专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]像素驱动电路及其驱动方法、显示面板-CN202110387008.8有效
  • 王选芸;戴超 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-04-12 - 2022-08-05 - G09G3/32
  • 像素驱动电路包括:发光器件、驱动晶体管及开关晶体管。开关晶体管的有源层包括氧化物半导体,开关晶体管连接于驱动晶体管的栅极与初始化电压端之间、以及连接于驱动晶体管的栅极与驱动晶体管的源极或漏极中的一者之间,以根据第一发光控制信号将初始化信号或具有补偿阈值电压作用的数据信号传输至驱动晶体管的栅极,通过开关晶体管的低漏电流特性改善所述驱动晶体管栅极电压不稳定造成的发光器件发光不均的问题,有利于改善显示面板在采用低频驱动方式进行显示时,易出现闪烁现象的问题,改善显示面板的显示质量。
  • 像素驱动电路及其方法显示面板
  • [发明专利]生成含层理岩石的矿物晶体模型的方法-CN202111135497.4有效
  • 孙博;杨怀德 - 中国电建集团成都勘测设计研究院有限公司
  • 2021-09-27 - 2023-04-07 - G01N33/24
  • 本发明涉及岩石层理领域,具体涉及一种生成含层理岩石的矿物晶体模型的方法,实现了快速模拟随机分布的由矿物晶体构成的层理结构,并且极大地的缩减计算模型中颗粒的数量,提高计算效率。技术方案包括:对含层理岩石的矿物晶体进行结构观测与统计,确定所述矿物晶体种类、粒径以及含量,并同时确定所述矿物晶体层理结构宽度及其分布规律、以及空间分布特征;根据观测与统计的结果在指定区域生成单一块体;将单一块体划分为层理区和非层理区,根据层理区的矿物晶体粒径大小生成第一矿物晶体模型;根据非层理区的矿物晶体最大粒径大小生成第二矿物晶体模型。本发明适用于快速模拟随机分布的由矿物晶体构成的层理岩石结构。
  • 生成层理岩石矿物晶体模型方法
  • [发明专利]像素电路及显示面板-CN202210789649.0有效
  • 谢少朋;胡亮;霍雯雪;徐凤超 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-07-05 - 2023-07-25 - G09G3/32
  • 本申请公开了一种像素电路及显示面板,属于显示技术领域,该像素电路包括驱动晶体管、初始化晶体管以及电位调整模块,初始化晶体管的源极/漏极中的一个与驱动晶体管的源极电性连接,初始化晶体管的源极/漏极中的另一个与参考电压传输线电性连接,初始化晶体管的栅极与读取控制线电性连接,电位调整模块与驱动晶体管的源极电性连接,通过电位调整模块进一步降低驱动晶体管的源极电位,驱动晶体管的阈值电压的可侦测范围的正向极限值得以提高,进而扩大了驱动晶体管的阈值电压的可侦测范围
  • 像素电路显示面板
  • [发明专利]一种端面泵浦激光器-CN201010605484.4无效
  • 汪玉树;高云峰 - 深圳市大族激光科技股有限公司
  • 2010-12-24 - 2011-06-08 - H01S3/101
  • 本发明提供一种端面泵浦激光器,其包括:对泵浦激光进行振荡的晶体热传导体装置、以及具有狭缝的限模装置,经由所述晶体热传导体装置振荡后的激光经过所述限模装置的狭缝,其中,所述晶体热传体装置包括激光晶体、及位于该激光晶体两端的晶体冷却座,且两端的晶体冷却座的厚度大于激光晶体的厚度。本发明的有益效果是:本发明的晶体热传导体装置相对于现有技术是呈扁宽形,X和Y方向的热梯度较为一致,能够很好地延缓激光振荡时的椭圆光斑效应;泵浦激光振荡后再通过狭缝,利用这一点可以在晶体附近附加一个限模装置的狭缝使得输出激光的光斑半径变圆
  • 一种端面激光器
  • [发明专利]掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法-CN201010192338.3无效
  • 刘景和;李春;曾繁明;张学建;张莹;林海;金银锁;秦杰明;董仲伟;董国飞 - 长春理工大学
  • 2010-06-07 - 2010-10-20 - C30B29/12
  • 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法,属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因,掺杂浓度低;在生长这种晶体的过程中,由于氟化钇锂熔点高,原料挥发严重,难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系,以稀土铒为激活离子,所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4,晶体基质为氟化钆锂;其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3=16.5~17∶7.76~8过量加入,晶体生长工艺参数确定为提拉速度:0.3~0.8mm/h,旋转速度:3~10rpm,生长温度:745~755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体,适用于大功率固体激光器。
  • 氟化晶体及其生长方法
  • [发明专利]光子晶体谐振腔、光子晶体激光器及其制造方法-CN200910107642.0无效
  • 欧阳征标;曹恩文 - 深圳大学
  • 2009-05-31 - 2009-11-04 - H01S3/08
  • 本发明属于光通信和激光器技术领域,涉及一种光子晶体谐振腔、光子晶体激光器及其制造方法,具体涉及一种双频正交偏振光子晶体谐振腔和激光器及其制造方法。本发明提出了一种光子晶体谐振腔为一维光子晶体谐振腔,其包括缺陷层,其特征在于,所述的缺陷层填充有各向异性材料。优选的所述各项异性材料为单轴晶体。本发明还提供一种光子晶体激光器,所述的光子晶体激光器包括上述所述的光子晶体谐振腔,还包括增益介质Er。本发明通过整合光子晶体和双折射激光器的优点,获得了体积小、成本低、小频差或大频差、高增益、高Q值的谐振腔和激光器。
  • 光子晶体谐振腔激光器及其制造方法
  • [发明专利]用于一电子装置的输出缓冲装置-CN200810091133.9无效
  • 萧兆志 - 联咏科技股份有限公司
  • 2008-04-07 - 2009-10-14 - H03K19/0175
  • 用于一电子装置的输出缓冲装置,包含有一第一逻辑单元、一第二逻辑单元、一第一晶体管、一第二晶体管、以及一控制单元。该第一逻辑单元及该第二逻辑单元耦接于一输入端,用来根据该输入端所接收的一输入信号,控制该第一逻辑单元及该第二逻辑单元的导通状态,并分别输出该第一晶体管及该第二晶体管的栅极控制信号,以控制该第一晶体管及该第二晶体管的导通状态;该控制单元耦接于该第一逻辑单元的一输出端、该第二逻辑单元的一输出端、该第一晶体管及该第二晶体管之间,用来控制该第一晶体管及该第二晶体管不同时导通。
  • 用于电子装置输出缓冲
  • [发明专利]一种压电晶体仿真引擎-CN201010145192.7无效
  • 田欢欢;张海英 - 中国科学院微电子研究所
  • 2010-04-13 - 2011-07-06 - G06F17/50
  • 本发明涉及一种用于电路设计的压电晶体仿真引擎。所述压电晶体仿真引擎在建立了完整的晶体等效电路模型,并结合石英材料的晶体材料压电常数和弹性常数物理性质,以及其等效电路模型中各电学元件的参数的基础上,通过一个仿真过程解决石英晶体振荡器用于电路设计过程中的力学和电学的耦合问题本发明利用品质因数极高的石英晶体振子制备高精度的晶体振荡器,同时提供更为精确的模型来表述石英晶体振荡器,确定石英晶体振荡器的仿真过程,并求解电学模型,得出电学的状态变量,由此解决石英晶体振荡器用于电路设计过程中的力学和电学的耦合问题
  • 一种压电晶体仿真引擎
  • [发明专利]面板结构及其制造方法-CN200710305428.7无效
  • 王文俊;康恒达;朱健慈 - 胜华科技股份有限公司
  • 2007-12-28 - 2009-07-01 - H01L27/12
  • 面板结构包括基板、多个第一晶体管及多个第二晶体管。基板具有显示电路及控制电路。这些第一晶体管设置于基板的显示电路。这些第一晶体管各具有第一有源层。这些第二晶体管设置于基板的控制电路。这些第二晶体管各具有第二有源层。第一有源层及第二有源层的至少一者的材料包括氧化锌(ZnO)。本发明利用氧化锌(ZnO)作为控制电路及显示电路的至少一者的晶体管的材料,以使晶体管具有高电子迁移率,且此晶体管的工艺与非晶硅材料的晶体管的工艺相容。
  • 面板结构及其制造方法
  • [发明专利]静态随机存储器及其制造方法-CN200610170188.X无效
  • 朴盛羲 - 东部电子股份有限公司
  • 2006-12-25 - 2007-07-04 - H01L27/11
  • 本发明公开了一种静态随机存储器(SRAM),其包括:由金属氧化物半导体(MOS)晶体管构成的第一存取晶体管和第二存取晶体管;由金属氧化物半导体(MOS)晶体管构成的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管;以及用作上拉器件使用的第一p-沟道薄膜晶体管(TFT)和第二p-沟道薄膜晶体管。该SRAM包括:地电位层,其设置作为该第一驱动晶体管和该第二驱动晶体管的共用源极,并且通过将掺杂剂注入半导体衬底而形成;电源电位层,其与第一p-沟道TFT和第二p-沟道TFT的源极连接;以及绝缘层,其形成在该衬底上并置于该地电位层和该电源电位层之间
  • 静态随机存储器及其制造方法
  • [发明专利]译码器电路-CN200610162373.4无效
  • 增尾昭;角谷範彦;法邑茂夫 - 松下电器产业株式会社
  • 2006-12-14 - 2007-06-20 - G11C8/10
  • 本发明公开的译码器电路包括:用于提供第一电压的电源控制电路;串联连接在该电源控制电路和第一参考节点之间的第一晶体管和第二晶体管;以及连接在第二参考节点与位于所述第一晶体管和第二晶体管之间的连接节点之间的第三晶体管和第四晶体管第一晶体管在其栅极接收第一信号,第二晶体管在其栅极接收与第一信号相对应的第二信号。第三晶体管在其栅极接收第三信号,第四晶体管在其栅极接收与第三信号相对应的第四信号。
  • 译码器电路
  • [发明专利]液晶驱动电路-CN200610105556.2无效
  • 山濑真也 - 三洋电机株式会社
  • 2006-07-18 - 2007-02-28 - G09G3/36
  • 本发明的液晶驱动电路,在4个输出晶体管(TR1~TR4)的每一个中,设置有每个输出晶体管2个、总计8个的控制晶体管。按照点信号(DA)以及场信号(DF),使8个控制晶体管导通截止,从4个输出晶体管(TR1~TR4)中选择1个输出晶体管。通过使施加在各输出晶体管(TR1~TR4)上的(DFp、DFBp)的上升沿和(DFn、DFBn)的下降沿变得急剧,将各输出晶体管提前从导通转移到截止。此外,通过使(DFp、DFBp)的下降沿和(DFn、DFBn)的上升沿变得缓慢,使各输出晶体管延迟从截止转移到导通。从而,在液晶驱动电路中,大幅削减输出控制电路的晶体管数目,实现耗电的减小以及驱动电压的稳定化。
  • 液晶驱动电路

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