通过本申请的技术方案，可以增加读取效率，提升读取性能，增加读取速度。
读电压读取数据读取目标物理方法和装置标识表数据读取指令读取效率读取性能读取指令缓存空间接收数据申请预设成功输出返回失败

[发明专利]搜索非易失性存储器装置的读取电压的方法-CN202210916834.1在审
发明人：李卫稙;鲁官宇;宋弦锺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了搜索非易失性存储器装置的读取电压的方法。非易失性存储器装置包括具有彼此不同的第一状态和第二状态的多个存储器单元。搜索非易失性存储器装置的读取电压的方法包括：确定表示数据读取操作被执行的次数的数量n；选择读取电压的n个读取电压电平，使得读取电压电平的数量等于数据读取操作的次数，其中，所述n个读取电压电平彼此不同；通过使用全部的所述n个读取电压电平对所述多个存储器单元执行n次数据读取操作来生成n个单元计数值；以及通过使用所述n个读取电压电平和所述n个单元计数值执行基于一阶多项式的回归分析来生成读取电压的最佳读取电压电平。
搜索非易失性存储器装置读取电压方法

[发明专利]计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置-CN202210420240.1在审
发明人：陈俊仪;张孝德 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置，其中该使用优化读取电压表以读取数据的方法由闪存控制器的微控制器单元执行，包含：依据NAND闪存模块的目前环境参数和优化读取电压表的内容决定特定存储单元类型的一组读取电压，其中，所述优化读取电压表包含多笔记录，每笔所述记录包含一组读取电压参数，和所述一组读取电压参数关联到的环境参数；以及以所述一组读取电压从所述NAND闪存模块的页面读取数据。通过优化读取电压表的使用，可降低启动读取重试机制的次数。
计算机读取存储介质使用优化电压表数据方法装置

[发明专利]从存储器单元检索数据的自适应迭代读取校准-CN202110213138.X在审
发明人： A·S·埃侯赛因;S·帕塔萨拉蒂;J·菲兹帕特里克;P·R·哈亚特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及从存储器单元检索数据的自适应迭代读取校准。一种被配置成迭代校准读取电压的存储器子系统，其中基于较低读取电压的校准结果来校准较高读取电压。举例来说，存储器装置初始确定存储器单元群组的第一读取电压。所述存储器装置根据基于所述第一读取电压中的至少一个测得的第一信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第二读取电压。基于所述第二读取电压相对于所述第一读取电压当中的相应电压的偏移来估计第三读取电压；基于所述第三读取电压测量所述存储器单元群组的第二信号和噪声特性。所述存储器装置接着根据所述第二信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第四读取电压。
存储器单元检索数据自适应读取校准

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