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[发明专利]一种肖特基二极管组件及其制造方法-CN201810447225.X在审
发明人：李亦衡;朱廷刚;张葶葶 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种肖特基二极管组件及其制造方法。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施例，可以尽可能避免肖特基二极管被反向击穿，有效提高肖特基二极管的UIS能力，有效提高肖特基二极管的可靠性。
肖特基二极管稳压二极管击穿电压反向串联反向击穿组件包括并联封装申请制造

[实用新型]一种肖特基二极管组件-CN201820699391.4有效
发明人：李亦衡;朱廷刚;张葶葶 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种肖特基二极管组件。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施例，可以尽可能避免肖特基二极管被反向击穿，有效提高肖特基二极管的UIS能力，有效提高肖特基二极管的可靠性。
肖特基二极管稳压二极管击穿电压反向串联反向击穿组件包括并联封装申请

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管芯片、电路板组件和电子设备-CN202310485922.5在审
发明人：张爱忠 -专利权人：深圳市至信微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本申请提供一种碳化硅肖特基二极管芯片、电路板组件和电子设备，该碳化硅肖特基二极管芯片所述碳化硅肖特基二极管芯片包括多个肖特基二极管单元；对于每个所述肖特基二极管单元，所述肖特基二极管单元包括：阴极金属层通过形成多个有等同的过流能力的肖特基二极管单元，存在失效点的肖特基二极管单元不影响其他肖特基二极管单元，减少碳化硅肖特基二极管芯片由于失效点完全失效的可能性。
一种碳化硅肖特基二极管芯片电路板组件电子设备

[发明专利]阳极结尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管-CN201610347783.X有效
发明人：王俊龙;冯志红;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种阳极结尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括四个以上连成一串的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结包括阳极结和阴极，所述肖特基二极管结中阳极结的长度从中间向两边逐渐递减。由于在电磁场能量较强的区域二极管阳极结尺寸较大，而电磁场能量较弱的区域二极管阳极结尺寸小，用于倍频时不易烧毁，可以改善二极管的耐用性。
阳极尺寸各异赫兹倍频肖特基二极管

[实用新型]阳极结尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管-CN201620478203.6有效
发明人：王俊龙;冯志红;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阳极结尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括四个以上连成一串的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结包括阳极结和阴极，所述肖特基二极管结中阳极结的长度从中间向两边逐渐递减。由于在电磁场能量较强的区域二极管阳极结尺寸较大，而电磁场能量较弱的区域二极管阳极结尺寸小，用于倍频时不易烧毁，可以改善二极管的耐用性。
阳极尺寸各异赫兹倍频肖特基二极管

[实用新型]贴片式双肖特基二极管-CN201020528584.7无效
发明人：陈运 -专利权人：陈运
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L25/03 文献下载
摘要：本申请公开了一种贴片式双肖特基二极管，包括第一肖特基二极管，阴极与第一肖特基二极管的阴极相连接的第二肖特基二极管；第一肖特基二极管与第二肖特基二极管封装成小外形晶体管SOT-23形式，第一端为第一肖特基二极管的阳极，第二端为第二肖特基二极管的阳极，第三端为第一肖特基二极管和第二肖特基二极管的阴极。两个二极管封装成通用SOT-23形式元件，这样，手工焊接时，芯片数量减少，从而大大节省了焊接时间，提高了焊接速度。而且，SOT-23形式的双二极管还可以通过贴芯片机全自动完成贴装焊接，不仅节省了大量的劳动力，降低了加工成本，而且提高了焊接速度、焊接质量。
贴片式双肖特基二极管

[发明专利]空气桥尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管-CN201610347835.3有效
发明人：王俊龙;冯志红;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气桥尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括四个以上连成一串的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结的阳极与阴极之间通过空气桥连接，所述肖特基二极管结中空气桥的长度从中间向两边逐渐增加。所述肖特基二极管的空气桥自中间到两端的尺寸逐渐增大，充分考虑电磁场的横向分布，用于倍频时不易烧毁，可以改善二极管的耐用性。
空气尺寸各异赫兹倍频肖特基二极管

[实用新型]空气桥尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管-CN201620478189.X有效
发明人：王俊龙;冯志红;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空气桥尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括四个以上连成一串的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结的阳极与阴极之间通过空气桥连接，所述肖特基二极管结中空气桥的长度从中间向两边逐渐增加。所述肖特基二极管的空气桥自中间到两端的尺寸逐渐增大，充分考虑电磁场的横向分布，用于倍频时不易烧毁，可以改善二极管的耐用性。
空气尺寸各异赫兹倍频肖特基二极管

[发明专利]基于梯形阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管-CN201910063365.1有效
发明人：张会云;曹茂永;李磊;孙红雨;王卓鹏;张玉萍 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于梯形阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括若干个串联连接的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结的阳极与阴极之间通过空气桥连接，所述空气桥下侧的阳极朝向与该阳极相近的阴极延伸，且阳极沿前后方向的宽度从右到左逐渐增加所述二极管可有效改善肖特基二极管的电流拥挤效应，减小功率耗散，增加倍频二极管的倍频效率。
基于梯形阳极改善电流拥挤效应赫兹肖特基二极管

[发明专利]一种优化芯片与封装制程匹配的肖特基二极管-CN201510094260.4在审
发明人：王杨;陶春晓 -专利权人：上海格好电子科技有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管；该肖特基二极管是一种将肖特基势垒芯片、切割、封装制程匹配整合优化的肖特基二极管，较传统的肖特基二极管，整体制程优化，整合了肖特基二极管制造的前、后道制程，降低了加工成本，使本发明的肖特基二极管具有竞争优势
一种优化芯片封装匹配肖特基二极管

[实用新型]一种优化芯片与封装制程匹配的肖特基二极管-CN201520124570.1有效
发明人：王杨;陶春晓 -专利权人：上海格好电子科技有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基二极管；该肖特基二极管是一种将肖特基势垒芯片、切割、封装制程匹配整合优化的肖特基二极管，较传统的肖特基二极管，整体制程优化，整合了肖特基二极管制造的前、后道制程，降低了加工成本，使本实用新型的肖特基二极管具有竞争优势。
一种优化芯片封装匹配肖特基二极管

[发明专利]一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法-CN202011161537.8有效
发明人：吴立枢;牛斌;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其步骤如下：制备完成GaAs肖特基二极管器件；将GaAs肖特基二极管器件与临时载片正面相对临时键合；将GaAs肖特基二极管器件的衬底去除，得到以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层；以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层金刚石基片进行低温介质键合集成；将金刚石基GaAs肖特基二极管器件与临时载片分离。本发明将GaAs肖特基二极管器件与金刚石基片集成得到金刚石基GaAs肖特基二极管器件，与传统石英材料基GaAs肖特基二极管器件相比，器件的散热效果得到进一步提升，有利于提高肖特基二极管太赫兹倍频器输出功率
一种金刚石 gaas 赫兹肖特基二极管集成方法

[发明专利]推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置-CN202210512768.1在审
发明人：杜国孟;蒋兴华;雒一;陈尘;陈美玲;赵小梅 -专利权人：成都麦克韦科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。
推挽式肖特基二极管倍频电路及其装置

[实用新型]推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置-CN202221133163.3有效
发明人：杜国孟;蒋兴华;雒一;陈尘;陈美玲;赵小梅 -专利权人：成都麦克韦科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。
推挽式肖特基二极管倍频电路及其装置

[发明专利]基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管-CN201910062980.0有效
发明人：张玉萍;曹茂永;孙红雨;李磊;王卓鹏;张会云 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括若干个串联连接的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结的阳极与阴极之间通过空气桥连接，所述空气桥下侧的阳极主体为圆形或矩形，且圆形或矩形阳极主体上设置有若干条向外延伸的阳极分体所述二极管可有效改善肖特基二极管的电流拥挤效应，减小功率耗散，增加倍频二极管的倍频效率。
基于分体阳极改善电流拥挤效应赫兹肖特基二极管

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