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[发明专利]排水处理方法-CN201210147677.9有效
发明人：中村信一 -专利权人：雄芽贺股份有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：一种排水处理方法，能够进行比过去更加细致的控制。包括：使排水（１）通过具有隔膜电解的阳极侧（３）的阳极侧处理工序、以及通过阴极侧（４）的阴极侧处理工序。能够将阳极侧处理工序和阴极侧处理工序中的现象与排水的性状变化有机地结合起来并进行控制。可以使用阴离子交换膜（５）作为所述隔膜（Ｐ），且在阴极侧处理工序中，使排水中所含有的氯化物离子朝向阳极侧（３）移动来使之减少。
排水处理方法

[发明专利]诊断装置、诊断方法及计算机可读存储介质-CN201910176799.2有效
发明人：梅泽知纪 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明的课题在于,提供一种使得按照处理工序进行的异常检测变得容易的诊断装置、诊断方法及程序。诊断装置包括：分组部，按照同种的处理工序将从检测部输出的多个检测信息进行分组，检测部比较按对象装置的处理工序种类不同的多个处理信息，判别同种的处理工序，检测随对象装置的处理工序中的动作变化的物理量；异常判定部
诊断装置方法计算机可读存储介质

[发明专利]一种混合工业污水治理方法-CN201811497584.2有效
发明人：童年;童福良 -专利权人：童年
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合工业污水治理方法，属于污水治理领域，包括以下工序：预处理工序、混合工序、调节工序、辐照处理工序、吸附重金属工序、过滤工序，所述吸附重金属工序中，采用辐照凝胶法去除重金属，所述辐照处理工序和吸附重金属工序中，均采用γ射线，所述辐照处理工序中，辐照吸收剂量为4‑6kGy，所述吸附重金属工序中，辐照吸收剂量为2‑4kGy。本发明的方法效率高，可以将多种不同种类的工业污水进行混合处理，且处理效果良好，不会带来新的污染物，且经过辐照后，排出的污水不会产生辐射。
一种混合工业污水治理方法

[发明专利]一种基于深度学习的金属板材表面缺陷检测方法-CN202210282739.0有效
发明人：王峰;丁发展 -专利权人：无锡雪浪数制科技有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度学习的金属板材表面缺陷检测方法，涉及表面缺陷检测技术领域，该方法包括：在多个金属板材经过第一或第二处理工序后的预定时间时，获取每个金属板材的照片并进行板材目标检测，输出去除背景后的原始尺寸的板材区域图合集；对原始尺寸的板材区域图合集进行表面颜色识别，若颜色合格，则对原始尺寸的板材区域图合集进行板材水膜检测；否则重新执行第一或第二处理工序；若检测出板材表面附着的水膜破裂，则说明板材表面的洁净度和平整度不合格，重新执行第一或第二处理工序。该方法实现了板材表面缺陷的自动化检测，确保每个工序下板材表面的颜色、洁净度及平整度符合行业要求。
一种基于深度学习金属板材表面缺陷检测方法

[发明专利]一种多工位硅片台多台交换系统及其交换方法-CN201210147747.0有效
发明人：朱煜;张鸣;支凡;刘昊;刘召;徐登峰;杨开明;胡金春;尹文生 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种多工位硅片台多台交换系统及其交换方法，该多台交换系统除测量工位和曝光工位外，还包括一个工艺处理工位；此工艺处理工位与测量工位、曝光工位均处于基台上表面的气浮平面或磁浮平面内；承片台通过气浮轴承或磁悬浮设置在基台上表面增加工艺处理工位，在光刻机中可以实现相邻曝光工序间的工艺处理，在同一台光刻机中可以并行完成曝光工序及工艺处理工序，使得在同一台光刻机内实现连续曝光，满足双曝光技术甚至多重曝光技术中提高生产率和精度、减少成本和使用面积等需求
一种多工位硅片台多台交换系统及其方法

[发明专利]扩散元件、照明模块和非球面透镜的加工方法-CN201980020552.X有效
发明人：小野健介;浜田刚;南贤一;盐谷健一;西坂拓马 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G02B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种非球面透镜的加工方法，其包括：对玻璃基板实施前处理的前处理工序、以及对实施了前述前处理的前述玻璃基板实施湿式蚀刻的蚀刻工序，前述前处理工序包括：对前述玻璃基板的某个位置照射脉冲激光而使前述玻璃基板内部的部分区域发生改性，至少在照射了前述脉冲激光的位置处沿着厚度方向发生密度分布的工序；或者，利用化学方法或物理方法，在前述玻璃基板的表面形成规定的楔形凹部的工序。
扩散元件照明模块球面透镜加工方法

[发明专利]一种金属件浸锌处理工艺-CN201510875936.3在审
发明人：宋华杰;肖泽云;时文丽;贾先碧;钱宇 -专利权人：成都朋昌电力构件有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C23C2/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属件热浸锌处理工艺，它包括前处理、热浸锌和后处理工序，其中前处理包括黑件检查、分类挂料、酸洗除锈、漂洗和助溶剂处理，镀锌工序包括镀件表面烘干和热浸镀锌工艺，后处理包括冷却、钝化、整理和分类交料工序本发明的有益效果是：它具有热浸锌后的工件，表面光滑，没有滴溜和多余积锌，且不存在局部镀不上锌、露铁现象，没有过酸洗形成的缺陷，且表面色泽均匀，锌层均匀性好和锌层附着性强优点。
一种金属件处理工艺

[发明专利]潜热蓄热体微囊及其制造方法-CN202080060730.4在审
发明人：能村贵宏;樫山康平;坂井浩纪;芳贺美纪;长俊介;盛楠;川口贵大 -专利权人：国立大学法人北海道大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：其制造方法包括：将液体状态的镓或镓合金制成粒子的粒子化工序、在蒸馏水中加热粒子而在粒子的表面形成镓水合物的水处理工序、以及氧化镓水合物而形成包含镓氧化物的壳的氧化处理工序。另外，其制造方法包括：将液体状态的镓或镓合金制成粒子的粒子化工序、将粒子冷却而制成固体状态的冷却工序、以及将粒子浸渍在规定pH的水溶液中而形成包含镓水合物的壳的pH处理工序。
潜热蓄热体微囊及其制造方法

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201910936715.0在审
发明人：犹原英司;冲田有史;角间央章;増井达哉 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种可对喷出至基板的端部的液柱状的处理液进行拍摄的基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括：保持工序、旋转工序、上升工序、斜面处理工序、摄像工序以及监视工序。在上升工序中，使包围基板保持部的外周的杯状构件上升，并使杯状构件的上端位于较保持于基板保持部的基板的上表面而言更高的上端位置。在斜面处理工序中，自位于较上端位置而言更低的位置的喷嘴的喷出口向保持于基板保持部的基板的上表面的端部喷出处理液。在摄像工序中，使照相机对作为包含自喷嘴的喷出口喷出的处理液的摄像区域且自基板的上方的摄像位置看到的摄像区域进行拍摄，来取得摄像图像。在监视工序中，基于摄像图像判定处理液的喷出状态。
处理方法装置

[发明专利]一种重金属电镀废水处理工艺-CN201510078237.6在审
发明人：吴智仁;蒋素英;罗志军;李俊波 -专利权人：江苏艾特克环境工程设计研究院有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种重金属电镀废水处理工艺，包括铁碳微电解处理工序和污泥循环处理工序；污泥循环处理工序包括搅拌槽、沉淀池和碱槽，三者依次相互连接，形成污泥循环；混合废水进入微电解填料塔中，与球形铁碳复合材料接触进行微电解反应，完成铁碳微电解预处理工序；再进入污泥循环处理工序。本发明工艺简单，电镀废水无需分股处理，只需混成一股进行处理，该工艺除了用酸碱调节pH值外，无需投加其他药剂，使得产生的污泥量相对于常规沉淀法大幅减少50％以上。
一种重金属电镀废水处理工艺

[发明专利]外延晶片及其制造方法-CN200710148267.5有效
发明人：中原信司;坂井正人;土肥敬幸 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供外延晶片的制造方法，其包括以下工序：在硅单晶片的主表面上使硅外延生长的工序；用特定的处理液在100℃以下的温度下处理所述晶片的主表面，将附着在所述晶片主表面的颗粒除去的同时形成规定膜厚的氧化膜的晶片平坦化前处理工序；对所述主表面进行镜面抛光的表面抛光工序。
外延晶片及其制造方法

[发明专利]被处理体的处理方法-CN201610300938.4有效
发明人：小林史弥;小笠原正宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种被处理体的处理方法。本发明可在含钨膜中形成具有高垂直性的开口。一个实施方式的方法包括：(i)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序；(ii)在处理容器内生成含有氯的第1处理气体的等离子体的第1等离子体处理工序；(iii)在处理容器内生成含有氟的第2处理气体的等离子体的第2等离子体处理工序；及(iv)在处理容器内生成含有氧的第3处理气体的等离子体的第3等离子体处理工序。在该方法中，执行多次序列，该序列各自包括第1等离子体处理工序、第2等离子体处理工序、及第3等离子体处理工序。
处理方法

[发明专利]一种坯布的抗针洞处理工艺-CN201010545348.0有效
发明人：章小勇;顾海;丁佐刚 -专利权人：南通泰慕士服装有限公司
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： D06M13/402 文献下载
摘要：本发明公开了一种坯布的抗针洞处理工艺，将柔软剂置于染机或定型机内，坯布进入，通过浸渍或定型工序实现后处理，在坯布的后处理工序中的柔软剂中增加脂肪酸、有机硅和聚合物混合的助剂，其加入的重量份为柔软剂：助剂为本发明在后处理工序中增加高分子聚合物作为助剂，在坯布浸渍后，渗透到坯布中，使坯布纤维的韧性增强、坯布纱线表面滑度提高，从而达到在后续缝纫时抗针脚过密形成的针洞，有效保证坯布完好性的坯布的抗针洞处理工艺。
一种坯布抗针洞处理工艺

[外观设计]带动态GUI的半导体制造机-CN201730684168.3有效
发明人：中村贵正;鸟越恒男 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：2．本外观设计产品的用途：用于进行半导体晶片的处理。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状以及GUI。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．界面用途：监控半导体晶片的研磨、清洗、干燥等的处理工序，并且可根据处理对象的个数或处理工序的个数来设定针对各处理工序划分的框，在框内，通过交替显示半圆状图像和圆状图像来显示处理工序的进程。“A部放大主视图”以及“B部界面放大图”示出显示半导体晶片的特定处理工序开始且该处理持续的状态的半圆状图像以及显示半导体晶片的特定处理工序结束且即将过渡至其他处理之前的状态的圆状图像；“B部界面变化状态放大参考图1”示出显示从半导体晶片的特定处理工序结束的状态至其他处理工序开始且该其他处理持续的状态的半圆状图像，“B部界面变化状态放大参考图2”示出显示该其他处理结束且即将过渡至又一处理工序之前的状态的圆状图像。
处理工序半导体晶片外观设计图像半圆状圆状半导体制造机放大变化状态监控半导体处理对象处理结束交替显示界面放大显示处理研磨晶片清洗进程图片

[发明专利]一种多孔硅的阳极氧化表面处理技术-CN02112391.8无效
发明人：虞献文;朱自强 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2002-07-04 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： C25F3/12 文献下载
摘要：一种多孔硅阳极氧化表面处理技术，属半导体材料，确切说，功能信息材料的制备技术领域，包括多孔硅的阳极氧化表面处理工序和干燥处理工序，前道工序在腐蚀槽2内实施，把湿的、一个表面附有多孔硅61的P型单晶硅片6悬置于腐蚀槽2内，向腐蚀槽2注入H2O2水溶液3，通电进行阳极氧化；后道工序清洗和用常规的干燥方法干燥经前道工序处理的湿的、一个表面附有多孔硅61的P型单晶硅片6，制得干燥的多孔硅成品，有设备简单、操作方便、精度控制容易、生产成本低和适用于工业生产的优点，适于用来对湿的多孔硅进行表面处理，制得干燥的多孔硅。
一种多孔阳极氧化表面处理技术