专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于二维纳米材料改性碳纤维的制备方法-CN202110810179.7在审
  • 武清;叶紫怡;白换换;邓昊;朱建锋 - 陕西科技大学
  • 2021-07-18 - 2021-09-28 - D06M11/74
  • 本发明公开了一种基于二维纳米材料改性碳纤维的制备方法,包括:首先对碳纤维进行去剂处理,其次配置二维纳米材料分散液,最后采用真空抽滤法将二维纳米材料分散液沉积在均匀铺放的碳纤维丝束表面,然后将沉积有二维纳米材料分散液的碳纤维丝束翻转180°,再次真空抽滤二维纳米材料分散液使其沉积在均匀铺放的碳纤维丝束另一表面,得到二维纳米材料改性的碳纤维。本发明的制备方法有效解决了现有碳纤维表面改性方法存在的降低纤维强度、工艺复杂、操作困难、污染环境、加工成本高等问题,制备的二维纳米材料改性的碳纤维使复合材料的界面粘结强度提高了12.3%~75.5%。
  • 一种基于二维纳米材料改性碳纤维制备方法
  • [发明专利]织物材料及其制备方法-CN201910765316.2有效
  • 张好斌;刘柳薪;于中振;陈伟 - 北京化工大学
  • 2019-08-19 - 2020-11-03 - D06M11/58
  • 本发明涉及一种织物材料及其制备方法,所述织物材料包括:基底层,以及在所述基底层的至少一侧上形成的修饰层,所述基底层包括织物层,所述修饰层含有一维纳米导电材料和二维纳米导电材料,并且所述修饰层的表面为二维纳米导电材料形成的层,所述二维纳米导电材料选自二维过渡金属碳/氮化合物。二维纳米导电材料与一维纳米导电材料在织物基底层层组装,降低纳米线的接触电阻,具有优异的电磁屏蔽性能,二维纳米导电材料在多孔织物上老化自发疏水性能及湿度响应性能赋予电子织物疏水、湿度监测功能。
  • 织物材料及其制备方法
  • [发明专利]一种实现一维纳米材料的光学可视化和/或有效标记的方法-CN201210027095.7无效
  • 张如范;魏飞;张莹莹;谢欢欢 - 清华大学
  • 2012-02-08 - 2012-07-11 - G01N21/00
  • 本发明公开了一种实现一维纳米材料的光学可视化和/或有效标记的方法。包括如下步骤:将标记物负载在所述一维纳米材料上即能实现对所述一维纳米材料的光学可视化和/或有效标记;所述标记物为氧化钛、氧化硅、氧化锡、氧化钒、氧化锆、氧化铋、氧化铌、氧化锌和氧化银中的一种或多种。本发明提供的方法与现有技术相比,可以非常容易地在光学显微镜甚至用肉眼看到单根的一维纳米材料,并且方法简单,快捷高效,成本低廉,不会影响一维纳米材料的结构,也不会影响其力学、光谱学等性质;且对一维纳米材料的表征测量、一维纳米材料的操纵、纳米器件的构筑等起到很大的辅助作用。
  • 一种实现纳米材料光学可视化有效标记方法
  • [发明专利]维纳米材料器件制造方法-CN200510033908.3有效
  • 魏洋;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2005-03-30 - 2006-10-04 - B82B3/00
  • 本发明涉及一维纳米材料器件制造方法。该方法包括:提供多个导电体,其中各导电体分别具有一个待组装的末端;提供一个安装件,其具有一用于组装一维纳米材料的导电末端;提供一含有一维纳米材料的溶液;组装一维纳米材料,包括下列分步骤:使该安装件的导电末端与一导电体的待组装的末端相对并间隔一距离,对该两末端施加一交流电压,并使该两末端共同浸入该溶液中,直到至少一根一维纳米材料组装至该两末端之间,使一维纳米材料从安装件的导电末端脱离,以得到一个装有一维纳米材料的导电体末端;对另一待组装的导电体重复上述组装一维纳米材料的步骤
  • 纳米材料器件制造方法
  • [发明专利]悬空二维纳米材料的制备方法-CN201810080247.7有效
  • 丛琳;赵伟;张金;蔡裕谦;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2018-01-27 - 2022-08-16 - B82B3/00
  • 本发明涉及一种悬空二维纳米材料的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一第一基底,所述第一基底表面形成有二维纳米材料;将一碳纳米管膜结构覆盖于所述第一基底形成有二维纳米材料的表面;用腐蚀液去除所述第一基底,将所述二维纳米材料与所述碳纳米管膜结构形成的二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构置于一清洗液清洗;提供一目标基底,所述目标基底具有至少一个通孔,利用所述目标基底从清洗液中捞起所述二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构,使所述二维纳米材料与所述目标基底贴合并覆盖所述目标基底的至少一个通孔;去除所述碳纳米管膜结构,所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面,并在所述通孔的位置悬空。
  • 悬空二维纳米材料制备方法
  • [发明专利]一种石墨相氮化碳二维纳米片膜在离子分离中的应用-CN201810940975.0有效
  • 王海辉;刘玲妃;薛健 - 华南理工大学
  • 2018-08-17 - 2021-10-26 - B01D69/06
  • 本发明属于膜分离的技术领域,公开了一种石墨相氮化碳二维纳米片膜在离子分离中的应用。所述石墨相氮化碳二维纳米片膜在离子分离中的应用,石墨相氮化碳二维纳米片膜通过以下方法制备得到:将g‑C3N4维纳米片配成溶液:Sub>二维纳米片溶液的pH为中性,获得中性溶液;将中性溶液通过自下而上法使g‑C3N4维纳米片在经过预处理的多孔基底上沉积成膜,获得石墨相氮化碳二维纳米片膜。本发明通过自下而上法简单快速的制备出致密无缺陷的石墨相氮化碳二维纳米片膜,该膜展现出良好的离子分离性能,钾离子的渗透速率远远大于其他金属离子,具有较好的分离效率。
  • 一种石墨氮化二维纳米离子分离中的应用

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