专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于提高芯片制造良品率的AlSc靶材的制造方法-CN202110225754.7在审
  • 何建进;何凌男;陈江伟 - 苏州精美科光电材料有限公司
  • 2021-03-01 - 2021-06-11 - G16C60/00
  • 本发明涉及靶材领域,具体是一种用于提高芯片制造良品率的AlSc靶材的制造方法,利用超声波探伤仪获得铝钪靶材的内部图像,可以明确的得知铝钪靶材的内部是否具有缺陷,并采用获得缺陷处的尺寸信息和预设尺寸信息对比可以明确的获得铝钪靶材是合格品、不合格品但满足修复标准和不合格品且不满足修复标准的三种结果;通过后续的修复靶材步骤,可以对满足修复标准的不合格的铝钪靶材去除缺陷处,使得原本不合格的铝钪靶材可转变为合格品;铝钪靶材的良品率获得提高,而铝钪靶材的制造成本下降;此外,在保证了铝钪靶材的良品率的同时,相应的减少了铝钪靶材实际应用于制造芯片的工艺流程中出现打弧等现象。
  • 一种用于提高芯片制造良品率alsc方法
  • [发明专利]光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法-CN202011257944.9在审
  • 夏军;白世杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-11-11 - 2022-05-13 - H01L21/027
  • 本发明提供一种光刻胶的处理方法及自对准双图案化方法,涉及半导体技术领域,用于解决半导体结构的良品率低的技术问题。对光刻胶层进行等离子体处理,使光刻胶层硬化;通过等离子体处理使光刻胶层硬化,光刻胶层的抗变形能力增强,当以光刻胶层为掩膜对掩模材料层干法刻蚀时,光刻胶层不易发生变形,刻蚀准确性高,从而提高了半导体结构的良品率此外,等离子体处理还可以去除至少部分副产物,使得光刻胶层内的气体排出,降低光刻胶层的应力,进一步增强光刻胶层的抗变形能力,提高了半导体结构的良品率
  • 光刻处理方法对准图案

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