专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种双结型硅基纳米白光光源及其制备方法-CN202211567573.3在审
  • 张成云;郭浩民;胡琦;岑奕桦 - 广州大学
  • 2022-12-07 - 2023-03-31 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种双结型硅基纳米白光光源及其制备方法。本发明的双结型硅基纳米白光光源包括衬底,在衬底上设有介电纳米球,在介电纳米球表面设有金属纳米薄膜,金属纳米薄膜与介电纳米球形成核壳纳米结构;其中,衬底为金衬底或银衬底;介电纳米球为硅纳米球或二氧化钛纳米球;金属纳米薄膜为钯纳米薄膜或金纳米薄膜。本发明制备的纳米光源结构能够显著地提高发光强度,该纳米光源通过引入电和磁谐振模式,能够耦合产生更多的杂化模式,通过调控模式的耦合能进一步调控光源的发光特性,进而实现整个纳米结构非线性特性的调控。
  • 一种双结型硅基纳米白光光源及其制备方法
  • [发明专利]一种纳米金属单质的分离方法-CN201410018714.5有效
  • 常煜;杨振国 - 复旦大学
  • 2014-01-16 - 2014-05-14 - B22F9/00
  • 本发明属于纳米材料制备领域,具体涉及一种纳米金属单质的分离方法,本发明通过添加微量絮凝剂,使铜、银、金、钯、铂、镍单质的零维纳米材料(纳米颗粒)、一维纳米材料(纳米线、纳米管)、二维纳米材料从其分散液中沉淀,从而可以通过低速离心或者过滤的方式使其从混合液中分离;经过洗涤干燥,使纳米颗粒、纳米线、纳米管、二维纳米材料以干燥粉体的形式存在,方便后续使用。本发明可以使纳米金属不通过高速离心的方式从其制备混合液中分离,大大降低了纳米金属的制备成本,使纳米金属材料,尤其是纳米金属颗粒与纳米金属线的大规模应用成为可能。
  • 一种纳米金属单质分离方法
  • [发明专利]一种含均匀分散碳纳米管的纳米钼粉的制备方法-CN201310177007.6有效
  • 张厚安;古思勇;吴和尖;李荣文 - 厦门理工学院
  • 2013-05-14 - 2013-08-21 - B22F9/26
  • 本发明公开了一种含均匀分散碳纳米管的纳米钼粉的制备方法,选择碳纳米管和仲钼酸铵为原料,以氢气为还原载气,利用碳纳米管的对纳米钼颗粒的吸附特性,制备碳纳米管/纳米钼粉复合粉末,其制备工艺流程为:碳纳米管的修饰→溶胶→凝胶→研磨→氢气还原→碳纳米管/纳米钼粉复合粉末。本发明利用碳纳米管对纳米钼颗粒的吸附特性,通过对碳纳米管进行修饰并与仲钼酸铵溶液混合,采用溶胶凝胶-还原工艺制备出碳纳米管/纳米钼粉复合粉末。所制备的钼粉平均粒径为20-80nm,且碳纳米管在纳米钼粉中均匀分散,易于工业化批量生产。
  • 一种均匀分散纳米制备方法
  • [发明专利]场发射装置-CN201210135961.4有效
  • 柳鹏;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2012-05-04 - 2013-11-06 - H01J1/304
  • 本发明提供一种场发射装置,其包括:一碳纳米管结构以及两个电极分别与该碳纳米管结构电连接,该碳纳米管结构进一步包括:一碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管;一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧,该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管,该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触;以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间;两个电极分别与该碳纳米管结构电连接。
  • 发射装置
  • [发明专利]一种制备纳米通道断面形貌样品的置换表征方法-CN201410478461.X无效
  • 邹赫麟;殷志富;程娥 - 大连理工大学
  • 2014-09-18 - 2015-01-14 - G01N1/28
  • 本发明公开了一种制备纳米通道断面形貌样品的置换表征法,属于纳米结构表征领域。将未经氧等离子体处理的纳米沟道基板和盖板进行热压键合;将热压键合后的纳米沟道基板和盖板分离、冷冻并掰断,得到纳米沟道断面形貌完好的样品;对基板上纳米沟道和盖板形貌分别进行观测表征,得到纳米沟道的宽度、深度和盖板上纳米凸起的高度;根据得到的纳米沟道的宽度、深度和盖板上纳米凸起的高度;纳米沟道实际宽度等于纳米沟道的宽度,纳米沟道实际深度等于纳米沟道深度与盖板上纳米凸起高度的差值。本发明有效降低了热压键合后纳米通道断面制备难度。采用这种置换表征法制备的纳米通道断面形貌完整清晰,在扫描电镜下更加容易定位。
  • 一种制备纳米通道断面形貌样品置换表征方法
  • [实用新型]一种抗辐射及耐老化的纳米涂层-CN202020079875.6有效
  • 慕洪 - 河南省亚安绝缘材料厂有限公司
  • 2020-01-15 - 2020-08-28 - C23C30/00
  • 本实用新型涉及一种抗辐射及耐老化的纳米涂层,包括底层介质层和复合材料层,所述底层介质层为Cr材料涂层,所述复合材料层包括纳米金属层、中间层和纳米陶瓷层,所述纳米金属层位于底层介质层的上端,中间层位于纳米金属层和纳米陶瓷层之间,纳米陶瓷层位于中间层的上端,所述纳米金属层中含有纳米金属颗粒,纳米金属颗粒为Cu、Al、Ni、Ti的纳米级颗粒;所述中间层中含有纳米金属颗粒以及纳米陶瓷颗粒,所述纳米陶瓷层中含有纳米陶瓷颗粒;纳米陶瓷颗粒为陶瓷、晶须、纤维的纳米级颗粒;本实用新型具有使用效果好且抗辐射及耐老化的优点。
  • 一种辐射老化纳米涂层

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