[发明专利]LC-VCO的系统设计方法、装置

摘要

本发明提供一种LC‑VCO仿真器模型，包括：NMOS器件和PMOS器件，PMOS器件的漏极与NMOS器件的漏极连接，PMOS器件的源极与直流输入端连接，NMOS器件的源极接地，NMOS器件和PMOS器件的漏极分别与栅极连接。该模型具有更高的模型精度，应用于系统设计方法时，通过该模型获得器件的电性图表，进而获得器件参数，进而进行仿真性能参数的判断。

主权项

1.一种LC‑VCO的系统设计方法，其特征在于，设计过程包括基本设计步骤：S101，在预定的条件下，分别获得LC‑VCO仿真器模型的NMOS器件和PMOS器件的关系曲线，关系曲线包括g_m/I_d分别与漏电流、寄生电容的变化曲线，其中，g_m为跨导，I_d为漏电流；S102，根据关系曲线，分别获得NMOS器件和PMOS器件在预定的g_m/I_d数值下的电性参数值，电性参数值包括漏电流密度和单位寄生电容；S103，获得所述电性参数值下的器件参数值；S104，获得所述器件参数值下的电路等效模型的仿真性能参数值；S105，根据所述仿真性能参数值，判断是否进行迭代，若是，重新设置预定的g_m/I_d数值，并重复步骤S102‑S105；若否，结束基本设计步骤，预定的g_m/I_d数值为基本值；还包括优化步骤：S201，对于NMOS器件，将基本值增加一变动值，根据关系曲线，获得NMOS器件在增加的基本值下的N器件电性参数值；对于PMOS器件，将基本值减小所述变动值，根据关系曲线，获得PMOS器件在减小的基本值下的P器件电性参数值；S202，获得N器件电性参数值和P器件电性参数值下的优化器件参数值；S203，获得优化器件参数值下的电路等效模型的优化仿真性能参数值；S204，根据所述优化仿真性能参数值，判断是否进行迭代，若是，重新设定变动值，并重复步骤S201‑S204；若否，结束优化步骤；其中，LC‑VCO仿真器模型包括：NMOS器件和PMOS器件，PMOS器件的漏极与NMOS器件的漏极连接，PMOS器件的源极与直流输入端连接，NMOS器件的源极接地，NMOS器件的漏极与栅极相连，PMOS器件的漏极与栅极连接。