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[实用新型]一种带静电消除功能的BOPP膜厚片出片机构-CN201520375395.3有效
发明人：陈凯;施正行;黄冬冬 -专利权人：启明新材料有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： B32B38/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带静电消除功能的BOPP膜厚片出片机构，包括BOPP膜厚片狭长机，BOPP膜厚片狭长机的厚片输出端的水平上侧设有厚片传动辊，BOPP膜厚片狭长机的厚片输出端的水平下侧设有一根水平设置的阳极膜线性离子源，阳极膜线性离子源的正面发射朝向BOPP膜厚片狭长机输出的BOPP膜厚片，阳极膜线性离子源的左右两侧在BOPP膜厚片狭长机输出端分别设有挡板。采用以上技术方案后：通过阳极膜线性离子源对于BOPP膜厚片狭长机的厚片输出端进行静电消除，两侧的挡板是用于保护阳极膜线性离子源进行工作，同时设置了密封通道，则在厚片出片后，通过吸风的方式，保证了厚片在传输过程中
一种静电消除功能 bopp 厚片机构

[发明专利]一种离子源的辅助安装和拆卸装置-CN201110452438.X无效
发明人：赵叶军 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B25B27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子源的辅助安装和拆卸装置。主要包括：滑杆(1)、线性轴承(2)、轴承安装座(3)、离子源(4)和源安装法兰(5)等。其特征在于，滑杆(1)安装在源安装法兰(5)上，通过线性轴承(2)与滑杆(1)之间的相对滑动间接的带动离子源(4)在滑杆(1)上滑动，从而保证离子源上重要零部件在安装和拆卸过程中不被损坏以及保证离子源在安装过程中的定位准确
一种离子源辅助安装拆卸装置

[发明专利]一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法-CN201810560536.7在审
发明人：沈洪雪;倪嘉;姚婷婷;杨勇;李刚 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备，离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源，线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源；将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中，开启离子束沉积设备，使氩离子轰击钨靶，同时开启线性离子源沉积设备，进行碳源的注入，钨与碳相反应得到钨掺杂类金刚石薄膜；整个过程中离子束沉积设备与线性离子源沉积设备都是单独工作，不相互干扰，工艺参数各自设定；整个过程碳与钨简单的进行反应，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。
离子束沉积线性离子源沉积设备类金刚石薄膜钨掺杂衬底钨靶制备氩离子轰击衬底表面真空腔室掺杂源可控性甲烷油污去除离子连通清洗

[发明专利]电子轰击离子源控制系统-CN201010194038.9无效
发明人：应刚;张坤 -专利权人：江苏天瑞仪器股份有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01J49/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子轰击离子源控制系统，包括上位机和第一灯丝，所述上位机分别连有离子源加热模块和离子源温度反馈模块，所述离子源加热模块的HT+端连接有一加热棒用于加热离子源，所述离子源温度反馈模块的PT+端连接有一铂电阻，用于感测离子源的温度，所述离子源加热模块采用的是PWM(脉宽调制)方式控制电压输出，输出电压值可以从0-24V线性可调。本发明的电子轰击离子源控制系统使得电子轰击离子源的控制变得简单，只需主控板给一个设定值，本系统就可以自动将离子源的各项状态调整到最佳状态，避免了灯丝老化，温度跳变等因素的对信号稳定性的影响。
电子轰击离子源控制系统

[实用新型]电子轰击离子源控制系统-CN201020218117.4有效
发明人：应刚;张坤 -专利权人：江苏天瑞仪器股份有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01J49/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子轰击离子源控制系统，包括上位机和第一灯丝，所述上位机分别连有离子源加热模块和离子源温度反馈模块，所述离子源加热模块的HT+端连接有一加热棒用于加热离子源，所述离子源温度反馈模块的PT+端连接有一铂电阻，用于感测离子源的温度，所述离子源加热模块采用的是PWM(脉宽调制)方式控制电压输出，输出电压值可以从0-24V线性可调。本实用新型的电子轰击离子源控制系统使得电子轰击离子源的控制变得简单，只需主控板给一个设定值，本系统就可以自动将离子源的各项状态调整到最佳状态，避免了灯丝老化，温度跳变等因素的对信号稳定性的影响。
电子轰击离子源控制系统

[发明专利]镀膜静电消除装置-CN201210131052.3无效
发明人：王创茂 -专利权人：福建泰兴特纸有限公司
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明公开一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设有放卷气涨轴、导辊和镀膜辊，所述放卷气涨轴上有原膜，所述原膜先经过离子源处理后穿过导辊进入镀膜辊再到收卷，所述真空镀膜室内安装有阳极膜线性离子源，该阳极膜线性离子源的正面发射沟道朝向所述原膜所在平面，所述阳极膜线性离子源连接高纯氩气瓶。本发明通过阳极膜线性离子源解决了镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，并且解决了BOPP转移膜的静电树纹，无需增加电晕机处理，避免膜变形，可有效去除膜表面的有机污染物及氧化层，直接联机处理速度可达到350M
镀膜静电消除装置

[实用新型]镀膜静电消除装置-CN201220190393.3有效
发明人：王创茂 -专利权人：福建泰兴特纸有限公司
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设有放卷气涨轴、导辊和镀膜辊，所述放卷气涨轴上有原膜，所述原膜先经过离子源处理后穿过导辊进入镀膜辊再到收卷，所述真空镀膜室内安装有阳极膜线性离子源，该阳极膜线性离子源的正面发射沟道朝向所述原膜所在平面，所述阳极膜线性离子源连接高纯氩气瓶。本实用新型通过阳极膜线性离子源解决了镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，并且解决了BOPP转移膜的静电树纹，无需增加电晕机处理，避免膜变形，可有效去除膜表面的有机污染物及氧化层，直接联机处理速度可达到350M
镀膜静电消除装置

[发明专利]致密高能离子植入系统-CN201980033100.5在审
发明人：法兰克·辛克莱 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种设备可包括离子源，所述离子源被布置成产生处于第一离子能量的离子射束。所述设备可进一步包括直流加速器柱，所述直流加速器柱设置在所述离子源下游且被布置成将所述离子射束加速到第二离子能量，所述第二离子能量大于所述第一离子能量。所述设备可包括线性加速器，所述线性加速器设置在所述直流加速器柱下游，所述线性加速器被布置成将所述离子射束加速到比所述第二离子能量大的第三离子能量。
致密高能离子植入系统

[发明专利]一种离子源结构及热电离质谱仪-CN202210260929.2在审
发明人：王志强;刘权卫;张兆清;赵雅平;李力;赵宇菲;李思凡;沈琛林 -专利权人：中国核电工程有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J49/04 文献下载
摘要：本发明公开一种离子源结构，其包括离子源室、样品转盘、离子透镜组、以及屏蔽手套箱，所述离子源室的前部与所述屏蔽手套箱密封相接，且离子源室的前部上开设有门孔，所述门孔上设有离子源室门，所述离子源室门处于屏蔽手套箱内，并与屏蔽手套箱的操作面相对；所述样品转盘和所述离子透镜组均设于所述离子源室的内部，且离子透镜组、样品转盘、离子源室门、以及屏蔽手套箱依次在水平方向上呈线性排列。
一种离子源结构电离质谱仪

[发明专利]激光解吸电离质谱装置-CN201611173975.X在审
发明人：贾善余;杨灏 -专利权人：浙江和谱生物科技有限公司;上海华质生物技术有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01J49/40 文献下载
摘要：本发明提供激光解吸电离质谱装置，所述装置包括MALDI离子源真空腔，线性离子阱真空腔和飞行时间分析器真空腔；其中MALDI离子源真空腔内设有MALDI离子源靶板；MALDI离子源靶板的靶板运动系统位于真空腔之外，处于常压环境；MALDI离子源靶板和靶板运动系统之间设有靶板运动系统真空过渡机构；靶板运动系统真空过渡机构将靶板运动系统的动能传递至MALDI离子源真空腔内，实现MALDI离子源靶板的运动。
激光解吸电离装置

[实用新型]激光解吸电离质谱装置-CN201621386373.8有效
发明人：贾善余;杨灏 -专利权人：浙江和谱生物科技有限公司;上海华质生物技术有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01J49/40 文献下载
摘要：本实用新型提供激光解吸电离质谱装置，所述装置包括MALDI离子源真空腔，线性离子阱真空腔和飞行时间分析器真空腔；其中MALDI离子源真空腔内设有MALDI离子源靶板；MALDI离子源靶板的靶板运动系统位于真空腔之外，处于常压环境；MALDI离子源靶板和靶板运动系统之间设有靶板运动系统真空过渡机构；靶板运动系统真空过渡机构将靶板运动系统的动能传递至MALDI离子源真空腔内，实现MALDI离子源靶板的运动。
激光解吸电离装置

[实用新型]一种基于微带结构的等离子源-CN202023197911.8有效
发明人：张文聪;吴丽 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H05H1/52 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子源。本实用新型公开了一种基于微带结构的等离子源，包括放电板和接地板，所述放电板和接地板分别与激励源正极和负极连接；所述放电板和接地板平行配置，放电板和接地板之间有间隙；所述放电板由微带电路板构成，所述放电板与接地板相邻侧设置有放电耦合微带线本实用新型的等离子源具有结构简单，小巧轻便的特点，能够获得均匀的线性等离子体。本实用新型的等离子源，作为更大等离子源的一个单元，可以组合成更大尺寸和面积的等离子源，具有广泛的适用范围。
一种基于微带结构离子源

[发明专利]ECR离子源及操作ECR离子源的方法-CN202010345506.1有效
发明人：亚历山德拉·菲利普 -专利权人：德利比特有限责任公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及ECR离子源和用于操作ECR离子源的方法。本发明涉及ECR离子源(1)，其具有：圆柱形的等离子体腔室(2)和用于产生磁场磁体(3)，以使等离子体包围在等离子体腔室(2)中；以及微波发生器(8)，其用于在等离子体腔室(2)的外部产生至少两个微波信号，该ECR离子源的特征在于，多个天线(4)被布置成以一定的角度偏移α径向伸入到等离子体腔室(2)中以辐射线性极化的微波，其中在天线(4)处施加相移的微波信号以在等离子体腔室(2)内形成圆极化的微波。
ecr 离子源操作方法

[发明专利]涂有电介质层的基材、其制造方法和装置-CN200480024717.4无效
发明人： C·博贝;K·菲舍尔;M·勒尔根;J·－C·吉龙;N·纳多;E·马特曼;J·－P·鲁索;A·霍夫里希特;M·扬森 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2004-06-28 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明施加一种基材(1)，特别是玻璃的该基材，通过阴极雾化，特别是磁场辅助和优选在氧和/或氮存在下的活性的阴极雾化，在曝露在至少一种来源于离子源(4)的离子束的条件下，在其上面涂有至少一层电介质薄层，其特征在于，曝露在离子束下的所述电介质层具有能够根据离子源参数调节的折光指数，所述离子源是一个线性源。
电介质基材制造方法装置

[发明专利]兆瓦级离子源探针闭环控制方法-CN201410057310.7在审
发明人：刘胜;胡纯栋;谢亚红;蒋才超;刘智民 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于兆瓦级离子源探针闭环控制方法，在离子源等离子体放电过程中以现有电源取样电流或电压作为变量来控制弧电源的基础上，在离子源等离子体放电的弧室内插入六路探针，所述的六路探针取样的六路信号经线性光隔离均压综合处理后得到反应等离子体离子密度的信号送至误差放大器，通过反馈方式转换选择地引入相应的设置值进行比较运算，运算结果输送到弧电源控制器实现弧电源的控制调节，以实现离子源等离子体的闭环控制。本发明主要研究通过探针诊断等离子体的离子密度信息，来闭环控制离子源等离子体，相比常规的电压电流取样反馈，兆瓦级离子源探针闭环控制方法实现了高的反馈调节精度和长脉冲准稳态运行。
兆瓦离子源探针闭环控制方法

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