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[发明专利]一种LC-VCO的仿真方法及系统-CN201510214130.X有效
发明人：王海永;霍允杰;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种LC‑VCO的仿真方法，包括：分别获得LC‑VCO仿真器模型的NMOS器件和PMOS器件的跨导效率g_m/I_d与器件参数的关系曲线；设定初始跨导效率(g_m/I_d)₀；根据关系曲线，获得NMOS器件在(g_m/I_d)₀+△n下的N器件电性参数值，获得PMOS器件在(g_m/I_d)₀‑△n下的P器件电性参数值；分别获得N器件电性参数值和P器件电性参数值下的器件参数值；以所述器件参数值进行电路等效模型的仿真，获得仿真结果；判断是否进行迭代。该方法使得低频偏处的相位噪声获得最优值，从而改善低频偏出的相位噪声。
一种 lc vco 仿真方法系统

[发明专利]一种通过改变沟道掺杂浓度来抑制器件NBTI退化的方法-CN201510223301.5有效
发明人：曹建民;孙瑞泽 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过改变沟道掺杂浓度来抑制pMOS器件NBTI退化的方法，包括(1)根据功函数差Vms获得器件的平带电压VFB；并通过选择不同功函数的金属栅材料，获得不同平带电压随着掺杂浓度Nd的变化关系；(2)根据平带电压VFB获得不同平带电压下器件阈值电压Vth随沟道掺杂浓度Nd的变化关系；(3)当器件阈值电压为工作电压的1/4‑1/5时，获得不同平带电压时器件的掺杂浓度Nd；(4)获得不同平带电压、不同掺杂浓度且相同阈值电压时器件NBTI退化程度；(5)判断器件NBTI退化程度是否满足实际需求，若是，则抑制了器件NBTI的退化；若否，则选择不同功函数的金属栅材料并返回至步骤(1)。本发明通过改变沟道掺杂浓度对器件NBTI退化进行了抑制，抑制效果显著。
一种通过改变沟道掺杂浓度抑制器件 nbti 退化方法

[发明专利]一种电子元器件温度控制方法及装置-CN201810046697.4在审
发明人：王博 -专利权人：深圳市普威技术有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元器件温度控制方法，包括：获得电子元器件的当前元器件温度；根据所述当前元器件温度，获得当前温补系数；其中，所述当前温补系数为预先获得的与所述当前元器件温度相对应的所述电子元器件的功率变化率；根据所述当前温补系数，对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。相应地，本发明还公开了一种电子元器件温度控制装置。采用本发明的技术方案能够提高对电子元器件的元器件温度进行控制的及时性，从而提高电子元器件性能的稳定性。
电子元器件元器件电子元器件性能温度控制装置功率变化率

[发明专利]获取阻变器件导电通道分布的方法-CN202310263816.2在审
发明人：吴华强;孙雯;高滨;唐建石 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请公开了获取阻变器件导电通道分布的方法，该方法包括提供阻变器件，该器件具有多个阵列排布的阻变器件单元；调控阻变器件的外界电压，剥离第一阵列电极层和/或第二阵列电极层暴露阻变层，获得不同阻态的待测阻变器件单元；扫描不同阻态的待测阻变器件单元的阻变层的表面信息，以获得不同阻态的待测阻变器件单元的电流分布；对阻变层进行平面取样，获得待测平面；令待测平面沿轴向旋转，扫描待测平面多个不同角度的结构信，对结构信息二维数据集进行三维重构，获得不同阻态的待测阻变器件单元的微观结构三维分布。由此，可以获得阵列级别阻变器件导电通道的电流分布与导电通道的微观结构的三维分布之间的对应关系。
获取器件导电通道分布方法

[发明专利]一种电子器件结温的测量方法和装置-CN201810739764.0在审
发明人：吕贤亮;黄东巍;麻力;孙明;任翔 -专利权人：中国电子技术标准化研究院
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种电子器件结温的测量方法和装置，属于半导体器件结温测量技术领域。主要利用了器件内部气氛随温度变化膨胀而导致器件盖板形变的原理来获得器件内部的结温。首先对非工作情况下的器件进行加热，同时通过一台激光干涉仪监测器件盖板在各温度点下的形变情况，从而获得加热温度(器件结温)与器件盖板形变的一一对应关系；然后在器件工作情况下对其盖板的形变情况进行监测，并对比非工作情况下器件盖板的形变，进而获得可获得器件的结温。本方法可以对分立器件、集成电路等器件的结温进行有效测量，相对于现有的结温测量方法有其独特的优势，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
结温形变器件盖板方法和装置电子器件获得器件测量盖板加热测量技术领域一一对应关系半导体器件激光干涉仪分立器件监测器件有效测量器件结温度点集成电路膨胀监测

[实用新型]一种电子器件结温的测量装置-CN201821070799.1有效
发明人：吕贤亮;麻力;孙明;任翔 -专利权人：中国电子技术标准化研究院
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种用于测量电子器件结温的装置，属于半导体器件结温测量技术领域。主要利用了器件内部气氛随温度变化膨胀而导致器件盖板形变的原理来获得器件内部的结温。首先对非工作情况下的器件进行加热，同时通过一台激光干涉仪监测器件盖板在各温度点下的形变情况，从而获得加热温度(器件结温)与器件盖板形变的一一对应关系；然后在器件工作情况下对其盖板的形变情况进行监测，并对比非工作情况下器件盖板的形变，进而获得可获得器件的结温。本方法可以对分立器件、集成电路等器件的结温进行有效测量，相对于现有的结温测量方法有其独特的优势，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
结温形变器件盖板获得器件盖板加热测量电子器件测量技术领域一一对应关系半导体器件激光干涉仪测量装置电子器件分立器件监测器件有效测量器件结温度点集成电路测量膨胀监测

[发明专利]焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法、焊接方法-CN201410529818.2在审
发明人：董少华;朱阳军;苏江 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种焊接层质量对半导体器件性能影响的研究方法，包括：建立半导体器件模型，包括：基板、芯片以及位于基板与芯片之间的焊接层；固定焊接层的空洞位置，改变空洞率，获得焊接层中的空洞率对半导体器件温度的影响；固定焊接层中的空洞率，改变空洞的位置，获得焊接层中的空洞位置对半导体器件温度和应力分布的影响；固定焊接层的空洞率和空洞位置，改变焊接层的厚度，获得焊接层的厚度对所述半导体器件温度和应力分布的影响；获得焊接层质量对半导体器件的性能影响的研究结果定量地分析了焊接层中空洞率、空洞分布及焊接层厚度对半导体器件的温度和应力分布影响，获得焊接层质量对半导体器件的性能影响的研究结果。
焊接质量半导体器件性能影响研究方法

[发明专利]一种测验器件抗质子单粒子效应能力的方法-CN201210359573.4有效
发明人：王群勇;冯颖;阳辉;陈冬梅;刘燕芳;白桦;陈宇 -专利权人：北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01R31/303 文献下载
摘要：本发明提供一种测验器件抗质子单粒子效应能力的方法。包括以下步骤：第一步准备待测验器件；第二步进行质子诱发的单粒子翻转检测SEU，获得器件位的翻转情况；第三步进行质子诱发的单粒子闩锁检测SEL，获得器件的电流和功耗；第四步根据所述翻转数据和器件的电流和功耗进行试验数据的处理分析，获得器件的抗质子单粒子效应能力。采用该方法可以更真实有效地模拟出空间辐射环境对宇航用半导体器件的单粒子效应，准确灵敏的获得器件的抗质子单粒子效应能力。
一种测验器件质子粒子效应能力方法

[发明专利]封装器件的失效定位方法-CN202210344354.2在审
发明人：倪毅强;石高明;张志鑫;杨施政;何亮 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种封装器件的失效定位方法。封装器件的失效定位方法包括：获取未失效封装器件的参考信号；所述参考信号包括所述未失效封装器件的时域信号；获取失效封装器件的测量信号；所述测量信号包括所述失效封装器件的时域信号；对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置。本发明所述的封装器件的失效定位方法，分别获得未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，并通过对比未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，可以快速获得失效封装器件的精确失效位置，极大地节省了研发人员测试失效位置的时间，帮助提升企业研发竞争力，为后续开展先进封装器件失效分析定位工作提供参考。
封装器件失效定位方法

[发明专利]UPS设备器件寿命预测方法、设备及计算机可读存储介质-CN202111616551.7在审
发明人：谢力华;陈厚岩 -专利权人：深圳市伊力科电源有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种UPS设备器件寿命预测方法、设备及计算机可读存储介质，所述器件在所述UPS设备运行过程中通电，所述方法包括：在所述UPS设备运行过程中，以第一周期采样获得所述器件的电应力参数和温度参数；分别以n个连续的采样时刻的电应力参数和温度参数，依次计算所述器件在对应时间段的平均维护时间，n为大于或等于3的整数；根据所有时间段的平均维护时间以及所述器件在额定负载下的平均维护时间，计算获得所述器件的运行状态指数并输出，所述运行状态指数对应于所述器件的寿命。本发明根据器件在各个时间段的平均维护时间，获得器件的运行状态指数并输出，从而可准确获得器件的健康状态，便于UPS设备的维护。
ups 设备器件寿命预测方法计算机可读存储介质

[发明专利]LC-VCO的系统设计方法、装置-CN201510212617.4有效
发明人：陈岚;霍允杰;王海永 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种LC‑VCO仿真器模型，包括：NMOS器件和PMOS器件，PMOS器件的漏极与NMOS器件的漏极连接，PMOS器件的源极与直流输入端连接，NMOS器件的源极接地，NMOS器件和PMOS器件的漏极分别与栅极连接该模型具有更高的模型精度，应用于系统设计方法时，通过该模型获得器件的电性图表，进而获得器件参数，进而进行仿真性能参数的判断。
lc vco 仿真器模型系统设计方法装置

[发明专利]水平传送检验处理器-CN97120183.8无效
发明人：邦昭坂内 -专利权人：株式会社鼎新
申请日： 1997-11-18 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： G01R31/01 文献下载
摘要：水平传送检验处理器，在水平方向将被检验的IC器件传到和传离检验头。它包括器件托盘、IC插座、器件传送机构、视频数据获得装置和参考位置标志器，器件托盘用于在支座中携带多个待检验IC器件，IC通过在被检验IC器件和IC检验器间建立电气连接在两者间进行连接，器件传送机构水平和垂直移动而拾取、传送并放置IC器件，视频数据获得装置用于获得检验器表面的图象数据，参考位置标志器用于在图象数据中提供参考位置数据。
水平传送检验处理器

[发明专利]一种与总剂量辐射相关的器件建模方法-CN200910078910.0有效
发明人：王亮;岳素格;孙永姝 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天时代电子公司第七七二研究所
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种与总剂量辐射相关的器件建模方法，首先设计原始器件并对原始电子器件进行测试和模型提取获得原始器件的模型，然后对得到的原始器件分别进行不同目标累积剂量辐照并进行测试和模型提取，获得全部目标累积剂量辐照后的器件模型，最后由获得的原始器件模型和经过目标累积剂量辐照后的器件模型共同构成与总剂量辐射相关的器件模型。本发明通过对原始器件和经历不同累积剂量辐照后器件进行测试和参数提取，给出了对加固及非加固器件进行精确建模的方法，同时还将辐射剂量作为一个变量加入到器件模型中的实现方式，使得通过仿真能够准确预估电路在经历不同剂量的辐射后的性能
一种剂量辐射相关器件建模方法

[发明专利]基于极端梯度提升树算法的电子器件剩余寿命预测方法-CN202110275303.4在审
发明人：马岩;朱恒宇;张薇 -专利权人：北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：公开了一种基于极端梯度提升树算法的电子器件剩余寿命预测方法，包括：获得电子器件在相同条件下的多组老化数据；对多组老化数据进行预处理并结合电子器件失效机理获得失效变量；对预处理后的老化数据进行变量之间的互相关系数计算，获得与失效变量间关联度不小于关联阈值的特征变量；根据特征变量所对应的老化数据建立基于极端梯度提升树算法的老化模型；根据老化模型获得失效变量的预测变化值，并结合设定的失效阈值，获得电子器件的剩余寿命。本申请的电子器件剩余寿命预测方法，采用基于极端梯度提升树算法的老化模型处理电子器件特征变量所对应的老化数据，获得失效变量的预测变化值得到剩余寿命的方法，预测精度高，泛化能力强。
基于极端梯度提升算法电子器件剩余寿命预测方法

[发明专利]一种元器件的信息处理方法、装置及终端设备-CN202210015955.9在审
发明人：吴浩伟;张兴瑜;李六七;邝迎波;罗鑫 -专利权人：深圳前海硬之城信息技术有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G06Q30/02 文献下载
摘要：本发明适用于计算机技术领域，提供了一种元器件的信息处理方法、装置及终端设备，方法包括在对标平台中获取目标元器件的最低价销售阶梯数量集合，以及各个阶梯销售价，结合目标元器件的最小包装量获得基于目标元器件的第一阶梯数量集合；根据第一阶梯数量集合和目标元器件的采购价，计算获得阶梯采购价集合；根据目标元器件的类型获取目标元器件的阶梯类型，构建第一映射关系和第二映射关系，从而获取需要对标的阶梯，并根据各个阶梯销售价计算需要对标的阶梯的销售利率，在其大于预设数值时，计算对标的阶梯的销售价，获得并输出目标元器件的阶梯价值信息。通过本发明，用户可以根据阶梯价值信息，快速获得目标元器件的价值。
一种元器件信息处理方法装置终端设备

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