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[发明专利]烟酰胺类衍生物的甲磺酸盐溶剂化物晶体及其制备方法和应用-CN201410323393.X有效
发明人：于迎渌;陈金瑶;弋东旭 -专利权人：上海宣创生物科技有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C07D213/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种烟酰胺类衍生物的甲磺酸盐溶剂化物晶体及其制备方法和应用，其中烟酰胺类衍生物的甲磺酸盐溶剂化物晶体为甲磺酸盐二甲基甲酰胺溶剂化物晶体，特征参数如下：晶系为三斜晶系；空间群为P-1；晶胞参数为本发明提供的烟酰胺类衍生物的甲磺酸盐溶剂化物晶体具有良好的高温稳定性、高湿稳定性和光照稳定性，在治疗晚期非小细胞肺癌、胃癌、肝癌或乳腺癌的药物中应用，生物利用度显著，同时提供的定性定量信息，对进一步研究此类固体药物的疗效具有重要的意义
烟酰胺类衍生物甲磺酸盐溶剂化物晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种多级孔UiO‑66及其衍生物的合成方法-CN201710263097.9在审
发明人：范彬彬;周帆;路宁悦;闫晓亮;李瑞丰 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级孔UiO‑66及其衍生物的合成方法，是在常规UiO‑66的合成体系中引入适量的水，利用合成体系中水对Zr簇和配体自组装、UiO‑66成核和晶体生长等过程的影响作用来制备多级孔UiO‑66及其衍生物。本发明合成的多级孔UiO‑66及其衍生物中同时存在有微孔和介孔，其孔体积可达0.89cc/g以上，显著大于文献报道的传统UiO‑66的孔体积。
一种多级 uio 66 及其衍生物合成方法

[发明专利]具有四氢吡喃基甲基的吡啶酮衍生物-CN201580047744.1有效
发明人：萩野谷宪康;铃木贵;早川美穗;太田雅浩;塚田智晴;小林克弘;安藤洋介;神保猛;中村晃一 -专利权人：第一三共株式会社
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C07D405/14 文献下载
摘要：提供：一种新的化合物，其抑制Axl和可用作由Axl机能亢进引起的疾病的治疗、与Axl机能亢进有关的疾病的治疗和/或涉及Axl机能亢进的疾病的治疗；所述化合物的盐；或所述化合物或盐的晶体。[方案]提供：由式(I)表示的具有四氢吡喃基甲基并具有各种取代基的吡啶酮衍生物；所述衍生物的盐；或所述衍生物或盐的晶体(此处，式(I)中的R1、R
具有四氢吡喃基甲基吡啶衍生物

[发明专利]具有四氢吡喃基甲基的吡啶酮衍生物-CN202010427596.9有效
发明人：萩野谷宪康;铃木贵;早川美穗;太田雅浩;塚田智晴;小林克弘;安藤洋介;神保猛;中村晃一 -专利权人：第一三共株式会社
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： A61K31/444 文献下载
摘要：提供：一种新的化合物，其抑制Axl和可用作由Axl机能亢进引起的疾病的治疗、与Axl机能亢进有关的疾病的治疗和/或涉及Axl机能亢进的疾病的治疗；所述化合物的盐；或所述化合物或盐的晶体。[方案]提供：由式(I)表示的具有四氢吡喃基甲基并具有各种取代基的吡啶酮衍生物；所述衍生物的盐；或所述衍生物或盐的晶体(此处，式(I)中的R1、R
具有四氢吡喃基甲基吡啶衍生物

[发明专利]苊并氮杂萘类衍生物及其制备方法和电子器件及发光光谱调节方法-CN202010295405.8在审
发明人：崔林松;朱向东;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C07D487/06 文献下载
摘要：本发明提供一种苊并氮杂萘类衍生物及其制备方法和电子器件及发光光谱调节方法，涉及有机光电材料技术领域。本发明通过引入苊并氮杂萘类衍生物的稠环结构，得到的苊并氮杂萘类衍生物成膜性和热稳定性优异以及荧光量子产率较高，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的苊并氮杂萘类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的苊并氮杂萘类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。
氮杂萘类衍生物及其制备方法电子器件发光光谱调节

[发明专利]偏三嗪并菲啰啉类衍生物和电子器件及用途-CN202010713271.7在审
发明人：张业欣;刘向阳;朱向东;崔林松;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C07D471/14 文献下载
摘要：本发明涉及偏三嗪并菲啰啉([1,2,4]三嗪并[5,6‑f][1,10]菲啰啉)类衍生物和电子器件及用途。本发明的偏三嗪并菲啰啉类衍生物通过引入偏三嗪并菲啰啉类刚性结构，得到的偏三嗪并菲啰啉类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的偏三嗪并菲啰啉类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的偏三嗪并菲啰啉类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。
偏三嗪菲啰啉类衍生物电子器件用途

[发明专利]苊并氮杂萘类衍生物及其制备方法及红外电子器件和红外装置-CN202010296086.2有效
发明人：崔林松;朱向东;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C07D487/06 文献下载
摘要：本发明提供一种苊并氮杂萘类衍生物及其制备方法及红外电子器件和红外装置，涉及有机光电材料技术领域。本发明通过引入苊并氮杂萘类衍生物的稠环结构，得到的苊并氮杂萘类衍生物成膜性和热稳定性优异以及荧光量子产率较高，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的苊并氮杂萘类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的苊并氮杂萘类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。
氮杂萘类衍生物及其制备方法红外电子器件装置

[发明专利]芳香烯二炔衍生物、有机半导体薄膜、生产方法和电子器件-CN200610171899.9无效
发明人：郑银贞;文炫植;韩国珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C07D333/18 文献下载
摘要：公开了芳香烯二炔衍生物、生产由该芳香烯二炔衍生物形成的有机半导体薄膜的方法和制造包括该有机半导体薄膜的电子器件的方法。根据本发明的芳香烯二炔衍生物具有改进的化学和/或电学稳定性，其能提高所制得的半导体器件的可靠性。根据本发明的芳香烯二炔衍生物还可适用于在室温或接近室温的温度下通过基于溶液的方法，例如旋涂，在各种基质上进行沉积以形成涂膜，然后将该涂膜加热以形成有机半导体薄膜。这种可用的低温处理允许在大面积基质和/或在不适于高温处理的基质上使用所述芳香烯二炔衍生物。因此，根据本发明的所述有机半导体薄膜可用于薄膜晶体管、电致发光器件、太阳能电池和存储器件中。
芳香烯二炔衍生物有机半导体薄膜生产方法电子器件

[发明专利]一种铱配合物及其制备方法与应用-CN201911060346.X在审
发明人：杨楚罗;陆光照 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：段配位的基团选自：苯基、吡啶基、噻吩基、嘧啶基；N段配位的基团选自：吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、噻唑基、咪唑基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基或蝶啶基；R1选自：烷烃衍生物、醚衍生物、卤代烃衍生物、酮衍生物、苯衍生物、吡啶衍生物、萘衍生物；R2选自：醇衍生物、胺衍生物、苯衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、二苯胺衍生物、咔唑衍生物、咔啉衍生物、9,10‑二氢吖啶衍生物、吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、氮唑衍生物。
一种配合及其制备方法应用

[发明专利]皮肤外用胶体组合物-CN201110225282.1无效
发明人：陈明智 -专利权人：陈明智
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： A61K8/81 文献下载
摘要：本发明公开了一种皮肤外用胶体组合物，包括以下组分：水；增稠剂，选自如下物质中的一种或几种，琼脂及其衍生物；吉利丁及其衍生物；三仙胶及其衍生物；结兰胶及其衍生物；阿拉伯胶及其衍生物；瓜尔豆胶及其衍生物；刺槐豆胶及其衍生物；果胶及其衍生物；蒟蒻多醣及其衍生物；红藻胶及其衍生物；关华豆胶；西黄耆胶及其衍生物；仙草叶胶及其衍生物；纤维素及其衍生物；海藻酸及其衍生物；淀粉及其衍生物；鹿角菜胶及其衍生物；卡德兰胶及其衍生物；丙烯酸聚合物及其衍生物；聚乙烯醇及其衍生物；以及抗冻剂。
皮肤外用胶体组合

[发明专利]一种含螺二芴的咪唑类蓝光材料、晶体及制备方法-CN201810253907.7在审
发明人：陈国威;霍延平;谭继华;黎家涛;籍少敏;杨庆旦 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C07D235/02 文献下载
摘要：本发明属于有机电致发光器件领域，尤其涉及一种含螺二芴的咪唑类蓝光材料、晶体及制备方法。本发明提供了一种含螺二芴的咪唑类蓝光材料，为：菲并咪唑类衍生物或芘并咪唑类衍生物；本发明还提供了一种上述菲并咪唑类衍生物以及芘并咪唑类衍生物的制备方法；本发明还提供了一种上述咪唑类蓝光材料晶体的制备方法
蓝光材料制备咪唑类螺二芴咪唑类衍生物内量子效率热力学性质菲并咪唑启动电压荧光有机电致发光器件发光器件技术缺陷晶体的可调控单晶应用

[发明专利]低温制备聚噻吩衍生物-碳纳米管纳米复合纤维的方法-CN201010584463.9有效
发明人：哈恩华;黄大庆 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： D01F6/94 文献下载
摘要：本发明是低温制备聚噻吩衍生物-碳纳米管纳米复合纤维的方法，本发明通过低温合成的聚噻吩衍生物比通常条件下合成的聚噻吩衍生物具有更高分子取向和更好的导电性能。首先对多壁碳纳米管进行表面处理使其能在20％CaCl2溶液中很好的分散，然后加入噻吩衍生物单体并加入催化剂，制备出所述纳米复合纤维。该方法制备的纳米复合纤维，由于在低温下噻吩衍生物单体可以在多壁碳纳米管周围缓慢聚合并具有良好的分子取向性，因此采用该方法制备的聚噻吩衍生物-多壁碳纳米管纳米复合纤维具有很高的电导率，其电导率测试为134本发明的制备方法具有环保节能、工艺简单、制备成本低、适用于批量生产，可用于晶体管、导电材料、太阳能电池材料、光电子器件、传感器和电磁屏蔽等多种领域。
低温制备噻吩衍生物纳米复合纤维方法

[发明专利]一类金属锡环化的苝酰亚胺衍生物及制备方法和应用-CN201911396285.4有效
发明人：陈令成;张文重;肖义 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C07F7/22 文献下载
摘要：一类金属锡环化的苝酰亚胺衍生物及制备方法和应用，其属于有机半导体材料领域。这种金属锡环化的苝酰亚胺衍生物通过钯催化在苝酰亚胺类衍生物的港湾位引入金属锡构成五元金属杂环，突破一直以来苝酰亚胺港湾位只能引进非金属构成杂环的科研现状。金属锡元素的引入使该衍生物在光电材料领域更具研究价值，该衍生物作为光电材料在太阳能电池、有发光二极管和有机场效应晶体管领域都有很大的应用前景。此外，重元素锡的引入使该衍生物具有较强的产生三重态的能力，可作为一种新式光敏剂。
一类金属环化亚胺衍生物制备方法应用

[发明专利]一种含硫的取代基取代的二噻吩衍生物及其共轭聚合物的制备方法及应用-CN201510606929.3在审
发明人：夏养君;李建丰;郭鹏智 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硫的取代基取代的二噻吩并[2,3-d:2′,3′-d′]苯并[1,2-b:3,4-b′]二噻吩衍生物及其共轭聚合物以及其制备方法和应用。该含硫的取代基取代的二噻吩并[2,3-d:2′,3′-d′]苯并[1,2-b:3,4-b′]二噻吩衍生物的化学结构如结构式Ⅰ所示；基于该衍生物的共轭聚合物的化学结构如结构式Ⅱ所示。本发明公开的衍生物以及其共轭聚合物具有良好的光电活性，可用于设计高效的薄膜场效应晶体管(TFT)及聚合物光伏器件，具有良好的市场应用前景。
一种取代噻吩衍生物及其共轭聚合物制备方法应用

[发明专利]并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法-CN200410024905.9无效
发明人：黄维;刘承斌 -专利权人：复旦大学
申请日： 2004-06-03 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明为一种以1，2，3，4，8，9，10，11－八取代并五苯衍生物作为有机半导体材料的有机场效应晶体管(以下简称OFET)及其制备方法。OFET结构有TOP型和Bottom两种，并五苯衍生物的取代基为卤素(F－、Cl－、Br－、I－)。有机半导体的成膜包括并五衍生物直接成膜和通过并五衍生物先驱物间接成膜两种方式。
衍生物作为半导体材料有机场效应晶体管及其制备方法