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[发明专利]异质结电池及其制备方法-CN202310399381.4在审
发明人：高纪凡;李胜杰;李宏伟;孟子博;霍亭亭;杨广涛;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（常州）科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供一种异质结电池及其制备方法，异质结电池包括电池结构本体、复合透明导电层以及金属栅线，电池结构本体的第一表面和第二表面均设有复合透明导电层；复合透明导电层包括透明导电层和金属纳米网，金属纳米网埋入透明导电层中，且金属纳米网至少部分突出于透明导电层的表面，以连接金属栅线。金属纳米网埋入透明导电层中，可增加金属纳米网与透明导电层的接触面积，减小与透明导电层的搭接阻抗，使得金属纳米网与透明导电层组成的复合透明导电层能够更高效地完成光生电子的运输工作。本申请能够更加充分地利用金属纳米线与透明导电层各自的优点，金属纳米网提供更好的透过率和电学性能，透明导电层对电池本体和纳米金属网提供保护。
异质结电池及其制备方法

[发明专利]平面加热结构-CN201710183435.8在审
发明人：纪贺勋;陈英哲;张羽;杨河波;苏富榆;高超;朱曙光;唐纯芽;陈文达 -专利权人：凯姆控股有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： B60J1/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种平面加热结构，包括一玻璃基材层、一纳米金属透明导电层以及一第一保护层。该纳米金属透明导电层，设置于该玻璃基材层上，并接收一电压来产生热能。该第一保护层，设置于该纳米金属透明导电层上，并完全覆盖该纳米金属透明导电层。
纳米金属透明导电层第一保护层玻璃基材加热结构

[发明专利]一种金属纳米线复合透明导电薄膜、其制备方法及应用-CN201510276448.0有效
发明人：金云霞;肖斐 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种金属纳米线复合透明导电薄膜，该复合透明导电薄膜依次包含基底层、金属纳米线薄膜层和多糖层。本发明还涉及上述金属纳米线复合透明导电薄膜的制备方法，包含制备多糖溶液、取金属纳米线溶液在基底层上刮涂成膜以及将多糖溶液涂覆于金属纳米线薄膜层表面等步骤。本发明以多糖类物质与金属纳米线薄膜进行复合，在提高了金属纳米线薄膜层与基底层之间的粘附性的同时，保持了金属纳米线薄膜层的导电性，还有利于提高整个金属纳米线复合透明导电薄膜的稳定性。本发明所提供的金属纳米线复合透明导电薄膜能很好地与光刻工艺兼容，易于制备得到图案化的金属纳米线复合透明导电薄膜。
金属纳米线复合透明导电薄膜制备薄膜层基底层多糖溶液电子材料技术导电性薄膜层表面多糖类物质光刻工艺多糖层图案化粘附性薄膜成膜刮涂涂覆兼容复合应用

[发明专利]导电性膜-CN202180037118.X在审
发明人：河野文彦;长濑纯一;安藤豪彦 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种导电性膜，其是在包含金属纳米线的透明导电层上形成金属膜而构成的导电性膜，且在供于蚀刻工序时导电性也不易降低。本发明的导电性膜依次具备金属层、透明导电层、和基材，该透明导电层包含金属纳米线和聚合物基质，该金属纳米线的一部分从该透明导电层向金属层侧突出，该透明导电层的厚度为30nm～150nm。
导电性

[发明专利]LED芯片及其制备方法-CN201510450145.6在审
发明人：李庆;杨龙;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片及其制备方法， LED芯片从下向上依次包括：衬底；N型半导体层；发光层；P型半导体层；透明导电层；纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；P电极及N电极。本发明在氧气氛中制备透明导电层，氧组分的增加可以减少透明导电层的缺陷，提高了透明导电层的透光率；同时，能够有效增加透明导电层与P型半导体层的接触电阻。纳米银层层能够有效降低透明导电层的体电阻；同时，纳米银层与透明导电层相结合，能够提高透明导电层的电流横向扩展能力，纳米银颗粒能够有效反射荧光粉回射的光，从而提高LED芯片的亮度。
led 芯片及其制备方法

[发明专利]LED芯片-CN201811461246.3在审
发明人：陆远林 -专利权人：仪征市峰皓设备安装工程有限公司
申请日： 2018-12-02 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片，LED芯片从下向上依次包括：衬底；N型半导体层；发光层；P型半导体层；透明导电层；纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；P电极及N电极。本发明在氧气氛中制备透明导电层，氧组分的增加可以减少透明导电层的缺陷，提高了透明导电层的透光率；同时，能够有效增加透明导电层与P型半导体层的接触电阻。纳米银层层能够有效降低透明导电层的体电阻；同时，纳米银层与透明导电层相结合，能够提高透明导电层的电流横向扩展能力，纳米银颗粒能够有效反射荧光粉回射的光，从而提高LED芯片的亮度。
透明导电层纳米金属层荧光粉电流横向扩展纳米金属颗粒纳米银颗粒接触电阻纳米银层有效反射发光层纳米银体电阻透光率氧气氛衬底回射制备

[实用新型]LED芯片-CN201520554037.9有效
发明人：李庆;杨龙;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片，LED芯片从下向上依次包括：衬底；N型半导体层；发光层；P型半导体层；透明导电层；纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；P电极及N电极。本实用新型在氧气氛中制备透明导电层，氧组分的增加可以减少透明导电层的缺陷，提高了透明导电层的透光率；同时，能够有效增加透明导电层与P型半导体层的接触电阻。纳米银层层能够有效降低透明导电层的体电阻；同时，纳米银层与透明导电层相结合，能够提高透明导电层的电流横向扩展能力，纳米银颗粒能够有效反射荧光粉回射的光，从而提高LED芯片的亮度。
led 芯片

[发明专利]制造透明导电层的方法和由该方法制造的透明导电层-CN201280006782.9有效
发明人：郑光春;赵显南;金南挺;李仁淑;崔静娥;金水毕 -专利权人：印可得株式会社
申请日： 2012-01-26 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造透明导电层的方法以及由该方法制造的透明导电层。所述制造透明导电层的方法包括：a)在基材上形成导电纳米线层的步骤；b)热处理所述导电纳米线层的步骤；c)在所述导电纳米线层上应用导电金属油墨的步骤；和d)热处理用所述导电金属油墨涂覆的基材，以通过所述导电金属油墨的导电金属颗粒使所述导电纳米线彼此电学桥接的步骤
制造透明导电方法

[发明专利]一种透明导电电极的制备方法-CN201910131907.4有效
发明人：雷贝 -专利权人：苏州绘格光电科技有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及导电电极技术领域，具体涉及一种透明导电电极的制备方法。本发明的透明导电电极的制备方法，包括以下步骤：1)在透明基材表面布设纳米金属导电层；2)对步骤1)中的纳米金属导电层进行图形化遮蔽以在所述纳米金属导电层表面形成阻隔层，未被遮蔽的纳米金属导电层形成反应区域；3)向反应区域导入含有掺杂蚀刻剂的气体或注入杂质离子，使所述反应区域的纳米金属导电层与含掺杂蚀刻剂的气体反应或与杂质离子进行掺杂，形成不导电区域，反应结束即得透明导电电极。本发明的透明导电电极的制备方法，利用纳米金属材料具有大比表面积易吸附杂质、易断裂、易丧失导电性的特点，定向掺杂，形成图案化的透明电极，制备方法简单，成本低。
一种透明导电电极制备方法

[发明专利]一种柔性透明导电薄膜及其制备方法-CN202310083509.6在审
发明人：陈剑辉;陈静伟;常萱;张旭宁;高青;陈兵兵;王淑芳 -专利权人：河北大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及透明导电薄膜技术领域，提出了一种柔性透明导电薄膜及其制备方法，所述柔性透明导电薄膜，包括基板以及依次设置在基板上的金属纳米线层和有机材料层，所述有机材料层为全氟磺酸层。所述柔性透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、配制金属纳米线溶液，采用溶液加工方法在基板上制备金属纳米线层；S2、配制全氟磺酸溶液，采用溶液加工方法在金属纳米线层上制备全氟磺酸层，得到透明导电薄膜通过上述技术方案，解决了现有技术中含金属纳米线层的透明导电薄膜无法同时具有高透光率和低方阻的问题。
一种柔性透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]透明导电电极及其制备方法、电子器件-CN202010670908.9有效
发明人：王硕;辛凯;刘云峰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供一种透明导电电极及其制备方法、电子器件，涉及透明导电技术领域，能够降低透明导电电极的方阻。该透明导电电极包括透明衬底以及嵌入在透明衬底中的金属网格、金属纳米线网络；金属纳米线网络位于金属网格的网孔区域；透明衬底包括位于厚度方向上的第一表面；金属网格以及金属纳米线网络露出第一表面、且与第一表面平齐；透明导电电极还包括：透明导电修饰层；透明导电修饰层覆盖第一表面以及露出于第一表面的金属网格、金属纳米线网络。
透明导电电极及其制备方法电子器件

[实用新型]一种新型的LED透明电极-CN201721038876.0有效
发明人：孙金芳;姚星星;张才富;张士许;杨枭 -专利权人：安徽信息工程学院
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的LED透明电极，包括外延层和透明导电层，所述透明电极还包括设于外延层与透明导电层之间的金属纳米颗粒层。金属纳米颗粒在GaN接触层和透明导电层之间相互形成共晶结构，出射光与金属纳米颗粒形成的等离激元发生作用从而增强出光效率。由于共晶接触层的形成，透明导电层与GaN层能够形成更好的欧姆接触，从而降低LED的工作电压。
一种新型 led 透明电极

[发明专利]透明导电膜及其制备方法-CN201910216031.3在审
发明人：刘统辉;黄梅峰 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明导电膜，包括：基材，所述基材的至少一侧表面具有导电层，所述导电层包括触控区和位于触控区外围的走线区,其中所述走线区包括形成于基材上的多条金属走线，每条金属走线上覆盖有纳米导电结构，所述触控区包括由纳米导电层图形化形成的多个触控电极，所述纳米导电层与所述纳米导电结构电气连接，及与所述金属走线电气连接。触控区采用纳米导电层图形化制得，走线采用金属走线且覆盖纳米导电层，纳米导电层和金属走线均耐弯折，透明导电膜的耐弯折性能较好，且金属走线被纳米导电层覆盖，其抗氧化及腐蚀能力较好。还提出一种上述透明导电膜的制备方法。
透明导电及其制备方法

[实用新型]一种透明天线-CN201922330045.6有效
发明人：徐明生;王维佳 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种透明天线：所述透明天线包括透明的介质层和在介质层一个表面上的透明的导电层，所述导电层包括石墨烯薄膜和金属纳米线网络，所述导电层上有天线图案；或述透明天线包括透明的介质层、在介质层一个表面上的透明的导电层和在介质层另一个表面上的接地层，所述导电层包括石墨烯薄膜和金属纳米线网络。本实用新型结合金属纳米线优异的导电性能和石墨烯薄膜的导电特性及其高透光率，在导电层中石墨烯薄膜作为连接体降低金属纳米线的使用量，提高导电膜的透光率和导电性；在满足特定透光率要求的情况下，提高了导电膜的导电性能，从而提高了透明天线的辐射效率。
一种透明天线

[发明专利]一种金属纳米线/碳纳米管复合透明导电膜及其制备方法-CN201410346270.8在审
发明人：景茂祥;沈湘黔;李旻;陈翠玉 -专利权人：江苏大学
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属纳米线/碳纳米管复合柔性透明导电膜及其制备方法，所述复合柔性透明导电膜包括柔性透明基板，其表面涂有一层金属纳米线/碳纳米管复合导电层，金属纳米线形成交叉状主导电网络，碳纳米管形成支导电网络，支导电网络位于主导电网络的空隙中并与主导电网络相连接。其制备方法是将金属纳米线、碳纳米管、无水乙醇或丙酮混合形成悬浮液，通过喷涂、浸渍或转印在柔性透明基板上形成一层均匀膜层，最后经压制制成。本发明不需添加分散剂，工艺简单，成本低，易规模化生产；所制备的金属纳米线/碳纳米管复合柔性透明导电膜的导电网络空隙少、可见光透射率高、方块电阻低，其可见光透光率≥80％，方块电阻≤90Ω/□。
一种金属纳米复合透明导电及其制备方法

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