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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]超强碳纳米管管束及其制备方法和包含该超强碳纳米管管束的器件或装置-CN201710128785.4有效
发明人：魏飞;白云祥;朱振兴;谢欢欢 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供了超强碳纳米管管束及其制备方法和包含该超强碳纳米管管束的器件或装置。本发明方法包括如下步骤：1)将催化剂涂抹于含狭槽基底上，然后将所述基底和引流件置于反应器中，通入混合惰性气体还原催化剂后，再通入混合反应气体并加热；改通入所述混合惰性气体，降温至室温后取出即得悬空超长水平碳纳米管管束2)利用两探针于槽中部支撑悬空碳纳米管管束，于两探针两端将管束破断，使其自发弛豫收缩自组装调整初始应力近乎一致即可得超强碳纳米管管束。本发明的方法所制备的碳纳米管管束具有无杂质、无缺陷、取向一致以及连续的结构特征。
超强纳米管束及其制备方法包含器件装置

[发明专利]一种改性取向碳纳米管束及其制备方法-CN201310743486.3有效
发明人：袁莉;顾嫒娟;梁国正 -专利权人：苏州大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： D06M15/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性取向碳纳米管束及其制备方法，特别涉及一种氨基树脂聚合物包覆改性的取向碳纳米管束及其制备方法。以取向碳纳米管束、氨基化合物、甲醛等为主要原料，通过简易工艺得到氨基树脂聚合物包覆取向碳纳米管束技术。本发明提供的制备方法操作工艺简单，所制得的氨基树脂聚合物包覆取向碳纳米管束可改善碳管与聚合物的界面相容性及碳管在聚合物中的分散性，同时保护碳管束中碳管的取向结构。
一种改性取向纳米管束及其制备方法

[发明专利]一种有序排列孔道的介孔碳纳米管束材料及其制备方法-CN201611141922.X有效
发明人：张海东;胡玲;胡玥玥;申渝;焦昭杰 -专利权人：重庆工商大学
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C01B32/164 文献下载
摘要：本专利申请公开了一种有序排列孔道的介孔碳纳米管束材料，主要由以下的原料制成：正硅酸乙酯、P123、HCl、正十六烷、蔗糖和浓硫酸，所述介孔碳纳米管束材料具有有序排列的纳米孔道，且多个有序排列的纳米孔道结合成一个管束；纳米孔道的孔径为4.2 nm，比表面积为1262 cm² g^‑1，孔道长度为200～300nm。本专利申请还公开了上述有序排列孔道的介孔碳纳米管束材料制备方法。本发明制得的介孔碳纳米管束材料具有纳米孔道尺寸分布窄、孔道长度短的优点，且表现出多个有序排列的纳米孔道结合成一个管束的形貌特征。
一种有序排列孔道介孔碳纳米管束材料及其制备方法

[发明专利]一种环氧树脂填充取向碳纳米管束胶囊及其制备方法-CN201510153926.9有效
发明人：袁莉;张毅;顾嫒娟;梁国正;吴申梅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种环氧树脂填充取向碳纳米管束胶囊及其制备方法，以环氧树脂及取向碳纳米管束为主要原料，将环氧树脂填充于取向碳纳米管束碳管间隙中，在固化剂的作用下，形成环氧树脂膜及碳纳米管为囊壁的、环氧树脂为囊芯的取向碳纳管束胶囊
一种环氧树脂填充取向纳米管束胶囊及其制备方法

[发明专利]一种将单壁碳纳米管管束剥离成单根单壁碳纳米管的方法-CN201611096459.1有效
发明人：官轮辉;吴初新 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供一种将单壁碳纳米管管束剥离成单根离散的单壁碳纳米管的方法，涉及纳米材料制备科学技术领域。本发明利用高锰酸钾与浓硫酸插层氧化作用，对单壁碳纳米管束进行插层剥离，得到了具有水溶性的单根离散单壁碳纳米管。该单壁碳纳米管不是管束型的，而是以单根的形式存在的，其管径为1‑2nm。
单壁碳纳米管剥离管束成单根插层单根高锰酸钾单壁碳纳米管束科学技术领域纳米材料制备氧化作用管束型浓硫酸管径

[发明专利]气凝胶碳纳米管及其制备方法和应用-CN200610089385.9有效
发明人：魏飞;张强;周卫平;徐光辉;杨州;骞伟中;罗国华 -专利权人：清华大学
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：气凝胶碳纳米管及其制备方法和应用，属于新型纳米材料制备技术领域。本发明提供的气凝胶碳纳米管是由分散的碳纳米管或碳纳米管管束组成，所述的碳纳米管或碳纳米管管束的直径在1纳米到100微米之间，长径比在10¹－10⁶，该气凝胶碳纳米管堆密度为气凝胶碳纳米管通过如下方法获得。该方法包括：利用外力将待处理的碳纳米管管束或碳纳米管阵列样品破碎，然后在气相中分散，沉降，分级收集气凝胶碳纳米管。气凝胶碳纳米管通过成型加工作为导热导电材料，或与有机高分子、无机、金属基体等形成透明导电膜、超级导电添加剂、膜材料、力学增强增韧，隔热、增加材料导热性、屏蔽电磁辐射等复合材料。
凝胶纳米及其制备方法应用

[发明专利]具有涂层的光学组件和使用方法-CN202210767783.0在审
发明人：李伟豪;许倍诚;李环陵;连大成;李信昌;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：经涂覆的纳米管和纳米管束被形成为用于EUV光刻系统中的光学组件的膜。这些光学组件可用于对半导体衬底上的材料进行图案化的方法。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。穿过涂覆层的UV辐射穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵。穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处接收。
具有涂层光学组件使用方法

[发明专利]一种超长定向的碳纳米管丝/薄膜及其制备方法-CN200610114426.5有效
发明人：魏飞;张强;周卫平;骞伟中 -专利权人：清华大学
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种超长定向的碳纳米管丝/薄膜及其制备方法，涉及一种碳纳米管丝和碳纳米管薄膜及其制备方法。所述的碳纳米管丝/薄膜由多束碳纳米管管束端部相互缠绕连接而成，其取向基本一致，宏观直径在微米级以上，长度在厘米级以上；碳纳米管薄膜其宏观厚度在几十纳米以上，宽度在几十微米以上，长度在厘米级以上。其制备方法包括利用浮游法在基底表面生长出碳纳米管阵列，然后使用拉伸工具从碳纳米管阵列一端抽取碳纳米管丝或薄膜，通过持续拉伸，使碳纳米管管束沿拉伸方向形成定向碳纳米管丝/薄膜。利用该方法可以实现批量制备这种碳纳米管丝/薄膜，拉伸时碳管无需在基板上，且容易控制碳纳米管束初始拉伸形状来进一步控制碳纳米管丝/薄膜的尺寸。
一种超长定向纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]细胞定向培养系统、细胞定向培养基板及培养定向细胞的方法-CN200810142286.1有效
发明人：钟成;范立 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-08-09 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：其中，培养层设置于基底上，培养层包括至少一碳纳米管膜，碳纳米管膜包括至少一碳纳米管绳，碳纳米管绳包括复数个碳纳米管束片段，其中相邻碳纳米管束片段的端部依次相互连接，且碳纳米管束片段包括复数个平行排列的碳纳米管；培养液覆盖培养层，培养液包括至少一细胞成长因子，以促进一细胞沿所述的碳纳米管生长。藉由碳纳米管膜中平行排列的碳纳米管，种植于其上的细胞可沿碳纳米管生长而达到定向，进而应用于受损细胞的再生长，可导引细胞依寻一特定方向生长，达到细胞修复的作用。
细胞定向培养系统定向培养基培养方法

[发明专利]场发射电子源-CN201110325622.8有效
发明人：魏洋;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖为一碳纳米管束状结构，该碳纳米管束状结构包括多个沿碳纳米管针尖轴向定向延伸且首尾相连的碳纳米管。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。
发射电子

[发明专利]一种碳纳米管束垂直互连的制作方法-CN201210038865.8有效
发明人：曹立强;戴风伟;周静;刘丰满;潘茂云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长同时通过致密化操作使碳纳米管与碳纳米管之间的气体被赶出，从而提高碳纳米管束密度，然后制作成金属包覆碳纳米管束的互连结构，用此结构做为互连材料可以有效地提高其互连可靠性和性能。
一种纳米管束垂直互连制作方法

[发明专利]一种基于碳纤维的柔性材料及其制备方法-CN202010164207.8有效
发明人：周云英;岳志杰;莫宗云 -专利权人：北华航天工业学院
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： D02G3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳纤维的柔性材料制备方法，包括以下步骤：A、配置二氧化锰水溶液；B、将一支碳纳米管束在二氧化锰水溶液中浸渍，然后取出碳纳米管束进行干燥；C、在另一支碳纳米管束的表面通过电镀工艺覆盖镀锌层；D、将上述两支碳纳米管束缠绕于弹性纤维基底上，得到导电纺织品。
一种基于碳纤维柔性材料及其制备方法

[发明专利]一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法-CN201410791872.4有效
发明人：刘锋;刘胜;王国平;蔡华飞 -专利权人：武汉大学
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法，属于纳米材料制备技术领域。在微纳通道底部的一端沉积催化膜，并对其进行图形化；（3）沉积满牺牲层；（4）沉积掩模层，并在微纳通道底部另一端的顶部掩模层上刻蚀出与微纳通道连通的通气孔，除去牺牲层，形成半封闭式微纳通道；（5）在半封闭式微纳通道内生长碳纳米管束；（6）除去掩模层、通气孔中的碳纳米管及其碳纳米管束四周的基片，即在基片水平方向得到与微纳通道尺寸一致的碳纳米管束。其优点是：在基片水平方向上可获得取向、尺寸、位置精确可控的碳纳米管束；工艺过程简单，易于实现，用途广泛。
一种水平方向可控生长纳米管束方法

[发明专利]一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法-CN201410792370.3有效
发明人：刘锋;叶双莉;刘胜;王国平;蔡华飞 -专利权人：武汉大学
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法，属于纳米材料制备技术领域。在微纳通道底部的一端沉积催化膜，并对其进行图形化；（3）采用键合工艺将第二片基片覆盖在微纳通道上方；（4）在第二片基片上刻蚀出与微纳通道连通的通气孔，形成半封闭式微纳通道；（5）在半封闭式微纳通道内生长碳纳米管束；（6）除去第二片基片、通气孔中的碳纳米管及其碳纳米管束四周的基片，即在基片水平方向得到与微纳通道尺寸一致的碳纳米管束。其优点是：在基片水平方向上可获得取向、尺寸、位置精确可控的碳纳米管束；工艺过程简单，易于实现，用途广泛。
一种水平方向可控生长纳米管束方法

[发明专利]带涂覆层的光学组件及使用方法-CN202210126552.1在审
发明人：许倍诚;林秉勋;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在EUV光刻系统中，经涂覆的纳米管和纳米管束被形成在光学组件中有用的膜中。这些光学组件在用于在半导体衬底上图案化材料的方法中有用。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。已穿过涂覆层的UV辐射穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体。穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处被接收。
覆层光学组件使用方法

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