专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2604506个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]用于折叠柔性零件的方法/装置-CN01820716.2无效
  • N·刘 - 西加特技术有限责任公司
  • 2001-12-19 - 2004-03-10 - G11B5/60
  • 本发明涉及用于折叠诸如盘驱动器中的悬架或迹线悬架组件上的柔性线路的尾部之类的零件的方法和装置。该方法包括固定零件的一部分,然后在零件处引导流体,以相对于零件的固定部分弯曲零件的固定部分。该装置包括一用来固定零件的固定器和定位在固定器附近的流体喷射器,其在零件处引导流体,以使流体相对于固定器弯曲零件。本发明的方法和装置远比手工折叠零件显得更为有效,并且在折叠操作过程中,消除在零件和移动工具之间的任何有害接触。
  • 用于折叠柔性零件方法装置
  • [实用新型]显示器的基座-CN00203390.9无效
  • 萧志宏;邱建文 - 伦飞电脑实业股份有限公司
  • 2000-03-24 - 2000-12-20 - G06F3/153
  • 一种显示器的基座,包括一固定底座、一旋转圆盘以及至少一卡扣元件。其中固定底座上具有一圆形容置槽,放置旋转圆盘。旋转圆盘与显示装置的支撑架结合,带动一角度旋转,使显示屏幕作左右旋转调整。加上连接在旋转圆盘上若干卡扣元件,当在与支撑架结合时,会卡紧旋转圆盘使其无法做角度旋转,来避免显示屏幕与基座的卡勾确实扣锁,所造成反复损坏情形。
  • 显示器基座
  • [外观设计]感温口罩(爱心发射)-CN202230506544.0有效
  • 时友龙;程胜;晋静 - 芜湖福派卫生用品有限公司
  • 2022-08-04 - 2022-11-18 - 29-02
  • 5.本外观设计产品为产品,省略左视图;本外观设计产品为产品,省略右视图;本外观设计产品为产品,省略俯视图;本外观设计产品为产品,省略仰视图;本外观设计产品为产品,省略立体图。6.此款口罩在使用状态下呈现爱心状态,佩戴后,呼气温度升高爱心就会消失,吸气温度下降爱心会再次出现,使用状态主视图和使用状态后视图为温度下降后的产品图。
  • 口罩爱心发射
  • [发明专利]半导体装置-CN00807221.3无效
  • 横川俊哉;高桥邦方;楠本修;北畠真;上野山雄 - 松下电器产业株式会社
  • 2000-11-20 - 2002-05-15 - H01L29/872
  • 在SiC、GaN、GaAs等的衬底3上,交互、叠层生长厚度50nm左右的掺杂层22和厚度到能发挥量子效应程度(例如10nm左右)的n掺杂层23、形成有源区30。因n掺杂层23的量子效应产生的次能级使载流子能分布到掺杂层22上,由于在杂质少的掺杂层22中杂质散射减少,能够得到高的载流子迁移率,与此同时,当有源区全体耗尽化时,利用载流子从有源区30消失的现象,因掺杂层22能够得到大的耐压值。
  • 半导体装置
  • [发明专利]一种玻璃化学减方法-CN202110384845.5在审
  • 郑资来;谢鹏飞;林康裔;许梓木 - 惠州市清洋实业有限公司
  • 2021-04-09 - 2021-06-01 - C03C15/00
  • 本发明公开了一种玻璃化学减方法,属于玻璃加工技术领域,本发明的玻璃化学减方法为200‑400μm的玻璃,除去表面油脂,再用清水冲洗2‑3次,自然风干;然后将的玻璃置于操作台上,将防酸膜密封贴附在所述的玻璃的边缘;最后将酸性刻蚀液装入水刀中,然后将步骤二中贴附有防酸膜的的玻璃从水刀的入料口进行投料减处理,直至完全进入后继续投入第二个贴附有防酸膜的的玻璃。
  • 一种玻璃化学方法
  • [发明专利]含扩散缓冲层的新A P D制造方法-CN201010617670.X无效
  • 林蔚;王永升 - 联亚光电工业股份有限公司
  • 2010-12-31 - 2012-07-04 - H01L31/18
  • 本发明有关一种含扩散缓冲层的新APD(Avalanche Pho to Diodes)制造方法,该APD的基本晶膜结构包含N基板、N缓冲层、i光吸收层、i渐变层、N场控层、i光倍增层、i金属接触层所组成,其中本发明于扩散的i金属接触层上方成长二元(磷化铟InP)或四元(砷磷化铟镓InGaAsP)半导体层,经黄光制程开孔后将部分半导体层材料蚀刻掉,由于i金属接触层上方部分含有半导体层,使开孔后欲进行P扩散材料与厚度不同,进而于基本晶膜内形成扩散深度不一的效果,使之减少至少一次的芯片整体制作流程,藉以节省成本与提高良率。
  • 扩散缓冲制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top