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[发明专利]一种晶圆解键合设备-CN202211061359.0在审
发明人：安礼余 -专利权人：晨安芯创科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆解键合设备，其包括：晶圆承载台；载片夹护组件，安装在所述晶圆承载台的上端面，所述载片夹护组件能够对处于键合状态下的载片或晶圆主体夹护；上驱座架组，架空在所述晶圆承载台的上方，所述上驱座架组能够对另一键合状态下的载片或晶圆主体夹护固定；以及侧位解键合分割装置，设置在所述上驱座架组的一侧，所述侧位解键合分割装置将细长尼龙线外包在键合间隙处，并由细长尼龙线在传输下形成解键合分割作用。
一种晶圆解键合设备

[发明专利]基于红外成像和可见光成像综合辅助的激光解键合方法-CN202310626463.8有效
发明人：唐宁;易梦瑶;何浩梁 -专利权人：广东鸿浩半导体设备有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种基于红外成像和可见光成像综合辅助的激光解键合方法。该方法包括识别键合胶层的气泡和/或杂质；获取半导体片的翘曲区域的信息；判断气泡和/或杂质是否位于翘曲区域内；激光光束参数的确定；激光光束扫描键合胶层和获取降温温度分布异常区域；气泡和/或杂质点位信息合并至标识有降温温度分布异常区域的图像，得到解键合异常区域。本发明通过识别键合层中的气泡和/或杂质以及半导体片的翘曲区域，并以此调整激光光束的参数，提高解键合过程的加工稳定性和可靠性，结合气泡和/或杂质点位信息和解键合后的降温温度分布异常区域，获得解键合异常区域，实现对解键合质量的评估。
基于红外成像可见光综合辅助激光解键合方法

[发明专利]一种基于红外成像辅助的激光解键合方法-CN202310626514.7有效
发明人：唐宁;何浩梁;易梦瑶 -专利权人：广东鸿浩半导体设备有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种基于红外成像辅助的激光解键合方法。该方法包括加热临时键合体，获取加热过程中透明载片的第一红外图像的集合，识别出气泡和/或杂质点位；确定激光光束参数；激光光束扫描键合胶层和获取在冷却阶段透明载片的表面随时间变化的第二红外图像的集合，处理生成标识含有降温温度分布异常区域的图像；气泡和/或杂质点位信息合并至标识有降温温度分布异常区域的图像，得到解键合异常区域。本发明通过识别键合胶层中的气泡和/或杂质点位，并以此调整激光光束的参数，提高解键合过程的加工稳定性，结合气泡和/或杂质点位信息和解键合后的降温温度分布异常区域，获得解键合异常区域，实现对解键合质量的评估
一种基于红外成像辅助激光解键合方法

[发明专利]一种红外热辅助紫外激光解键合方法及装置-CN202310523681.9有效
发明人：唐宁 -专利权人：广东鸿浩半导体设备有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外热辅助紫外激光解键合方法及装置，涉及半导体制造技术领域。红外热辅助紫外激光解键合方法包括通过在激光解键合处理的过程中，采用红外加热的方式对键合层进行预热处理，提高键合层的温度，降低解键合激光束的功率要求，以利于键合层被激光烧蚀。同时，采集预热形成的红外热像，根据热像图中的斑点或不连续点识别键合层中气泡的位置，进而调整激光解键合的技术参数。进一步，本发明实施例在激光解键合后，采用红外加热的方式对键合层进行保温处理，使工件在解键合后能保持在适当温度上一段时间，避免键合层因冷却造成局部再次粘连的现象发生，实现彻底解键合，确保基板和半导体晶圆的分离效果
一种红外辅助紫外激光解键合方法装置

[发明专利]一种晶圆解键合方法-CN202010604859.9有效
发明人：吴道伟;张宁;霍瑞霞;刘建军 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种薄晶圆解键合方法，包括以下步骤：步骤一、将硅晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除；步骤二、将硅晶圆与载片解键合。针对薄晶圆临时键合胶变性以及“胶挤出”问题，本发明采用了一种解键合前处理方法，通过掩模制备、刻蚀去边等前处理工艺将晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除，再进行解键合制程，解决了由于临时键合胶变性导致的无法顺利进行解键合的问题
一种晶圆解键合方法

[发明专利]扇出型封装方法及封装结构-CN201910696333.5在审
发明人：狄云翔;刘孟彬;许嗣拓 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种扇出型封装方法及封装结构，封装方法包括：提供承载基板；在承载基板上形成临时键合层；提供芯片，包括露出焊垫的芯片正面；在芯片正面形成永久键合层；使永久键合层和临时键合层相对设置，将芯片临时键合于承载基板上；在承载基板上形成封装层，至少填充满芯片之间的空间且包覆永久键合层侧壁和芯片侧壁；进行解键合处理；在解键合处理后，刻蚀永久键合层形成露出焊垫的开口；在开口中形成电连接焊垫的再布线结构。本发明在芯片的芯片正面形成永久键合层，由于永久键合层的粘结力更强，能够降低在形成封装层的过程中发生芯片偏移问题的概率，而且，能够避免因解键合处理后的残胶问题而对再布线结构和焊垫的电连接性能产生影响。
永久键合承载基板焊垫临时键合芯片正面芯片键合扇出型封装封装结构封装层再布线开口电连接性能相对设置芯片侧壁芯片偏移电连接粘结力包覆残胶侧壁刻蚀封装概率

[发明专利]高效的陶瓷封装工艺-CN202010641632.1在审
发明人：徐罕;王成迁;吉勇;李守委 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及高效的陶瓷封装工艺，它包括以下步骤：在管壳载具的上表面涂上热解键临时键合胶；将陶瓷管壳通过热解键临时键合胶呈批量性、阵列式贴装压合在管壳载具的上表面，形成陶瓷管壳阵列；对陶瓷管壳阵列进行烘烤，使得热解键临时键合胶固化；以陶瓷管壳的位置为基准完成陶瓷封帽在陶瓷管壳上的贴装步骤，形成陶瓷封装体；在管壳载具的底部进行加热，使热解键临时键合胶的粘合胶力降低，完成陶瓷封装体与管壳载具的解键合步骤；用吸嘴吸取陶瓷封装体
高效陶瓷封装工艺

[实用新型]新型衬底解键合装置-CN201620505844.6有效
发明人：王云翔 -专利权人：苏州美图半导体技术有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B32B38/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及到微纳米技术领域，尤其涉及新型衬底解键合装置。该新型衬底解键合装置，包括底板、前限位挡块、后限位挡块、导轨、滑动装置、上盘定位盘、气缸、上加热盘和立柱。本实用新型所涉及的新型衬底解键合装置能够将键合在一起的两块衬底分离开来，弹簧和多个真空吸孔使得键合在一起的上下两块衬底吸附更加稳定，并且不会对衬底本身造成损坏。此外，该新型衬底解键合装置结构设计合理，对衬底的分离安全高效，适合推广使用。
新型衬底解键合装置

[实用新型]一种解键合装置-CN201620348189.8有效
发明人：刘伟;余斌 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种解键合装置，包括：底座，所述底座上安装有直线导轨；支撑梁，滑动式设置在所述直线导轨上，且与所述直线导轨垂直；上片盘组件，滑动式架设在所述支撑梁上，用于吸附待解键合的键合片或解键合后的载片；上吸盘组件，设于所述上片盘组件上方，用于从所述上片盘组件上吸附所述键合片或将所述载片放置在所述上片盘组件上；下吸盘组件，与所述上吸盘组件相对设置，用于吸附所述键合片的下表面；取片组件，滑动式悬挂在所述支撑梁上，用于从所述下吸盘组件上吸附解键合后的基底。
一种解键合装置

[实用新型]一种新型衬底解键合装置-CN201620038288.6有效
发明人：王云翔 -专利权人：苏州美图半导体技术有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： B32B38/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及到微纳米技术领域，尤其涉及一种新型衬底解键合装置。该新型衬底解键合装置，包括底板、前限位挡块、后限位挡块、导轨、拉手、气缸和立柱，所述前限位挡块和后限位挡块固定在底板上。本实用新型所涉及的一种新型衬底解键合装置能够将键合在一起的两块衬底分离开来，并且不会对衬底本身造成损坏。此外，该新型衬底解键合装置结构设计合理，对衬底的分离安全高效，适合推广使用。
一种新型衬底解键合装置

[发明专利]低温晶圆直接键合机台和晶圆键合方法-CN201910405744.4有效
发明人：周华 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种低温晶圆键合机台和晶圆键合方法，其中所述低温晶圆键合机台包括表面处理单元，用于对待键合晶圆的表面进行活化处理；预键合单元，用于将经过活化处理后的一片待键合晶圆与经过活化处理后的另外至少一片待键合晶圆或者与未经过活化处理的另外至少一片待键合晶圆贴合，形成预键合晶圆对；缺失检测单元，用于检测所述预键合晶圆对是否存在缺失；解键合单元，用于将所述存在缺失的预键合晶圆对分离。本发明的低温晶圆键合机台的解键合的成功率提升。
低温直接机台晶圆键合方法

[发明专利]一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具-CN202011003935.7在审
发明人：王广阳;熊帅 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具，将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片；对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片；对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片。
一种晶圆片减薄方法装置夹具

[发明专利]一种柔性太阳电池及其制作方法-CN201810904936.5在审
发明人：龙军华;肖梦;黄欣萍;李雪飞;陆书龙 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性太阳电池及其制作方法，该方法包括：在衬底上制作分离层；在分离层上倒装生长太阳电池；在太阳电池背面沉积背面电极；在背面电极上制作金属薄膜；将金属薄膜键合到临时衬底上；将分离层和太阳电池分离；在太阳电池正面沉积正面电极；将临时衬底与金属薄膜解键合；本发明通过在制作电池的过程中只进行一次键合与解键合，相比于现有技术的两次键合与解键合更为简单，提高了生产效率；解键合过程快速且不损伤电池和临时衬底
一种柔性太阳电池及其制作方法

[发明专利]半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件-CN202011256672.0有效
发明人：王淼;曾怀望;焦文龙;杨睿峰;李嗣晗 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件。该半导体器件的临时键合与解键合方法包括：在第一晶圆上形成第一金属层，第一晶圆中形成有器件结构并且第一金属层形成在第一晶圆的靠近器件结构的一侧；在第二晶圆上形成对应于第一金属层的第二金属层；将第二金属层键合至第一金属层，以使得第二晶圆键合至第一晶圆；在第一晶圆的远离器件结构的一侧进行背面工艺；通过电化学阳极金属溶解进行解键合，以使得第一晶圆与第二晶圆分离。
半导体器件临时解键合方法以及

[发明专利]一种激光解键合装置-CN202111035726.5在审
发明人：侯煜;张紫辰;李纪东;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯;李曼 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光解键合装置，该激光解键合装置包括载物台，用于将待解键合件保持在其上，待解键合件包括第一层结构、以及通过键合层粘接的第二层结构。还包括吸盘和激光系统。吸盘吸附在第二层结构表面。激光系统用于产生依次透过吸盘及第二层结构后聚焦在键合层的激光束，并控制激光束的焦点在键合层扫描，以对键合层进行解键合。还包括与吸盘连接的拉伸机构，该拉伸机构用于在激光束扫描键合层的部分区域后，向上拉吸盘，以使第一层结构和第二层结构在和该部分区域重合的位置处分离。以采用边激光解键合，边拉吸盘进行分离的剥离方式，防止两个层结构之间由于熔融状态的键合材料再次冷却凝固而使两个层结构再次粘连，降低剥离难度。
一种激光解键合装置