“薄膜底层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果408276个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种WC硬质合金薄膜及其梯度层技术室温制备方法-CN201711431282.0有效
发明人：吕建国;胡睿 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种WC硬质合金薄膜，在基底上，依次包括W底层、W‑WC梯度层、WC顶层；其中W底层为缓冲层；W‑WC梯度层为组分渐变过渡层；WC顶层为晶态WC薄膜，其X射线衍射峰为（100）峰，具有六方相结构，其W:C的原子百分比为51.8:48.2；所述WC硬质合金薄膜的显微硬度高于24GPa，与基底的附着力高于35N。本发明还公开了制备上述WC硬质合金薄膜的方法，采用直流磁控溅射方法，先在衬底上沉积W薄膜为底层薄膜作为缓冲层；然后在W底层薄膜上室温生长W‑WC梯度层薄膜；最后在W‑WC梯度层薄膜生长完成后，在其上室温生长WC薄膜，该WC薄膜即为顶层薄膜。本发明利用W‑WC梯度层技术，结合W缓冲层技术和等离子体增强技术，有效提高了室温生长WC薄膜质量。
薄膜梯度层硬质合金顶层底层薄膜缓冲层基底生长附着力等离子体增强缓冲层技术六方相结构原子百分比薄膜生长采用直流磁控溅射室温制备显微硬度组分渐变过渡层沉积衬底晶态制备

[发明专利]磁敏感薄膜转移方法和磁敏感器件-CN202211595487.3在审
发明人：田兵;李鹏;骆柏锋;吕前程;尹旭;张佳明;林跃欢;刘胜荣;王志明;韦杰;谭则杰;陈仁泽 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N52/01 文献下载
摘要：本申请涉及一种磁敏感薄膜转移方法、装置、计算机设备、存储介质、计算机程序产品和磁敏感器件。所述方法包括：在第一衬底层上生长氧化物外延磁敏感薄膜层，氧化物外延磁敏感薄膜层依次包括牺牲层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层；将第二衬底层与第二保护层结合；通过准分子激光辐照破坏牺牲层，以使得第二衬底层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层所形成的第一结构与第一衬底层分离。整个磁敏感薄膜转移过程，基于第一衬底层，生长包含牺牲层的氧化物外延磁敏感薄膜层，通过激光辐照破坏牺牲层，使得第二衬底层、第一保护层、磁敏感功能层和第二保护层所形成的第一结构与第一衬底层分离，采用本方法能够实现可靠的磁敏感薄膜转移
敏感薄膜转移方法器件

[发明专利]一种红外波段极化不敏感的宽带超材料吸波器-CN201810323456.X在审
发明人：胡丹;王红燕;朱巧芬 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2018-04-06 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：该超材料吸波器由多个吸波器单元构成，吸波器单元由自下而上依次设置的底层金属薄膜1，中间损耗介质层2和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜1、中间损耗介质层2和顶层金属薄膜之间相互贴合。所述底层金属薄膜1是全金属薄膜，顶层金属薄膜是圆环31、圆环32和圆环33组成，圆环31的几何中心、圆环32的几何中心、圆环33的几何中心、中间损耗介质层2的几何中心以及底层金属薄膜1的几何中心在一条直线上
圆环几何中心底层金属薄膜超材料吸波顶层金属薄膜极化不敏感损耗介质吸波器单元红外波段宽带全金属薄膜高吸收率工程应用依次设置宽波贴合

[发明专利]一种太赫兹波段极化不敏感的五频带超材料吸波器-CN201711359942.9在审
发明人：胡丹;王红燕;朱巧芬 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2017-12-10 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：该超材料吸波器由多个吸波器单元构成，吸波器单元由自下而上依次设置的底层金属薄膜1，中间损耗介质层2和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜1、中间损耗介质层2和顶层金属薄膜之间相互贴合。所述底层金属薄膜1是全金属薄膜，顶层金属薄膜是圆环31和圆环32组成，圆环31的几何中心、圆环32的几何中心、中间损耗介质层2的几何中心以及底层金属薄膜1的几何中心在一条直线上。
一种赫兹波段极化敏感频带材料吸波器

[发明专利]一种石墨烯可调的双频带超材料吸收器-CN201911264479.9在审
发明人：胡丹;王红燕;张进峰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：该超材料吸收器由多个吸收器单元构成，吸收器单元由自下而上依次设置的底层金属薄膜(1)，中间介质层(2)和顶层石墨烯薄膜(3)组成，底层金属薄膜(1)、中间介质层(2)和顶层石墨烯薄膜(3)之间相互贴合。所述底层金属薄膜(1)是全金属薄膜，顶层石墨烯薄膜(3)是图案化的单层石墨烯，图案化的单层石墨烯的几何中心、中间介质层(2)的几何中心以及底层金属薄膜(1)的几何中心在一条直线上。
一种石墨可调双频材料吸收

[发明专利]量子点薄膜及电子器件-CN202211234195.7在审
发明人：章泽 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点薄膜及电子器件，所述量子点薄膜包括：第一基底层、第二基底层和夹设于所述第一基底层和第二基底层之间的量子点层；反光层，位于所述量子点薄膜的侧边且覆盖所述量子点层的侧壁，所述反光层的反射面朝向所述量子点层，所述反光层的宽度大于所述量子点层的厚度且小于等于所述量子点薄膜的厚度；所述反光层的宽度为所述量子点薄膜的厚度方向上的尺寸大小。本发明通过在量子点薄膜的侧边设置反光层，提高了量子点薄膜的边缘亮度，改善了量子点薄膜边缘失效的问题，提升了电子器件的画面品味及整体亮度均一性。
量子薄膜电子器件

[发明专利]一种双频超材料吸波体-CN201510054449.0有效
发明人：周凯;田春胜;由丽;管有林 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明提供的是一种双频超材料吸波体，由自下而上依次设置的底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜之间相互贴合，所述底层金属薄膜是全金属薄膜，顶层金属薄膜包括金属圆环和位于金属圆环内的金属方环组成，金属圆环的中心和金属方环的中心与中间损耗介质层的中心以及底层金属薄膜的中心在一条直线上，且金属方环的四个角分别正对于中间损耗介质层的四个边的中点。
一种双频材料吸波体

[实用新型]一种双频超材料吸波体-CN201520074184.6有效
发明人：周凯;田春胜;由丽;管有林 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本实用新型提供的是一种双频超材料吸波体，由自下而上依次设置的底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜之间相互贴合，所述底层金属薄膜是全金属薄膜，顶层金属薄膜包括金属圆环和位于金属圆环内的金属方环组成，金属圆环的中心和金属方环的中心与中间损耗介质层的中心以及底层金属薄膜的中心在一条直线上，且金属方环的四个角分别正对于中间损耗介质层的四个边的中点。
一种双频材料吸波体

[实用新型]一种太赫兹波段极化不敏感的五频带超材料吸波器-CN201721777276.6有效
发明人：胡丹;王红燕;朱巧芬 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2017-12-10 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：该超材料吸波器由多个吸波器单元构成，吸波器单元由自下而上依次设置的底层金属薄膜1，中间损耗介质层2和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜1、中间损耗介质层2和顶层金属薄膜之间相互贴合。所述底层金属薄膜1是全金属薄膜，顶层金属薄膜是圆环31和圆环32组成，圆环31的几何中心、圆环32的几何中心、中间损耗介质层2的几何中心以及底层金属薄膜1的几何中心在一条直线上。
底层金属薄膜几何中心超材料吸波圆环顶层金属薄膜极化不敏感损耗介质本实用新型太赫兹波段吸波器单元全金属薄膜高吸收率工程应用依次设置峰值点贴合吸收

[实用新型]一种红外波段极化不敏感的宽带超材料吸波器-CN201820520370.1有效
发明人：胡丹;王红燕;朱巧芬 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2018-04-06 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：该超材料吸波器由多个吸波器单元构成，吸波器单元由自下而上依次设置的底层金属薄膜1，中间损耗介质层2和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜1、中间损耗介质层2和顶层金属薄膜之间相互贴合。所述底层金属薄膜1是全金属薄膜，顶层金属薄膜是圆环31、圆环32和圆环33组成，圆环31的几何中心、圆环32的几何中心、圆环33的几何中心、中间损耗介质层2的几何中心以及底层金属薄膜1的几何中心在一条直线上
圆环几何中心底层金属薄膜超材料吸波顶层金属薄膜极化不敏感损耗介质本实用新型吸波器单元红外波段宽带全金属薄膜高吸收率工程应用依次设置宽波贴合

[实用新型]一种石墨烯可调的双频带超材料吸收器-CN201922216172.3有效
发明人：胡丹;王红燕;张进峰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：该超材料吸收器由多个吸收器单元构成，吸收器单元由自下而上依次设置的底层金属薄膜(1)，中间介质层(2)和顶层石墨烯薄膜(3)组成，底层金属薄膜(1)、中间介质层(2)和顶层石墨烯薄膜(3)之间相互贴合。所述底层金属薄膜(1)是全金属薄膜，顶层石墨烯薄膜(3)是图案化的单层石墨烯，图案化的单层石墨烯的几何中心、中间介质层(2)的几何中心以及底层金属薄膜(1)的几何中心在一条直线上。
一种石墨可调双频材料吸收

[发明专利]一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件-CN202011119370.9有效
发明人：王金翠;张秀全;张涛;刘桂银;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本申请公开一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件，方法包括：在基底层顶表面形成与目标薄膜图案相同的图案保护层，以及裸露区；对裸露区表面处理，使裸露区的表面粗糙度大于或等于0.5nm；去除图案保护层，得到处理后的基底层，利用离子注入法和键合分离法，在处理后的基底层顶表面形成具有目标薄膜图案的图案薄膜层。本申请通过在薄膜层与处理后的基底层键合分离时，由于裸露区和键合区的粗糙度不同，而在粗糙度较小的键合区上形成具有目标薄膜图案的图案薄膜层。与现有技术相比，本申请提供的制备方法，能够在基底层上制备出图案表面完好的图案薄膜层，从而能够保证应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等。
一种具有图案薄膜合体制备方法电子器件

[发明专利]光学用聚酯薄膜-CN200410045143.0有效
发明人：金相弼;全海尚;李文馥;姜昌远 -专利权人：东丽世韩有限公司
申请日： 2004-04-05 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： G02B1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚酯薄膜，包含由双轴拉伸聚酯制成的基底层以及用粘结树脂粘附到基底层至少一个表面上的底涂层，基底层包括平均直径为0.03至0.50μm的微粒填料，并且基底层还包括平均直径为1.0至10.0μm本发明的薄膜具有良好的操作性和抗划性，同时保持高透明度，通过改善薄膜拉伸能力还具有良好的平整性。该薄膜适用于显示器领域。
光学聚酯薄膜

[实用新型]液体包装用亚光塑料薄膜-CN98223622.0无效
发明人：朱万强 -专利权人：平湖塑料厂
申请日： 1998-03-30 - 公布日： 1999-06-02 - 主分类号： B29D9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液体包装用亚光塑料薄膜,含有薄膜层,在该薄膜层上覆有一层带亚光的表面层,该表面层为聚烯烃和消光材料的混合物层。表面层也可以是呈现亚光的油墨层。薄膜层包括次底层和底层,次底层和底层均为高密度聚乙烯和线形聚乙烯的混合物层。本实用新型由于具有摹仿纸质的表观,因而本实用新型非常适宜用于制作液体食品包装袋。
液体包装亚光塑料薄膜

[发明专利]一种PVC人造革刮涂料及采用该刮涂料制备PVC人造革的方法-CN201210563296.9无效
发明人：刘宝;马兴元 -专利权人：河南宝隆实业有限公司
申请日： 2012-12-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： D06N3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于压延刮涂法的PVC人造革生产方法，首先将待发泡底层进行压延得到底层薄膜，然后通过刮涂机将配制好的刮涂料刮涂在底层薄膜上，得到带有面层浆料的底层薄膜，最后将纺织布和带有面层浆料的底层薄膜利用热压发泡机进行热压复合，在热压复合的同时完成底层的发泡、面层的塑化和压花过程。与常规的压延底层，压延面层，然后再复合的工艺相比，本发明省掉了面层的压延过程，在生产类型、同等质量的PVC合成革时，产能提高产能约30%，降低能耗约30%；在热压复合过程将面层的塑化、底层发泡和压花合为一个工序
一种 pvc 人造革涂料采用制备方法