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[发明专利]三维纳米结构氚伏电池-CN201910075577.1在审
发明人：伞海生;陈长松 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
三维纳米结构电池

[发明专利]一种包含正交分布一维纳米填料的电介质薄膜及制备方法-CN201910684683.X在审
发明人：胡澎浩;刘晓茹;范明智;姬旭敏 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明属于储能材料技术领域，涉及一种包含正交分布一维纳米填料的电介质薄膜及制备方法。复合电介质薄膜材料由正交分布的一维纳米填料和聚合物基体复合而成，工艺为：采用水热法制备垂直于薄膜面内方向排列的一维纳米填料，即垂直填料；采用静电纺丝法制备平行于薄膜面内方向排列的一维纳米填料，即平行填料采用流延法将一维纳米填料和聚合物基体进行复合，即得到厚度为10‑20µm的包含正交分布一维纳米填料的复合电介质薄膜。本发明设计了正交分布的一维纳米填料结构，采用了水热法、静电纺丝法和流延法进行填料和聚合物基体的复合，实现了包含正交分布一维纳米填料的复合电介质材料的制备，该制备方法具有易于操作、成本低廉等优点。
纳米填料正交分布制备聚合物基体电介质薄膜复合电介质薄膜面流延法内方向复合平行复合电介质材料垂直静电纺丝法薄膜材料储能材料静电纺丝水热法制水热法薄膜

[发明专利]一种基于复数域维纳滤波的道集保幅提频去调谐校正方法-CN202210575872.5在审
发明人：范彩伟;刘仕友;周凡;汪锐;李辉;李芳 -专利权人：中海石油（中国）有限公司湛江分公司;中海石油（中国）有限公司海南分公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01V1/36 文献下载
摘要：本发明涉及石油天然气资源地球物理勘查技术领域，更具体地，涉及一种基于复数域维纳滤波的道集保幅提频去调谐校正方法。一种基于复数域维纳滤波的道集保幅提频去调谐校正方法，包括以下：构建叠前道集复数域的解析信号并求取叠前道集的最大瞬时振幅；从所述叠前道集内选取出目标道；根据目标道并通过求取所述的解析信号的维纳滤波算子对叠前道集中除目标道外的其余道进行维纳滤波；求取维纳滤波后叠前道集的最大瞬时振幅，并确定叠前道集维纳滤波前的最大瞬时振幅与维纳滤波后的最大瞬时振幅的比例系数；通过对维纳滤波后的叠前道集进行AVO振幅补偿，得到所需的叠前道集。
一种基于复数域维纳滤波道集保幅提频去调谐校正方法

[发明专利]一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法-CN201010200513.9有效
发明人：温广武;钟博;张亦放;黄小萧;张晓东 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触，导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下：将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于气压炉中，然后在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm～50nm的氮化硼膜，防止一维纳米材料间互相接触，从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。
纳米材料表面氮化方法

[发明专利]激光测量支撑一维纳米线热传导特性的方法及系统-CN201910032042.6有效
发明人：张兴;胡玉东;樊傲然;王海东;马维刚 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光测量支撑一维纳米线热传导特性的方法及系统，其中，该方法包括：加热脉冲激光按照预设周期对一维纳米线样品和基底进行加热，使一维纳米线样品和基底在预设周期内升温和冷却；在预设周期内，通过探测脉冲激光对一维纳米线样品和基底进行拉曼信号探测，根据拉曼信号的光谱峰位和温度的线性关系，获取在探测脉冲激光宽度内一维纳米线样品和基底的平均提升温度；调整探测脉冲激光与加热脉冲激光的周期偏差，获取两条一维纳米线样品和基底的温度与时间的变化曲线，对两条变化曲线进行无量纲化得到一维纳米线样品的热传导特性该方法实现了有基底一维纳米线原位无损非接触式测量，可直接测量得到纳米线热传导特性。
激光测量支撑纳米热传导特性方法系统

[发明专利]一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法-CN202010241224.7有效
发明人：邓少芝;赵鹏;张宇 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法，该制作方法利用纳米结构体局部自加热效应在微纳导电基体上熔接生长在导电衬底上的单根一维纳米结构，以形成欧姆接触接合；利用金属探针以电熔断方式截取单根一维纳米结构，使得单根一维纳米结构与导电衬底脱离，形成基于微纳导电基体的单根一维纳米结构冷阴极。本发明所述的制作方法简单且具有通用性，可基于不同类型的一维纳米材料在不同材质、不同形状的微纳导电基体上制作单根一维纳米结构冷阴极。这种单根一维纳米结构冷阴极应用于高亮度、相干电子源，在电子束光刻、电子显微镜、科学研究装置等中有着重要应用。
一种单根一维纳米结构发射阴极制作方法

[发明专利]一种观测一维纳米材料的方法及装置-CN201410434422.X有效
发明人：武文贇;岳菁颖;林晓阳;赵清宇;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位观测一维纳米材料的方法，包括以下步骤：S1提供一待测一维纳米材料；S2提供一棱镜，所述棱镜具有一棱镜第一表面与一棱镜第二表面，两个表面之间夹角小于90°，所述一维纳米材料设置于棱镜第二表面；S3一束具有连续光谱的白色入射光由棱镜第一表面入射后射向所述一维纳米材料，所述一维纳米材料在该入射光的照射下发生共振瑞利散射；S4利用光学显微镜观测该一维纳米材料，所述光学显微镜所配备的物镜为油镜或水镜之中的一种，观测时该一维纳米材料与所述物镜通过一耦合液耦合。本发明还涉及一种利用该方法观测一维纳米材料的装置。
一种观测纳米材料方法装置

[发明专利]一种基于多层二维纳米材料干涉图像的微力测量方法-CN202110425224.7有效
发明人：刘汝盟;王立峰;张吉成 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层二维纳米材料干涉图像的微力测量方法，步骤如下：制备边长为微米级别的多层二维纳米材料；将上述制备好的多层二维纳米材料转移至表面平整的硅衬底上；采用可见光垂直照射上述多层二维纳米材料，并使用光学显微镜进行观察，在多层二维纳米材料上施加外力后，记录形成的干涉图样；测量上述干涉图样的明暗条纹数量，根据干涉条纹产生的条件，计算得到施加外力处多层二维纳米材料的层间距变化，并根据已知的多层二维纳米材料层间范德华相互作用系数本发明方法利用多层二维纳米材料实现高精度力的测量，可以有效降低成本和测量难度，测量条件相对简单。
一种基于多层二维纳米材料干涉图像测量方法

[实用新型]一种三维纳米结构氚伏电池-CN201920132344.6有效
发明人：伞海生;陈长松 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：一种三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
一种三维纳米结构电池

[发明专利]一种一维纳米材料有序组装体及其制备和应用-CN202010413663.1在审
发明人：李林鹏;王宏志;李耀刚;张青红;侯成义 -专利权人：东华大学
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C01G39/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种一维纳米材料有序组装体及其制备和应用。该制备方法包括：将一维纳米材料分散在水与丙三醇的混合溶剂中，得到一维纳米材料分散液；用毛笔蘸取一维纳米材料分散液，刷涂在基底上，干燥。本发明简单可靠，条件温和，实现了多种一维纳米材料的有序排列；制备的组装体具有电学性能和热电性能，可以用于各向异性导体和热电领域。
一种纳米材料有序组装及其制备应用

[发明专利]一维纳米结构的荧光化学生物传感器及其制备方法和用途-CN200710120792.6有效
发明人：师文生;穆丽璇 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2007-08-27 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：本发明涉及一维纳米结构的荧光化学生物传感器。荧光化学生物传感器是在一维纳米结构材料的表面有以化学键或物理吸附的形式存在于一维纳米结构材料表面的化学物质。将一维纳米结构材料表面进行处理后，以化学键或物理吸附的方式将化学物质修饰到一维纳米结构材料的表面，使得修饰化学物质以化学键或物理吸附的形式存在于一维纳米结构材料的表面。将一维纳米结构的荧光化学生物传感器与待检测的化学生物物种接触，通过荧光激发装置和光电检测装置检测修饰在一维纳米结构材料表面的化学物质的荧光变化，最终实现化学生物物种的种类和浓度的检测。本发明利用了一维纳米结构非常高的比表面积性质，提高了修饰化学物质的浓度，进而提高了检测灵敏度。
纳米结构荧光化学生物传感器及其制备方法用途

[发明专利]碳纳米管/零维纳米材料复合材料及其制法和应用-CN201910563231.6在审
发明人：孙大陟;张至 -专利权人：包头协同纳米新材科技有限公司;北京大学包头创新研究院
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C10M141/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管/零维纳米材料复合材料，其特征在于，碳纳米管和零维纳米材料分别经油性分散剂改性后得到改性碳纳米管和改性零维纳米材料，在改性碳纳米管上负载改性零维纳米材料后得到所述碳纳米管/零维纳米材料复合材料本发明所得碳纳米管/零维纳米材料复合材料可作为润滑抗磨剂，添加到润滑油中，可有效改善润滑油的抗磨性能，且本发明所述方法成本较低，操作简单，高效环保，具有广泛的应用前景。
零维纳米材料碳纳米管复合材料改性碳纳米管润滑油改性润滑抗磨剂油性分散剂负载改性高效环保抗磨性能制法应用

[发明专利]一种观测一维纳米材料的方法及装置-CN201410434514.8有效
发明人：武文贇;岳菁颖;林晓阳;赵清宇;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位观测一维纳米材料的方法，包括以下步骤：S1、提供一待测一维纳米材料；S2、将所述一维纳米材料浸没于耦合液中；S3、提供一束具有连续光谱的白色入射光，所述一维纳米材料在该入射光的照射下发生共振瑞利散射；S4、利用物镜为水镜的光学显微镜观测该一维纳米材料，观测时该水镜浸没于所述耦合液中。本发明还涉及一种利用该方法观测一维纳米材料的装置。
一种观测纳米材料方法装置

[发明专利]一种一维纳米材料分离提纯装置及方法-CN201810202835.3在审
发明人：于志伟;罗晓雯 -专利权人：深圳市善柔科技有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： B01D63/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维纳米材料分离提纯装置及方法，该分离提纯装置包括过滤器、原液水槽、含颗粒废液槽、去离子水槽和含一维纳米材料液槽。该分离提纯方法如下：1)原液的调配；2)分离提纯装置的搭设；3)分离提纯：进行过滤和反冲洗，得到一维纳米材料的分散液。本发明的一维纳米材料分离提纯方法能够实现一维纳米材料的连续分离提纯，极大地提高了分离提纯效率，且不需要使用对环境及身体有害的化学试剂，绿色环保，操作简便，可以得到形貌单一、纯度高、尺寸分布均匀的一维纳米材料
一维纳米材料分离提纯装置分离提纯原液过滤器水槽形貌尺寸分布化学试剂离子水槽连续分离绿色环保反冲洗废液槽分散液提纯搭设液槽过滤调配

[发明专利]微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法-CN200810060845.4无效
发明人：张磊;殷学锋;童利民;谷付星 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：一种微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法，将纳米线放置载玻片上作为模板；通过热压法，将纳米线嵌入热塑性聚合物基片的上表面；用刻蚀剂将嵌入聚合物基片中的纳米线溶解后，在聚合物基片表面形成二维纳米通道；将形成二维纳米通道的聚合物基片与盖片封合，形成密封的二维纳米通道。可用于制备具有二维纳米通道的微-纳流控芯片，本发明制备二维纳米通道工艺简单，不需要昂贵的加工设备，成本低廉，加工速度快。
纳流控芯片二维纳米通道制备方法