专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]新型节能消毒烘干机-CN202210115956.0在审
  • 张丽;田蕊;吴海霞;王晨箫;倪孟侨;时梦瑶;王影;孙溪桐;白亚楠 - 河北科技大学
  • 2022-02-07 - 2022-05-10 - D06F58/10
  • 本发明提供了一种新型节能消毒烘干机,属于烘干机技术领域,所述新型节能消毒烘干机包括箱体外壳、消毒装置和烘干装置;箱体外壳的顶端活动设有机顶盖;消毒装置设于箱体外壳内;烘干装置包括设于箱体外壳内侧的底部和/或侧壁的发热单元和设于箱体外壳内的支撑机构;支撑机构包括固定于箱体外壳内的并列且间隔设置的多个支撑架,搭设于多个支撑架上,相邻的支撑架之间设有上下滑动的辅助架,辅助架上转动设有压杆,压杆转动压于上侧,并通过向下移动以使弯折。本发明提供的新型节能消毒烘干机,能够实现被的无缠绕静置,提升烘干效率,降低能耗。
  • 新型节能消毒烘干机
  • [发明专利]板状加工的磨削方法-CN202210150081.8在审
  • 山中聪;宫本弘树;中野恵助;岛津陵 - 株式会社迪思科
  • 2022-02-18 - 2022-08-30 - B24B7/22
  • 本发明提供板状加工的磨削方法,能够缩短在切入磨削之后进行缓进给磨削的情况下的板状加工的磨削加工中的磨削时间。在切入磨削和缓进给磨削中,使用同一磨削磨具。因此,无需将保持着板状加工的卡盘工作台相对于两个不同的磨削磨具进行定位。因此,能够缩短磨削时间。另外,在切入磨削中,使用磨削磨具的下表面,另一方面,在缓进给磨削中,使用磨削磨具的侧面。因此,与仅通过切入磨削或缓进给磨削将板状加工磨削至规定的厚度的情况相比,能够减小磨削磨具的消耗量。
  • 板状被加工磨削方法
  • [发明专利]处理进行处理的方法-CN201610248187.6有效
  • 田原慈;西村荣一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-04-20 - 2018-01-16 - H01J37/32
  • 本发明提供一种对具有多孔质膜和掩模的处理进行处理的方法。一个实施方式的方法包括向收纳有具有多孔质膜的处理的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序;和为了去除掩模,在处理容器内生成第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有处理的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体。
  • 处理进行方法
  • [发明专利]处理进行处理的方法-CN201711316936.5有效
  • 田原慈;西村荣一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-04-20 - 2020-05-19 - H01J37/32
  • 本发明提供一种对具有细孔的多孔质膜进行改性的处理方法,其包括蚀刻工序和灰化工序,所述蚀刻工序包括重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤:向收纳有具有所述多孔质膜的处理的等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序,向所述处理容器内供给第二气体的工序,和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的所述第二气体的等离子体的工序;以及在所述动作顺序中设定在其上载置有所述处理的载台的温度,使所述处理气体具有1Torr
  • 处理进行方法
  • [发明专利]检查装置及处理检查方法-CN201610518496.0有效
  • 芮世熙 - 灿美工程股份有限公司
  • 2016-07-04 - 2021-08-10 - G02F1/13
  • 本发明提出在检查处理的缺陷时能够由一个装置检查各种处理的缺陷的检查装置及处理检查方法,作为检查装置包括:支撑部,支撑处理;去除部,配置在所述支撑部的上侧,利用激光束选择性地去除形成在所述处理上部的膜的一部分;检查部,配置在所述支撑部上侧,并且接触于所述处理的元件以收发信号;光学部,在所述支撑部上侧向着所述检查部配置,从而可观察所述检查部;及控制部,利用由所述光学部观察到的图像,以控制所述检查部的移动。
  • 检查装置处理方法
  • [发明专利]处理进行处理的方法-CN201780020009.0有效
  • 木原嘉英;久松亨 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-03-27 - 2023-06-30 - H01L21/3065
  • 一实施方式中晶片(W)具备蚀刻层(EL)和设置在被蚀刻层(EL)上的掩膜(MK4),一实施方式的方法(MT)通过重复执行序列(SQ3),并对每个原子层除去蚀刻层(EL)来对蚀刻层(EL)进行蚀刻,该序列(SQ3)包括:工序(ST9a),通过产生等离子体并对平行平板电极的上部电极(30)施加直流电压来照射二次电子、并且用氧化硅化合覆盖掩膜(MK4);工序(ST9b),生成氟碳系气体的等离子体并在被蚀刻层
  • 处理进行方法
  • [发明专利]填充硅石的弹性化合-CN200410028354.3无效
  • R·雷森德斯;S·奥德加尔德 - 拜尔公司
  • 2004-02-13 - 2004-09-08 - C08L47/00
  • 本发明提供一种制备填充的卤化丁基弹性体的方法,包括将至少一种卤化丁基弹性体同至少一种矿物填料混合,在将所述填料同所述卤化丁基弹性体混合之前,所述矿物填料已同至少一种含有至少一个碱性含氮基团和至少一个羟基的有机化合以及选择性与至少一种硅氮烷化合反应过,并且可选择用硫或者其它硫化剂体系硫化填充的弹性体。本发明具有的优点:(a)在制造或者随后使用由所述化合制造的制品期间没有醇的挥发,(b)其使用硅石作为矿物填料以及一种含羟基和氨基的添加剂作为分散助剂,增强了填充的卤化丁基弹性体的焦烧安全性,以及(c)同本领域当前公知的类似化合相比,大大降低了化合的成本。
  • 填充硅石弹性化合物

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