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[实用新型]一种消防自复位闭式水雾喷头-CN201420249423.2有效
发明人：方林锁;徐志耀;陈印梅;濮丽君 -专利权人：宝钢发展有限公司
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： A62C31/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型的消防水雾喷头，具体来说，是一种消防自复位闭式水雾喷头，属于消防水系统技术领域。一种消防自复位闭式水雾喷头，其特征在于：所述自复位闭式水雾喷头呈空心柱状，上部腔体为入水导管(1)，所述入水导管(1)内设有球形活塞(2)，球形活塞(2)将入水导管(1)的下部的出水口封堵住；下部腔体设有记忆合金顶杆(3)和自复位联动杆(4)，记忆合金顶杆(3)的上端顶住球形活塞(2)的下部；所述记忆合金顶杆(3)受热向上伸长，自复位联动杆(4)受热向上弯曲，将球形活塞(2)向上顶起；所述记忆合金顶杆(3)、自复位联动杆
一种消防复位水雾喷头

[实用新型]内建显示器的储存装置-CN200720182927.7无效
发明人：李绍铭 -专利权人：环隆电气股份有限公司
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种内建显示器的储存装置，包含依据不同位址储存有数笔资料的一该机械式硬碟(或一固态式硬碟模组)、一非挥发性记忆体、一显示单元、一控制单元，及一电源供应单元。该非挥发性记忆体是储存有对应前述资料的数档名。该显示单元具有显示每一笔资料档名的一显示器。该控制单元是控制该机械式硬碟、该非挥发性记忆体与该显示单元。该电源供应单元是供应该非挥发性记忆体、该显示单元、该控制单元所需的电力。借此，使本实用新型可以单独启动，而进行显示、搜寻资料档名的动作，提升管理资料时的方便性。
显示器储存装置

[其他]朗读增强记忆助听器-CN85201439无效
发明人：谭祖佑 -专利权人：谭祖佑
申请日： 1985-04-14 - 公布日： 1987-02-25 - 主分类号： G09B19/00 文献下载
摘要：本实用新型朗读增强记忆助听器，为一种供学习者朗读时增强记忆的电子装置。把话筒和小型化的扩音机都固定在头戴式耳机的支架上，使用时，头部戴上这个装置，不需要向头部以外的其他地方牵连电线，使用方便，电路结构简单，使用一节5号电池，耗电极省。朗读时可以充分调动听觉在大脑中形成记忆的能力，附有超外差式收音装置。
朗读增强记忆助听器

[发明专利]一种自体再生鉴别电子锁-CN00117461.4无效
发明人：吴坦 -专利权人：张兰天
申请日： 2000-09-30 - 公布日： 2002-04-24 - 主分类号： E05B49/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种锁,特别是电子锁,其特征是锁体的中央处理器对锁匙(分离式记忆体)可读亦可写,就可设计为每次开锁后,中央处理器对分离式记忆体重新写入开锁信息,同时中央处理器自己对应的开锁信息也做对应的修改。这样即使记忆内容被盗亦能保证锁的安全。其优点是辨伪能力高,安全性能极高。
一种再生鉴别电子锁

[实用新型]绝对式记忆旋转光电编码器-CN200520029096.0无效
发明人：崔峰铭 -专利权人：长春三峰传感技术有限公司
申请日： 2005-08-17 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：一种绝对式记忆旋转光电编码器，属于光电子技术领域，由光电信号处理电路、记忆转换器和输出电路构成，工作时红外光被光栅和狭缝切割后由光电信号处理电路转换成电信号，将信号比较整形，经过记忆转换器的CPU处理，计算出二进制绝对式数据，由输出电路输出。
绝对记忆旋转光电编码器

[发明专利]一种利用胡椒碱增强学习与记忆的应用方法-CN202210077523.0在审
发明人：霍春宇;殷有洁;邓寒松 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： A61K31/4525 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用胡椒碱增强学习与记忆的应用方法，涉及胡椒碱应用技术领域；具体包括建立果蝇糖奖励嗅觉联想式学习记忆范式、毛细管‑纳米微乳液体食物喂药。所述建立果蝇糖奖励嗅觉联想式学习记忆范式包括以下步骤：气味配制及准备、糖奖励训练、果蝇测试、数据统计及计算。本发明本发明首次研究探寻胡椒碱做为一种高效的学习记忆增强药物，弥补现有技术空缺。
一种利用胡椒增强学习记忆应用方法

[发明专利]显微注射机构-CN201110169581.8有效
发明人：汝长海;孙立宁;朱玉龙;桑璇 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种显微注射机构，其包括显微注射器、与显微注射器连接的注射器套筒、与注射器套筒连接的封装式陶瓷组件以及若干辅助固定件，所述封装式陶瓷组件包括形状记忆合金以及与形状记忆合金连接的压电陶瓷。本发明显微注射机构采用形状记忆合金与压电陶瓷复合驱动的结构，所述形状记忆合金可以实现较大位移的调节，所述压电陶瓷可以实现较小位移的调节，并且，所述压电陶瓷具有较高定位精度，所以在保证显微注射机构具有高定位精度的同时
显微注射机构

[发明专利]便携式六氟化硫检漏仪-CN201110090686.4有效
发明人：凌荣耀;朱翔鸥;汪泽煌;李爱飞;潘益斌;胡静;沈丹萍 -专利权人：温州大学
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： G01M3/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种便携式六氟化硫检漏仪。检漏仪包括探头、逆变及升压电路、信号放大电路、数据处理电路及声光报警电路，所述数据处理电路中包括记忆单元和比较器。由于本便携式六氟化硫检漏仪的数据处理电路中包括了记忆单元和比较器，并且比较器将测得的实时六氟化硫信号值与记忆单元中存储的值进行比较，只有当实时值大于存储值则将实时值存入记忆单元并控制声光报警电路报警，因此可以引导检测者移向六氟化硫浓度高的方向
便携式六氟化硫检漏

[实用新型]显微注射机构-CN201120213228.0无效
发明人：汝长海;孙立宁;朱玉龙;桑璇 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种显微注射机构，其包括显微注射器、与显微注射器连接的注射器套筒、与注射器套筒连接的封装式陶瓷组件以及若干辅助固定件，所述封装式陶瓷组件包括形状记忆合金以及与形状记忆合金连接的压电陶瓷。本实用新型显微注射机构采用形状记忆合金与压电陶瓷复合驱动的结构，所述形状记忆合金可以实现较大位移的调节，所述压电陶瓷可以实现较小位移的调节，并且，所述压电陶瓷具有较高定位精度，所以在保证显微注射机构具有高定位精度的同时
显微注射机构

[实用新型]便携式六氟化硫检漏仪-CN201120105352.5无效
发明人：凌荣耀;朱翔鸥;汪泽煌;李爱飞;潘益斌;胡静;沈丹萍 -专利权人：温州大学
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： G01M3/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种便携式六氟化硫检漏仪。检漏仪包括探头、逆变及升压电路、信号放大电路、数据处理电路及声光报警电路，所述数据处理电路中包括记忆单元和比较器。由于本便携式六氟化硫检漏仪的数据处理电路中包括了记忆单元和比较器，并且比较器将测得的实时六氟化硫信号值与记忆单元中存储的值进行比较，只有当实时值大于存储值则将实时值存入记忆单元并控制声光报警电路报警，因此可以引导检测者移向六氟化硫浓度高的方向
便携式六氟化硫检漏

[发明专利]一种NiTiHfNb高温形状记忆合金及其制备方法-CN201910672369.X有效
发明人：陈捷;杨琴;张永皞;张圣旺;葛继强;范啟超;孙明艳;王英英;黄姝珂 -专利权人：中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiTiHfNb高温形状记忆合金及其制备方法，所述NiTiHfNb高温形状记忆合金的化学式为(Ni50Ti35记忆合金同时兼具高塑性和良好形状记忆效应，并且，由于添加了Nb使其含有的Hf含量降低，因此合金成本降低。
一种 nitihfnb 高温形状记忆合金及其制备方法

[实用新型]具插接式转换匣的游戏卡匣-CN01218693.7无效
发明人：吴庆闻 -专利权人：吴庆闻
申请日： 2001-04-16 - 公布日： 2002-01-30 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：一种具插接式转换匣的游戏卡匣。为提供一种可大幅减少占用空间、整理方便的电子游戏卡匣,提出本实用新型,它包括记忆卡及转换匣;记忆卡系于电路板上设记忆体及形成有供信号连结的金手指;转换匣为供记忆卡容设插接,其前端与游戏机上的卡匣插槽规格相对应
插接转换游戏卡

[发明专利]扬声器致动器-CN200780041663.6有效
发明人： G·克林休尔特 -专利权人：索尼爱立信移动通讯股份有限公司
申请日： 2007-07-12 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H04R23/00 文献下载
摘要：一种扬声器系统、以及一种用于致动扬声器的方法和设备，使用连接到记忆金属部件并且在便携式电子设备中提供的扬声器元件；以及电源单元，被配置为提供电力到所述记忆金属部件，其中，当将电力提供到所述记忆金属部件时，所述记忆金属部件被配置为对所述扬声器元件施加力，以致动该扬声器元件。
扬声器致动器

[发明专利]一种基于记忆增强的视频描述生成方法-CN202311009538.4在审
发明人：许辉;秦一心;张浩楠;付骏峰;李岳铿 -专利权人：四川省人工智能研究院（宜宾）
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H04N19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于记忆增强的视频描述生成方法，包括以下步骤：S1、提取原始视频的第一特征信息和第二特征信息，并将第一特征信息和第二特征信息拼接，得到最终视频特征；S2、根据步骤S1中最终视频特征与视觉记忆，利用记忆增强编码器进行编码，得到集合视频上下文信息的视频特征；S3、根据步骤S2中集合视频上下文信息的视频特征与语言记忆，利用记忆增强解码器进行解码，生成视频描述文本；本发明所提出的一种基于记忆增强的视频描述生成方法，通过加入视觉记忆和语言记忆进入编码器和解码器，能够有效捕获多种隐式外部知识，提高了记忆增强编码器和记忆增强解码器生成文本的能力，从而在多个传统视频描述生成数据集上达到了最佳性能。
一种基于记忆增强视频描述生成方法

[发明专利]一种可调的垂直式磁电阻元件-CN201510179744.9有效
发明人：郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种可调的垂直式磁电阻元件，包括依次相邻的参考层、势垒层、记忆层、功能层和电极层；所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；所述势垒层位于所述参考层和所述记忆层之间且分别与所述参考层和所述记忆层相邻；所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面，所述记忆层至少包括第一记忆子层和第二记忆子层，所述第一记忆子层是铁磁性材料层且与所述势垒层相邻，所述第二记忆子层是非晶态铁磁性材料层且与所述功能层相邻；所述功能层与所述记忆层相邻，其是具有NaCl晶格结构的材料层，并且所述功能层的(100)晶面平行于基底平面、[110]晶向的晶格常数略大于bcc相Co在[100]晶向的晶格常数。
一种可调垂直磁电元件