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[发明专利]一体化薄膜桥点火器及其制备方法-CN201510860611.8有效
发明人：陈伟;景涛;白庆星;龚星 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： F23Q13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种一体化薄膜桥点火器及其制备方法。该一体化薄膜桥点火器由下至上依次包括基体整体元件、过渡层薄膜、点火层薄膜和复合桥膜层。制备方法包括(1)在基体整体元件表面先后淀积过渡层薄膜和点火层薄膜；(2)采用激光刻蚀工艺在点火层薄膜上刻制出锯齿状薄膜桥区；(3)在锯齿状薄膜桥区上周期性交替淀积CuO薄膜层和Al薄膜层，得到一体化薄膜桥点火器本发明的一体化薄膜桥点火器无需封装、可低能可靠点火，能有效降低点火能量和点火时间，制备方法成本低廉，可实现批量化生产。
点火器一体化薄膜制备点火层薄膜过渡层薄膜基体整体薄膜桥锯齿状淀积激光刻蚀工艺周期性交替点火能量可靠点火元件表面薄膜层复合桥批量化刻制膜层封装点火生产

[发明专利]一种焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构-CN201510532320.6有效
发明人：王涛;韦良忠;朱汪龙;刘燕 -专利权人：无锡艾立德智能科技有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，采用导电聚合物薄膜或掺杂导电聚合物薄膜作为焦平面阵列微桥单元中与桥面层的氧化钒或掺杂氧化钒热敏薄膜接触的引出电极，实现微桥单元中热敏薄膜与桥柱的电学连通。桥腿复合结构由上、下层SiNx薄膜层以及中间的导电聚合物薄膜层或掺杂导电聚合物薄膜层三层膜系构成。本发明采用热导率低的导电聚合物薄膜或掺杂导电聚合物薄膜作为电极材料，有利于降低微桥单元桥腿的热导率，降低引出电极的制造成本，而且可保证微桥结构制备与MEMS工艺良好的工艺兼容性。且本发明的桥腿复合结构中增设一桥腿吸收结构，有助于降低桥面的热量流失速率，提高焦平面阵列器件的灵敏度。
一种平面阵列单元复合结构

[实用新型]一种焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构-CN201520651853.1有效
发明人：王涛;韦良忠;朱汪龙;刘燕 -专利权人：无锡艾立德智能科技有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构，采用导电聚合物薄膜或掺杂导电聚合物薄膜作为焦平面阵列微桥单元中与桥面层的氧化钒或掺杂氧化钒热敏薄膜接触的引出电极，实现微桥单元中热敏薄膜与桥柱的电学连通。桥腿复合结构由上、下层SiNx薄膜层以及中间的导电聚合物薄膜层或掺杂导电聚合物薄膜层三层膜系构成。本实用新型采用热导率低的导电聚合物薄膜或掺杂导电聚合物薄膜作为电极材料，有利于降低微桥单元桥腿的热导率，降低引出电极的制造成本，而且可保证微桥结构制备与MEMS工艺良好的工艺兼容性。且本实用新型的桥腿复合结构中增设一桥腿吸收结构，有助于降低桥面的热量流失速率，提高焦平面阵列器件的灵敏度。
一种平面阵列单元复合结构

[发明专利]一种薄膜微桥结构及其制作方法-CN200410061385.9无效
发明人：黄光;王宏臣;陈四海;何少伟;付小朝;易新建;马宏 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜微桥结构及其制作方法。其桥腿与桥面采用氧化硅和氮化硅复合薄膜制成，均位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔。其步骤包括：在衬底表面旋涂光敏聚酰亚胺薄膜，再进行光刻处理，形成孤岛和桥墩孔，再进行亚胺化处理；用金属填充桥墩孔；再在孤岛和金属桥墩上依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜，形成复合薄膜层；在复合薄膜层上光刻出微桥结构图形，刻蚀至聚酰亚胺薄膜层，形成桥面和桥腿图形，并去除桥面和桥腿图形底部的聚酰亚胺薄膜，形成微桥结构。本发明解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题，并获得了具有较低应力的复合薄膜。
一种薄膜结构及其制作方法

[发明专利]介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥和点火桥阵列-CN201110167773.5有效
发明人：朱朋;沈瑞琪;叶迎华;胡艳;吴立志;周翔 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C06C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥和点火桥阵列，点火桥桥体由上电极、下电极和电介质层叠加而成，两层尺寸相同方向相反的金属薄膜分别作为上电极和下电极，与上电极金属薄膜尺寸、方向都相同的Al/CuO复合薄膜层夹在两层金属薄膜之间作为电介质层，Al/CuO复合薄膜层的一部分覆盖叠加在下电极金属薄膜上，上电极金属薄膜完全覆盖叠加在Al/CuO复合薄膜层上。以介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥为基础单元的点火阵列，用Au金属薄膜或Cu金属薄膜制作成引线连接若干介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥排列成点火阵列。
介电式 al cuo 复合薄膜含能电点火阵列

[实用新型]介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥和点火桥阵列-CN201120210902.X无效
发明人：朱朋;沈瑞琪;叶迎华;胡艳;吴立志;周翔 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C06C5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥和点火桥阵列，点火桥桥体由上电极、下电极和电介质层叠加而成，两层尺寸相同方向相反的金属薄膜分别作为上电极和下电极，与上电极金属薄膜尺寸、方向都相同的Al/CuO复合薄膜层夹在两层金属薄膜之间作为电介质层，Al/CuO复合薄膜层的一部分覆盖叠加在下电极金属薄膜上，上电极金属薄膜完全覆盖叠加在Al/CuO复合薄膜层上。以介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥为基础单元的点火阵列，用Au金属薄膜或Cu金属薄膜制作成引线连接若干介电式Al/CuO复合薄膜含能电点火桥排列成点火阵列。
介电式 al cuo 复合薄膜含能电点火阵列

[发明专利]基于多孔硅复合含能薄膜-含能半导体桥双元结构的自毁芯片-CN202210452159.1在审
发明人：胡艳;李启铭;宿佳鑫;沈瑞琪;叶迎华 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06F21/79 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用多孔硅复合含能薄膜‑含能半导体桥双元结构的自毁芯片的结构装置，包括含能半导体桥、多孔硅复合含能薄膜毁伤区、功能芯片。其中含能半导体桥部分包括硅基底、SiO2绝缘层、重掺杂多晶硅半导体桥、金薄膜、复合含能薄膜。金薄膜作为引线连接恒压源和多晶硅点火桥，当通以适当电压时，重掺杂多晶硅半导体桥发生电爆激发上层复合含能膜；多孔硅复合含能薄膜毁伤区包括单晶硅片基底、金属桥箔、多孔硅复合含能薄膜。下层的含能半导体桥同上层的多孔硅复合含能薄膜同时发生作用，多孔硅复合含能薄膜使整个结构的能量进一步增大，达到可靠毁伤最上层功能芯片的目的。该装置结构简单，制备工艺方便，能够达到自毁功能芯片的作用。
基于多孔复合薄膜半导体桥双元结构自毁芯片

[发明专利]高温超导薄膜纳米桥结制备方法-CN201710531385.8在审
发明人：芦佳;颜雷;丁洪 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明涉及高温超导薄膜纳米桥结制备方法。根据一实施例，一种制备高温超导薄膜纳米桥结的方法可包括提供掩模板，所述掩模板具有用于定义将要形成的高温超导薄膜纳米桥结的形状的开口图案；用所述掩模板覆盖衬底；在所述掩模板上沉积高温超导材料的薄膜；移除所述掩模板，从而得到形成在所述衬底上的、具有所述掩模板的开口图案定义的形状的高温超导薄膜纳米桥结；以及对所述高温超导薄膜纳米桥结进行微加工处理以获得所需的桥宽度。
高温超导薄膜纳米制备方法

[发明专利]一种高能量转换率复合含能薄膜桥-CN201710506529.4有效
发明人：蒋洪川;张宇新;赵晓辉;闫裔超;邓新武;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C06C5/06 文献下载
摘要：本发明属于火工品领域，具体涉及一种高能量转换率复合含能薄膜桥。该高能量转换率复合含能薄膜桥(爆炸箔)，从下至上依次包括基片、金属膜桥和含能薄膜层，还包括聚四氟乙烯PTFE薄膜层和二个电极焊盘。金属膜桥设置在基片之上，其上方直接接触的为一聚四氟乙烯薄膜层；含能薄膜层最少一层，且与金属膜桥不直接接触；聚四氟乙烯薄膜层最少一层，位于金属膜桥上方，不同聚四氟乙烯薄膜层之间不直接接触，结构上通过含能薄膜层隔开；二个电极焊盘分别与聚四氟乙烯薄膜层和含能薄膜层两端实现电接触，置于金属膜桥之上。
一种高能量转换率复合薄膜

[发明专利]一种以聚酰亚胺为机械载体的薄膜微桥结构及制备方法-CN200810110531.0无效
发明人：陈学康;余荣;杨建平;曹生珠;吴敢;王瑞 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以聚酰亚胺为机械载体的薄膜微桥结构及制备方法，属于微机电技术领域。本发明以聚酰亚胺树脂固化膜作为热敏薄膜的支撑材料，以打过孔的成品聚酰亚胺膜作为微桥的基板，形成悬空的微桥结构，在已经打过孔的聚酰亚胺基板上粘贴聚酰亚胺树脂固化膜，随后在聚酰亚胺树脂固化膜上制备热敏薄膜，并刻蚀微桥图形，得到悬空的微桥结构：桥墩由成品聚酰亚胺膜制成，桥面是由聚酰亚胺树脂固化膜支撑的热敏薄膜。本发明解决了薄膜微桥的机械载体热导率较高的问题。
一种聚酰亚胺机械载体薄膜结构制备方法

[发明专利]一种陶瓷电极塞式火工品桥区温度测量用薄膜传感器-CN202111635571.9有效
发明人：蒋洪川;台洪日;徐睿良;李立凯;赵晓辉;邓新武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：一种陶瓷电极塞式火工品桥区温度测量用薄膜传感器，属于薄膜温度传感器设计与集成制备技术领域。所述薄膜传感器包括自下而上依次设置的陶瓷电极塞、绝热层、薄膜热电偶敏感层、绝缘层和火工品薄膜五层结构，以及薄膜热电偶正极引线、薄膜热电偶负极引线、火工品桥区正极引线、火工品桥区负极引线四个引线。本发明采用MEMS工艺，将薄膜热电偶传感器、火工品桥区集成在陶瓷电极塞上，首次实现了火工品桥区瞬态温度的接触式测量；与传统的原子发射光谱双谱线法的非接触式测温相比，测温精度大大提升。
一种陶瓷电极塞式火工品桥区温度测量薄膜传感器

[实用新型]一种新型薄膜电路板-CN202022749306.0有效
发明人：陈洋;钱磊;朱小明;王列松 -专利权人：苏州华博电子科技有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型是一种新型薄膜电路板，包括基片、薄膜电路、绝缘层、薄膜桥；所述基片设置有所述薄膜电路；所述薄膜电路与所述薄膜桥连接，并在连接处间隔设置有所述绝缘层；所述绝缘层设置于所述薄膜电路与所述薄膜桥之间
一种新型薄膜电路板

[发明专利]具有强点火能力的含能薄膜Ni-Cr桥丝火工品的制备方法-CN202110166763.3有效
发明人：张文超;陈俊宏;俞春培;陈亚杰;杨格行;宋长坤;王嘉鑫;刘佳琪;邬润辉;先明春 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： F42C19/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有强点火能力的含能薄膜Ni‑Cr桥丝火工品的制备方法。所述的含能薄膜Ni‑Cr桥丝火工品是采用组装的方式将负载叠氮亚铜的含能薄膜与Ni‑Cr桥丝火工品集成得到，具体是在导电碳骨架上电化学沉积铜源，经过液‑固叠氮法得到叠氮亚铜薄膜，利用桥丝火工品压帽将裁剪好的叠氮亚铜薄膜和桥丝火工品集成固定本发明方法简单高效，含能薄膜上的叠氮亚铜均匀分布在碳纤维上，集成后的Ni‑Cr桥丝火工品通过负载叠氮亚铜薄膜能够在点火过程中产生高温复合火焰，提高了Ni‑Cr桥丝火工品的输出能量，增强了对二级装药的点火能力
具有点火能力薄膜 ni cr 桥丝火工品制备方法

[发明专利]金属薄膜微桥的制造方法及其力学特性测试方法-CN200410018009.1无效
发明人：周勇;杨春生;陈吉安;丁桂甫;王明军 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2004-04-29 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：一种金属薄膜微桥的制造方法及其力学特性测试方法，用于薄膜技术领域。制造方法如下：首先采用光刻和刻蚀形成光刻对准符号和硅刻蚀窗口，套刻符号作为曝光时双面对准符号，保证套刻精度，然后采用溅射方法制备底层，通过光刻在硅片上形成电镀金属薄膜微桥光刻胶图形，其次采用电镀技术电镀金属薄膜微桥，采用物理刻蚀去除底层，最后采用夹具保护、用硅的湿法刻蚀技术去除金属薄膜微桥下面的硅衬底材料。测试方法：在微桥中心放置一刚性压条，保证在微桥中心位置施加一线性载荷，用纳米压痕仪进行微桥加载/卸载曲线测量，其压头为Berkovich三棱锥压头，采用微桥理论模型分析实验测得的加载和卸载曲线，得到薄膜的杨氏模量和残余应力
金属薄膜制造方法及其力学特性测试

[发明专利]一种复合含能薄膜半导体桥-CN202010912877.3在审
发明人：张威;邓有杞;张良 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： F42B3/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合含能薄膜半导体桥，包括基底、位于基底上表面的绝热层、位于绝热层上表面的半导体桥区、位于桥区两端的电极、位于桥区上表面的绝缘层和位于绝缘层上表面的复合含能薄膜层，复合含能薄膜层通过磁控溅射沉积于绝缘层表面本发明提供的复合含能薄膜半导体桥，相比于传统的半导体桥，将磁控溅射淀积形成的复合含能薄膜层，取代了传统半导体桥的第一级人工涂敷引爆药，更可控、且安全，在能量方面，本发明选择的B/Ti材料在质量能量密度方面高于一般的复合含能薄膜，更利于能量的转换，点火能力强，同时可实现隔离点火，药剂与含能桥之间有一定的间隙空腔，在这个空腔点火通道中实现基于MEMS的微安保系统，实现智能化。
一种复合薄膜半导体

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